Электрическая линия задержки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ337923 Союз Советскик Социвлистическик РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 21 ЛХ.1970 ( 1477731/26-9)с присоединением заявки147773326-9 31 т. 5/13 31 730 М. Кл иоритет Комитет по делам зобретеиий и открытий при Совете Мииистров СССР. Бюллетень15 ликовано 05.Ч.1621,374,5(088.8 Дата опубликования описания 5.И.1 Авторыизобретет В. П, Еремеев и С, А, Букашк Заявитель Рижск раснознаменный институт инженеров гражданской авиаци им. Ленинского комсомола ЕКТРИЧЕСКАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖК Изобретение может быть использовано в аппаратуре импульсной техники.Известные электрические линии задержки, содержащие большое число звеньев типа р и т, выполненных на замкнутых ферритовых сердечниках, характеризуются сравнительно небольшим временем задержки,Для увеличения времени задержки в предлагаемом устройстве параллельно или последовательно согласованной нагрузке включен полупроводниковый диод, полярность включения которого определена полярностью входных импульсов, кроме того, параллельно некоторым идентичным звеньям линии включены полупроводниковые диоды.На фиг, 1 приведена линия задержки с включенным последовательно с согласованной нагрузкой полупроводниковым диодом; на фиг. 2 - схема, где параллельно некоторым звеньям линии задержки включены полупроводниковые диоды.Устройство содержит электрическую линию 1 задержками на звеньях типа р или т, полупроводниковый диод 2, согласованную нагрузку 3 и полупроводниковые диоды 4,Внутреннее сопротивление источника входных импульсов должно быгь или намного меньше, или намного больше волнового сопротивления линии - это определяет включение полупроводникового диода 2: или параллельно, или последовательно с нагрузкои. Полярность включения полупроводникового диода определяется полярностью задерживаемых импульсов, На фиг. 1 изображено устройство для задержки положительных видеоимпульсов при внутреннем сопротивлении источника входных импульсов Я намного меньшем волнового сопротивления линии р, т. е. %р.При том же сопротивлении генератора и перемене полярности включения чолупроводникового диода 2 (в точках а и б) устройство предназначено для задержки отрицательных видеоимпульсов. Если Я;о, то включение анода полупроводникового диода 2 в точке а и катода в точке б будет соответствовать задержке положительных, а при перемене полярности диода - отрицательных видеоимпульсов,20 Входной электрический импульс длительностью меньше -/з требуемой задержки всей линии, достигающий сечения согласованной нагрузки, полностью отражается ог полупроводникового диода 2 и распространяется в сторо ну генератора, где претеопевает второе отражение, и далее снова движется к нагрузке.Фаза отражений на выходе и входе выбрана таким образом, чтобы вторично появляющийся в сечении согласованной нагрузки импульс 30 имел противоположную полярность, что и337923 Пр едмет изобретения Фиг 7 оставитсль К. Виноградо Тсхред 3. Тараиенкоедактор Т. Иванова корректор Е. Михеев Заказ 1634,0 Изд.710 Тираж 448 ПодписноеЖ 1 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, 7 К, Раушская наб., д. 45 ипография, пр. Сапунова,обусловливает его беспрепятственное выделение без отражений в этом случае.Полупроводниковые диоды 4 предназначены для устранения искажений плоской части передаваемых импульсов. 1, Электрическая линия задержки, содержащая идентичные звенья, каждые из которых выполнены на замкнутом ферритовом сердечнике, и согласованную нагрузку, отличающаяся тем, что, с целью увеличения времени задержки, параллельно или последовательно согласованной нагрузке включен полупроводниковый диод, полярность включения которого определена полярностью входных импульсов.2. Линия задержки по п, 1, отличающаясятем, что параллельно некоторым звеньям 10 включены полупроводниковые диоды,
СмотретьЗаявка
1477731
Рижский Краснознаменный институт инженеров гражданской авиации, Ленинского комсомола
В. П. Еремеев, С. А. Букашкин
МПК / Метки
МПК: H03K 17/28, H03K 5/13
Метки: задержки, линия, электрическая
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-337923-ehlektricheskaya-liniya-zaderzhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электрическая линия задержки</a>
Линия сборки полупроводниковых диодов
Номер патента: 270898
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Аксененков, Бовыкин, Бородулина, Колесников, Крупко, Кузнецов, Сафонов, Свергунов, Тулинов, Филимонов, Царенко, Цыков, Чупрнков, Шейнов
МПК: H01L 21/50
Метки: диодов, линия, полупроводниковых, сборки
...и шлюзами для выполнения некоторых ручных операций соорки диодов.Устройство для присоединения к ленте в зоне оформленного кристаллодержателя баллона диода выполнено также в виде двух линейно расположенных механизмов, обслуживаемых оператором. Оно содержит направляющую 38 для ориентированного перемещения ленты, механизм 39 контактной конденсаторной сварки с двумя подвижно смонтированными в вертикальной плоскости электродами, один из которых выполнен регулируемым, а также комплект сменных кассет 40 с установочными штифтами и съемными электродами 41.Устройство для обжима и проварки трубки45 50 55 60 65 5баллона выполнено в виде пресса и механизма контактной конденсаторной сварки, которые приводятся в действие посредством...
Полупроводниковый диод
Номер патента: 150938
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: H01L 29/06
Метки: диод, полупроводниковый
...изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным, Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль,Описанная...
Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах
Номер патента: 278800
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Кантор
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема
...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...
Стабилизатор свч мощности на полупроводниковых диодах
Номер патента: 145914
Опубликовано: 01.01.1962
Метки: диодах, мощности, полупроводниковых, свч, стабилизатор
...которого определяется. В другом плече тройника находится согласованная конечная нагрузка 3, позволяющая раздельно изменять фазу и модуль коэффициента отражения для компенсации ассиметрии волноводного тройника 1,Ввиду отсутствия взаимной связи между плечами силовых линий Е и Н и отсутствия отражения от конечной нагрузки 3 на индикаторе 4 можно наблюдать коэффициент отражения испытуемого элемента, Для измерения малых отражений необходимо, чтобы линии связи имели минимальные потери в тракте, в связи с чем в стабилизаторе СВЧ мощности применены в качестве регулирующих элементов четыре низкочастотных германиевых диода. Диоды включены в линию парами с разной полярностью в ларе и последовательно по постоянному току. В схеме примене СВЧ...
Измеритель заряда переключения полупроводниковых диодов
Номер патента: 575585
Опубликовано: 05.10.1977
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых
...и в цифровой код в реверсивном счеччике).Интегрирование импульсов обратного тока исследуемого диода осуществляется засчет динамических свойств цепи негатронас:подключенными к нему пассивными элементами, При этом производится разделениеимпульсов не по амплитуде, как в обычных 30детекторах, а по фазе, т.е. во временной области. На чертеже представлена схема предложенного измерителя заряда переключения,Выходы генератора прямого рока 1 и генератора 2 переключающих импульсов обратного напряжения подключены к аноду исследуемого диода 3 и к управляющему входу негатрона 4, а также через элемент задержр кй 5 - к счетному входу реверсивного четчика 6. Катод диода 3 через параллельную ЯС -цепь из емкости 7 и резистора 8 подключен к первой...
Предыдущий патент: Формирователь положительных импульсов по фронту и спаду входного сигнала
Следующий патент: Магнитострикционный преобразователь
Случайный патент: Устройство для автоматической блокировки восьми телефонных аппаратов, включенных в одну общую линию