Поверхностной ионизацией

Номер патента: 1279447

Опубликовано: 07.08.1987

Автор: Третьяков

МПК: H01J 37/34, H05H 13/00

Метки: ионов, источник

...чертеже не показан). Векторы Зо магнитного поля В и электрического поля Е задают направление скорости дрейфа плазмы 71 абота устройства происходит следующим образом.По мере расходования распыляемого электрода 2, содержащего рабочее вещество, увеличивают положительный потенциал на сборнике 4. В скрещенных :агнитном поле В и электрическом полеГ, образующемся в системе сборник 4разряаная камера 3, происходит дрейфплазмы в сторону распыляемого электро,.та 2 се скоростьючх ВВ".а фиг.1 схематически показаны траеко пи ионов, бомбардирующих распыяемый -;Рктрод. Хаким образом под .",.ерживается аданный ток распыляемо 50электрод и необходимый расход рабочего веществ.В распоряжение оператора циклотрона постунае быстрый, в отличие отмеханического...

Номер патента: 1288531

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Матвеев, Миляев

МПК: G01N 1/22

Метки: анализа, воздуха, загрязнений, источников, наземных, отбора, плоских, проб

...измерителя 10 направления ветра поступает электрический сигнал, пропорциональный углу между направлением ветра и20 3 128853 направлением на север. Этот сигнал поступает в блок 7 выбора точек отбора, где сравнивается с набором уставок (заданных напряжений) во многоуровневом компараторе 8 (составляется таблица соответствия). При этом выбирается поддиапазон, верхняя граница (уставка) которого ограничивает сигнал сверху, а нижняя граница - снизу. 10Таблица соответствий устанавливается следующим образом: строится изображение источника. выбросов и точек отбора с учетом его ориентации относительно направления на се вер, нумеруются точки отбора (фиг.2); для различных направлений ветра водиапазоне 0-360 строятся условные плоскости и...

Номер патента: 497910

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Веников, Латушкин, Резвов

МПК: H05H 13/00

Метки: вытягивания, ионов, источника, циклотрона

...из циклотрона одинмикросгусток для улучшения временно.- 16го разрешения метода времени пролета,используемого на циклотроне,Известно устройство для вытягивания ионов иэ источника циклотрна,содержащее дополнительный электродинфлектор, помещенный между разряднойкамерой источника ионов и отсасываю-,ей кромкой дуанта. Но .поскольку выягивание ионов происходит непрерывно, а область фаз ионов, пригодныхдля ускорения, составляет лишь 210периода ВЧ (в среднем 5), то разрядисточника объединяется ионами: времяих бесполезного вытягивания большечем на порядок превышает время, .в ко- з 0 торое вытягивание необходимо. На ускорение этих ионов тратится энергия ВЧ-резонатора циклотрона, а в конечном итоге они попадают на дуанты и ннфлектор, н их...

Номер патента: 1770892

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Левитан

МПК: G01N 29/14

Метки: акустических, волн, источника, местоположения, обнаружения, поверхностных

...стальной пластины 1 толщиной 3 мм, в ней возникла усталостная трещина, которая является источником сигналов акустической эмиссии. При-выбранном значении толщины пластины волны акустической эмиссии в ней могут распространяться в виде нормальных и поверхностных волн. Таким образом, трещина является источником поверхностных волн. На пластину устанавливают призматический пьезопреобразователь, являющийся направленнымприемником акустических поверхностныхволн 2. Его ориентируют таким образом, чтобы его диаграмма направленности 3 проходила через источник поверхностных акустических волн 4; при этом амплитуда воспринимаемых приемником колебаний будет максимальна. Таким образом, устанавливают, в каком направлении находится источник поверхностных...

Номер патента: 194979

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кодюков, Острецов, Форафонтов, Фрадкин

МПК: G01T 1/16

Метки: активности, гамма-излучения, источников

...создание которых связано сбольшими трудностями, особенно для источников большой активности (сотни и тысячи 10кюри),Описываемый способ позволяет повыситьточность измерений, уменьшить аппаратурнуюпогрешность и обеспечить радиационную безопасность при измерениях. 15Сущность способа заключается в том, чтоисточник большой активности, находящийсяза защитой, измеряется по интенсивности наиболее жесткой компоненты гамма-спектра, арегистрация производится с помощью сциптилляционного счетчика при определенной ширине окна дифференциального анализатора,Для исключения аппаратур ной погрешности применяется эталонный источник малой активности, изготовленный из того же активного вещества, который используется для проверки градуировки прибора...