Элемент памяти

О П И С А Н И Е 356692ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОР СХОМУ СВИДБЕЛЬС 7 ВУ Союз Советских Социалистических РеслублилЗависимое от авт. свидетельства-М, 1(л. 6 11 с 1142 влено 22 Л 1.1971 ( 1631257/18-24) оедпнением заявки-Коггитет ло делаггобретений и открытийри Совете гбинистравСССР иоритет -публиковано 23.Х,1972. Бюллетень32 УДК 681,327,66 (088.8 та опубликования описания ЗО.Х 1.1972 Авторизобретени либи аявите ЛЕМЕИТ ПАМЯТИ ики зависимости от в зем зуюО Изобретение относится к оптоэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для записи информации в виде оптических сигналов или модулированного электронного луча.Известен элемент )пагмяти на .ЧДП-структуре с поляризующимся диэлектриком, в котором запись информации осуществляется в виде электрических сигналов.Предлагаемый элемент памяти отличается от известных тем, чтодля обеспечения возможности записи информации в виде оптических сигналов и модулированного электронного луча на слой поляризующегося диэлектрика последовательно нанесены слои фоточувствительного полупроводника и неполяризующе. гося диэлектрика, суммарный импеданс которых так соразмерен с импедансом слоя поляризующегося диэлектрика, что при неосвещенном затворе падение напряжения на слое поляризующегося диэлектрика меньше напряжения поляризации (деполяризации) и при освещенном затворе - больше. Это позволяет записывать информацию в виде оптических сигналов или модулированного электронного луча.На фиг. 1 изображено предлагаемое уст. ройство, на фиг. 2 - эквивалентная электрическая схема предлагаемого устройства; на фиг. 3 - упрощенная электрическая схема; на фиг. 4 - графни 1:а) управляющего напряженияб) интенсивности света 1, падающего на5 затвор;в) падения на)пряжения Ъоо на обедненнойобласти фоточувствительного полупроводника;г) падения напряжения на слое полярцщегося диэлектрика.1 Устройство представляет собой полупроводниковую пластину 1, напрнмер, из кремния Я р-типа с удельным сопротивлением 0,01 оя, на которую последовательно нанесены слои: поляризующегося диэлектрика 2, например, 15 сеитрида кремния 51 аХ; фоточувствительногополупроводника д, например, кремния Я с удельным сопротивлением 22 ком; неполяри зующегося диэлектрика 4, например, двуокиси кремния 510 металла б, например, золота 2 О Лп, вьвполненного,в виде полугпрозрачнойпленки. Слой металла используется в качестве электрода управления - затвора, на который подают изменяющееся управляющее на.пряжение Ч, на)пример, ттреугольной формы, 25 На полупроводниковую пластину 1 нанесеныэлектроды б и 7, омические или в виде р - )тпереходов, которые служат в качестве электродов считывания - истока и стока.Эквивалентная электрическая схема предлагаемого устройства представляет собой цепь356692 П р ед мет изобретения с 4 ис Составитель И. Горелова Редактор Л. Василькова Техред Е. Борисова Корректор Е, МироноваЗаказ 525,2007 Изд. ЛЪ 1555 Тирах 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Тип. Харьк, фвл. пред. Патент последовательно соединенных параллельных КС-цепочек (диэлектрика 4 - К 4 С 4, области, обедненной носителями, в полупроводнике 3 - Ко,С, образующейся на границе с диэлектриками 2 или 4 в зависимоспи от полярности напряжения Ч, подаваемого на затвор и исток, диэлектрика 2 - КзСс) и сопротивлений полупроводников 1 - К, и 3 - Кз.В случаях использования в пластине 1 и слое 3 низкоомных полупроводников эквива лен тная схема представлена в упрощенном виде.При подаче на электроды б, 7 напряжения 7 в слое полупроводника 3 на пранице с диэлектриком 2 или 4 (в зависимости от поляр ности напряжения Ъ) образуется область, обедненная носителями. При некотором значении внешнего напряжения (0,р) импе- данс области, обедненной носителями, возрастает, например, из-за увеличения толщины 20 области. При неоовещенном запворе напряже ние 1.1 практически равно сумме падений напряжения на области, обедненной носителями, 13 оо полупроводника 3 и на слое 2 поляризующегося диэлектрика У причем напряжение 12 меньше порогового напряжения .+11 в поляризации (деполяризации) диэлектрика. При освещении затвора импульсами света импеданс обедненноя области уменьшается, падение напряженияувеличивается и при интенсивности света 1, большей некоторой пороговой интенсивности 1 может превысить на. пряжение 11 а. В этом случае происходит запись (стирание) информации.При записи информации с помощью модулированного электронного луча, которая имеет место в случае применения элемента памяти в передающих и приемных электронно-лучевых трубках, принцип действия элемента памяти аналогичен. Элемент памяти, выполненный на МДП - ст 1 эуктуре с поляризующимся диэлектриком, отличающийся тем, что с целью обеспечения возможности записи информации в виде оптических сигналов и модулированного электронного луча, на слой поляризующегося ди. электрика последовательно нанесены слои фоточувствительного полупроводника и неполяризующегося диэлектрика.