Библиотекл j

ЗУЗУУО ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советским Соиалистическил РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14 ЛЧ.1971 (Эй 1650 О 77/18-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 12 Л 11.1973. Бюллетень14Дата опубликования описания 24 Ч,1973 1 с 11 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 681327.67(088. Авторыизобретения Ю, В. Беленький и Г. И. Берлинков Заявител ЯЧЕЙКА И НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ Ячейкатранзистосоединеньры 3 и 4ключенышинами информац и стоки к ильные тра сторон 1 и б, соедине питания. пам ы 1 пер яти содержит и 2, затворь екрестно, вент стокам транзи енсаторы б и 8 импульсногоионные оторых нзисто поднные с Истоки они Изобретение относится к области запоминающих устройств.Известна ячейка памяти на МДП-транзисторах, содержащая информационные транзисторы, затворы и стоки которых соединены перекрестно, а истоки соединены с общей шиной, вентильные транзисторы, стоки которых подключены к стокам информационных транзисторов, истоки - к разрядным шинам, а затворы - к адресной шине.Недостатком известной ячейки памяти является большая величина потребляемой ею мощности.Описываемая ячейка памяти отличается от известной тем, что к стокам информационных транзисторов подключены конденсаторы, соединенные с шинами импульсного питания,Указанные отличия позволяют уменьшить мощность, потребляемую ячейкой памяти.На фиг. 1 представлена принципиальная схема ячейки памяти на МДП-транзисторах; на фиг. 2 - диаграмма импульсов питания ячейки памяти (для Р-канальных транзистотранзисторов 3 и 4 подключены к разрядным шинам. 9 и 10, а затворы их объединены и присоединены к адресной шине 11. Паразитные конденсаторы 12 и 13, образованные за творами транзисторов 1 и 2, показаны нафиг. 1 пунктиром. Истоки транзисторов 1 и 2 соединены с общей шиной 14.Ячейка памяти работает следующим образом.10 Запись информации в ячейку памяти осуществляется при поступлении на адресную шину 11 сигнала, открывающего вентильные транзисторы 3 и 4. Для записи в ячейку памяти уровня 1 на шину 9 поступает сиг нал О, а на шину 10 - сигнал 1, Для записи уровня О входные сигналы на шинах имеют инверсные значения.Хранение информации, записанной в ячейке памяти, осуществляется за счет импульсов 20 питания (см. фиг. 2).Пусть на конденсаторе 12 был записан уровень 1 (что соответствует высокому по абсолютной величине отрицательному напряжению). Тогда импульс питания, поступающий 25 на шину 7, не меняет низкого уровня напряжения на конденсаторе 13, так как транзистор 1 открыт и коэффициент передачи делителя, образованного конденсаторами б и 13 и сопротивлением открытого транзистора 1, шунтиру ющего конденсатор 13, близок к нулю. ПриЗаказ 1440/13 Изд.1306 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушскан наб., д. 4/5 пунова, 2 Типографи поступлении импульса на шину 8 фронт его передается через конденсатор б на конденсатор 12, так как коэффициент передачи в этом случае зависит от соотношения конденсаторов б и 12 (транзистор 2 закрыт). Если произведение амплитуды импульса питания на коэффициент передачи превышает уровень 1, то по окончании фронта импульса на конденсаторе 12 окажется потенциал общей шины 14 источника питания. Изменение полярности напряжения на конденсаторе 12 не может произойти в связи с шунтирующим действием р - и-перехода стока транзистора 2.Спад импульса питания на шине 8 также передается на конденсатор 12, в результате чего по окончании импульса на конденсаторе 12 окажется уровень потенциала, равный произведению амплитуды импульса питания на коэффициент передачи делителя, образованного конденсаторами б и 12, Так как эта величина постоянная, открывается возможность восстановления уровня сигналов на стоках информационных транзисторов (которые при отсутствии регенерации могут изменяться из-за влияния утечек). Частота следования импульсов питания может быть выбрана сравнительно небольшой ( 20 кгпв),Считывание информации осуществляется при подаче уровня 1 на шины 9 и 10. Если на конденсаторе 12 был записан уровень 1, то в цепи, образованной транзисторами 2 и 4, ток не потечет, так как транзистор 2 закрыт, а падение напряжения на транзисторе 1 при 5 всех условиях должно быть ниже величиныпорогового напряжения.Если на конденсаторе 12 был записан уровень О, то в цепи транзисторов 2, 4 потечет ток, который может регистрироваться с 10 помощью, например, усилителя считывания.При этом необходимо, чтобы падение напряжения на транзисторе 2 за счет протекания тока также не превышало бы порогового напряжения.15 Ячейка памяти на МДП-транзисторах, содержащая информационные транзисторы, за творы и стоки котор,ых соединены перекрестно,а истоки соединены с общей шиной, вентильные транзисторы, стоки которых подключены к стокам информационных транзисторов, истоки - к разрядным шинам, а затворы - к 25 адресной шине, отличающаяся тем, что, сцелью уменьшения потребляемой мощности, к стокам информационных транзисторов подключены конденсаторы, соединенные с шинами импульсного питания.