Блокинг-генератор

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/473

Метки: базы, изготовлении, источника, селективного, структур, транзисторных, формирования

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...

Номер патента: 372661

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Козак

МПК: H03K 5/01

Метки: генератор, импульсов, источника, магнитный, переменного, питанием

...указаны начала обмоток.Каждый контур работает в свой полупериод питающего напряжения. В магнитном генераторе импульсов тока, выполненном по такой схеме на магнитопроводе четырехстержневой конструкции, при определенном напряжении сети переменного тока, зависящем от емкости конденсатора 8, возникает устойчивый режим, возбуждения импульсов тока с частотой сети. При этом амплитуда импульсов тока достигает больших значений с крутыми фронтами и м алой длительностью.Возбуждение знакопеременных симметричных импульсов тока большой амплитуды и малой длительности возможно благодаря включению конденсаторов (в каждый полупериод напряжение сети) параллельно обмоткам обратной связи между точками 18 и 14. При таком включении конденсаторов для...

Номер патента: 592000

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Мусин, Попов

МПК: H02M 7/537

Метки: источник, переменного, питания, стабилизированный

...фиксации отрицательных полпериодов напряжения в базовых цепях транзисторов 2 и 3 с помощью опорного стабилитрона 11. Пусковое напряжение смешения при включении преобразователя в первую очередь отпирает транзистор 3, поскольку резистор 7 соединен п 1 слсдовательно с базой транзистора 2.Положительные полупериоды напряжения в базовой цепи транзисторов запирают соответствуюший транзистор преобразователя 1. Так как развязываюшие диоды 12 и 13 оказываются закрытымиво время положительного полупериода, то ограничение положительного потенциала на базах транзисторов 2, 3 осуществляется диодом 9 или 10, Резлстор 8, включенный между базой и кол,е тором транзистора 3, служит д,зя увеличения надежности запуска в диапазоне низких температур. Его...

Номер патента: 731499

Опубликовано: 30.04.1980

Автор: Краснов

МПК: H01L 39/06

Метки: генераторах, нелинейный, обратной, радиочастотных, связи, сигнал, управляющий, формирующий, элемент

...силыР= - Йг,25 где г - смещение вихря относительно положения равновесия (в данном случае, диа ямы);й - коэффициент упругости эффектив- З 0 иой ямы.Движение вихря под действием внешнего тока, плотность которого равна 1(Ц, описывается тогда уравнением 35-- ПГ 1 д йн где р, и О - удельное сопротивление и угол Холла сверхпроводника, когда внешнее магнитное поле равно верхнему критическому значению НС 2 и параллельно осп г. 45Рассмотрим для определенности ток, текущий вдоль оси х. Тогда общее решение уравнения (2) имеет видх (1) = х (о) соз ( я 1 и йн) + у (о) з 1 и У 50Х (У я 1 п Ин) ен - айц )о Х Р - ) е н я 1 п л я 1 и 6 - 6У =у (о) соз(я 1 п 6 н) - х(о) я 1 п(н з 1 п 6)55 Хе "о " - а 61 - )о 60 Хс оз 4 з 1 п 6 - 6,где х(о) и у(0) -...