327718

Номер патента: 512570

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Андреев, Жуков

МПК: H03K 3/78

Метки: генератор, импульсов, мдп-транзисторах, многоканальный

...цгц"5.:кехцем ца выходе 10 мультивибрато",2, НЯИО 5 жецс ца выходе элемента НЕ - ИЛИ разно г лю цз-за высокого готецциалая сс Входе, подклочегц 10 м к Выходху 32 ОдсЦ,";РДР.1:ТОЛЯ Ц.,ПЛЬСОВ.Б момент запирация усилителя 3 цапрякение ца его входе прцолизцтельцо равно поро- ГОВОМУ ЦаПРЯжЕЦИЮ У ТРЯНЗИСТОР 1, ВРСМЯЗЯ- дающий конде:сатор 9 зарякец до цапряже;ия Е - У;, а времязадающий конденсатор 8 рязр 5 и;Рп. Перспад напряжения запцряция, равьц 1 1:апряжеццо источника питания Е, пас.,пясг че;ез конденсатор 8 ца вход хсцли"ся 5 2 и Отпирает ОГО, 1 ОПВР 1 сатоо 9 Оазочжяеся:срез Выходию цепь открытого .Ри 1 ПТРЛя 2, 00 Ц,О ШИПМ ИСТОЧ,ИКОВ НаПО;1 жеи;я н стоковые р - и-переходы транзисторов 6 ц 7, смещенные В прямох цапОЯВлецци цяпряжением ца...

Номер патента: 1172003

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Бочков, Лазаренко, Однолько

МПК: H03K 19/00, H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...конденсатор 22 к входной шине 4 и к затвору транзистора 20, сток которого подключен к входной шине 3. Затворы транзисторов 19 и 21 подключены к входной шине 6, стоки транзисторов 11, 12 16, 19 и 21 подключены к шине 1 питания.Формирователь импульсов работает следующим образом.В исходном состоянии на входных шинах 3, 5 и 6 высокое напряжение,на входной шине 4 ниэкое. Конлрнсь торы 13 и 22 заряжены до напряжения питания. Транзисторы 10, 11, 16 18 и 20 закрыты, ток по шине питания равен нулю. На шине 7 низкое напряжение, равное напряжению общй шины Работа формирователя начинается с приходом нд входную шину 4 положительного импульса и на входную шину 5 импульса запирающего транзистора 17, Через транзистор 14 заряжается конденсатор 15 и...

Номер патента: 1473072

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович, Филатов

МПК: H03K 19/00, H03K 5/00

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...и не замедлял процесс переключения, его проводимость за счет, например, шириныканала выбирается минимальной. Обецепочки последовательно соединенныхтранзисторов 5, 7 и 6, 8 второго типа как в статическом состоянии, таки в начале процесса переключения закрыты, так как на затворах попарновключенньм транзисторов присутствуют инверсные сигналы. Поэтому эти це-пи такхе не препятствуют быстромунарастанию выходного сигнала на первой выходной шине 13. При достижениина .этой шине напряжения больше порогового напряжения транзисторов второго типа четвертый транзистор 6 вто1473072. Формула изобретения Составитель В.ЛементуевТехред Л.Сердюкова Корректор И.Муска Редактор А,Огар Заказ 1 72 7/56 Тираж 880 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 1539995

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Ахмеджанов, Гафаров, Ковалдин, Подопригора, Сеничкин

МПК: H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...каскада 1 с тремя состояниями закрыты. Выходная шина 9 устройства на10 5 15399ходится при этом в третьем состоянии.Переключение выходной шины 9 устройства из одного логического сос 5тояния в другое производится эасчет перехода через промежуточноесреднее значение, когда логическийблок 8 обеспечивает гретье состояние.Влок 3 управления совместно сблоком 2 восстановления уровней служит для подготовки переключениявыходной шины 9 устройства, Времяпереключения, т.е. время перезарядаэквивалентного конденсатора 23, пропорционально перепаду напряжений навыходной шине 9 устройства при переходе из одного логического состоянияв другое, который примерно равен 20напряжению питания.Принцип действия устройства основан на том, чтобы во время, при...

Номер патента: 493029

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Бочко, Высочина, Мерхалев, Солод, Яровой

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...прнатом в выходной двухтактный усилительвведен транзистор в двухполюсном включеена прннципиальная20редлагаемого устройформироватепь импульсов на МОП-т знсторах содержащих двухчактный усили на транзисторах 1, 2, инвертор с токоНа затворе транзистора 3 потенциалиравен Епып-ОиОргде удар- порогавое напряжение транзистора 5.При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 20 (конец импульса) транзисторы 2 и 4 закрываются, и потенциалына левой обкладке конденсатора 8 й на затворе транзистора 1 повышаются. По . вышение потенциала передается на правук обкладку конденсатора 8, что повышает потенциал нв затворе транзистора 1. Пос дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора 1 протекает лавинообразно до тех пор, пока...