Электролюминесцентная ячейка

Номер патента: 533988

Опубликовано: 30.10.1976

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...нуль), то тактовый импульс Ф, не проходит через запертый запоминающий транзистор 1. В итоге не происходит подзаряда конденсатора 2.Р е ж и м з а п и с и, Адресный импульс на шине 9 отпирает адресный транзистор 5 одновременно с поступлением тактового импульса Ф на шину б импульсного питания. Через открытые транзисторы 5 и 4 обкладка конденсатора 2, соединенная с затвором запоминающе. го транзистора, подключается к числовой шине 10. Если записывается логическая единица, то цепь заряда конденсатора 2 замыкается через открытый запоминающий транзистор 1. При записи нуля заряда конденсатора 2 не происходит либо он разряжается через транзисторы 5, 4 и 1, если ранее был заряжен.Режим считыв апня. Числовая шина 10 предварительно разряжается,...

Номер патента: 326641

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/00

Метки: моп-транзисторах, памяти, ячейка

...с подложкой.Периодическое открывание транзистора Т создает цепь под аряда конденсатора С, вход Ф 1, конденсатор С, транзистор Ть конденсатор С, земля. Одновременно открывается транзистор Т . Однако конденсатор С, зарядиться не может, так как он зашунтирован открытым транзистором Т.Таким образом, периодически медленно изменяющееся напряжение на входе Ф, дает возможность поддерживать заряд конденсатора С ца необходимом уровне, а так как отсутствует делитель сопротивлений, подключенный к источнику питания, то отсутствует связанное с ним рассеяние энергии,326641 Составитель М. ЗиминаТехред 3. Тараненко Редактор Л. Утехина Корректор А, Васгльева Заказ 513112 Изд.107 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 395900

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...предназначенные для оперативных ЗУ.Однако в них происходит стирание информации при считывании,Для сохранения информации при считывании предлагаемая ячейка содержит буферный 1 Отранзистор, затвор и подложка которого подключены к запоминающему конденсатору,сток - к шине считывания кода, исток - кадресной шине считывания кода.На фиг. 1 приведена схема предлагаемой 15ячейки хранения; на фиг. 2 - схема, отражающая регенерацию кода в предлагаемой ячейке хранения. В течение деиствия на шине 20 первого тактового импульса заряжается конденсатор 13, так как сигнал считывания на входе 26 отсутствует инапряжение истока (относительно общей точки) равно напряжению питания схемы. Во времядействия на,шине 21 второго тактового импульса сигнал...

Номер патента: 330490

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Еремин, Лементуев, Ордена, Попова, Прангишвили, Сонин, Талов, Телемеханики, Фетисова, Черенкова

МПК: H03K 3/3565

Метки: диэлектрик-полупроводник12, металл, памяти, структурой, транзисторах, ячейка

...элемент записи выполнен в виде логического элемента И, входы которого подсоединены к раздельным шинам разрешение записи и запись. На чертеже приведенасхема предлагаемого устройУстройство содержит триный на транзисторах 2 - 6си на транзисторах 6 - 9. Эния, опроса и ускоряющиетеже не показаны. Затворы транзисторов 0 в качестве ключей разре мации в триггер 1, а тра пользуются в качестве кл мации в этот триггер. П 6, 8 и 7, 9 образуют л 5 И для соответствующи Устройство работаетВ исходном положении триггеся в одном из устойчивых состояжение на затворах транзисторовмомент соответствует уровнюнуля.Информновременнотшину разрпись соотв ация записывается только при одподаче логической единицы на ешение записи и на шину заетствующего плеча...

Номер патента: 1612802

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Канакин, Мануйлова, Наймарк, Соломенников

МПК: G11C 19/28

Метки: мдп-транзисторах, памяти, регистра, сдвига, ячейка

...выводе.варактора 5 остается и передаОщцй транзистор 3 остается открытым. Затем напряжение па входе 8 (сток ключевого транзистора 2) умецьшаетсн до нуля, Па второй так- тоный вход 7 подается высокое ца" 1 ряжение, которое поступает ца сток передающего транзистора 3, па затвор цагруэочного транзистора А и ца эатвоР ключевого тРаизцстоуа 2 после дд дующей ячейки памяти, так как отно1 Д шецие - цагруэочного транзистора 41.меньше, чем у передающего транзистора 3, то напряжение на выходе первой ячейки близко к напряжению навтором тактовом входе 7. Это напряжение через открытый ключевой транзистор 2 последующей ячейки регистрапередается ца первый вывод варактораэтой ячейки и открывает передающийтранзистор 3 точно так же, как впредыдущей...