ZIP архив

Текст

(51) М. Кл, Н 0119/04 Государственный комнтет Совета Мнннстров СССР оо делам нзооретеннй н аткрытнй(72) Авторыизобретения Ю. Н. Шанин, Н, В, Руденко, Ю. Н, Голованов, А, Г, Абдуллин и Ж С Такибаев Институт физической химии АН СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ КАТОДОВ 1Известны способы изготовления термоэмиссионных оксидных катодов. Для увеличения плотности тока термоэмиссии повышают температуру катода. Однако при повышении температуры катода снижается долговечность подогревателя и активно испаряется материал катода, что приводит к изменению характеристик электронной лампы и резко снижает сроки службы.Целью изобретения является увеличение плотности тока термоэмиссии оксидных катодов и его стабилизация без повышения температуры катода и уменьшения распыления материала катода.Это достигается путем облучения оксидного катода гамма-квантами с интенсивностью, например 2 104 - 2 10 р,сек при рабочей температуре катода 860 С в течение 5 - 35 мин с последующей выдержкой катода при 800 - 900 С в течение 0,5 - 2 час.Способ применялся для активировки диода с охлаждаемым водою медным анодом (эмиттер - синтерированный оксидный катод).Диод перед испытанием отработал 1000 час в рабочем режиме, Вольтамперные характеристики диода снимались до облучения его гамма-квантами.Доза облучения составила 10 р. Во время облучения напряжение на диод не подавалось, После облучения и выдержки диода в рабочем режиме токоотбора в течение 1 часдо стабилизации анодного тока снималисьвольтамперные характеристики диода и сравнивались со своими аналогами, снятыми до5 облучения диода гамма-квантами.Результаты испытаний показывают, что вовсех случаях вольтамперные характеристикидиода, снятые после облучения, имеют болеевысокие значения, чем исходные, т, е. снятые10 до облучения,При облучении гамма-квантами их энергияпоглощается катодом лампы. При дозе облучения 10 р величина поглощенной энергии составляет 12 - 14 рад. Этой энергии вполне до 15 статочно для разложения окиси бария и окиси стронция, находящихся па оксидном катоде, так как энергия диссоциации их составляет для окиси бария 4,7+-0,5 эв, а для окисистронция 5,1+.1 эв,20 Таким образом, при облучении происходитдополнительное высвобождение бария, ответственного за эмиссию с оксидного катода.Следовательно, облучение гамма-квантамивызывает увеличение тока диода, т. е. способ 25 ствует значительному возрастанию плотноститока термоэмиссии катода и его стабилизации. Предмет изобретения1. Способ изготовления оксидных катодов, 30 отличающийся тем, что, с целью повыше.342541 Составитель А. ФигнерТехред 3. Тараненко Корректор Н, Стельмах Редактор Т. Орловская Заказ 1862/1 Изд.1381 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ния термоэмиссии, снижения рабочей температуры и уменьшения распыления материала катода при более высокой плотности тока, катод облучают гамма-квантами. 2. Способ по и. 1, отличающийся тем,что катод облучают гамма-квантами с интенсивностью 2 104 - 2 10 р/сек в течение 5 - 35 мин, а затем выдерживают при 800 - 900 С 5 в течение 0,5 - 2 час.

Смотреть

Заявка

1285499

Ю. Н. Шанин, Н. В. Руденко, Ю. Н. Голованов, А. Г. Абдуллин, Ж. С. Такибаев Институт физической химии СССР

МПК / Метки

МПК: H01J 9/04

Метки: 342541

Опубликовано: 15.03.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-342541-342541.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">342541</a>

Похожие патенты