Катушка индуктивности

Номер патента: 1023265

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Лисовский, Щеглов

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, легкого, магнитных, намагничивания, ориентации, оси, пленок, поля

...плоскости пленки,пленку устаавливают таким образом,цтобы. ось ее вращения совпадала сномалью к поверхности пленки, освещают пленку поляризованным светом ис помощью анализатора и микроскопанаблюдают зарождение доменной структуры, вращают пленку вокруг оси,совпадающей с нормалью к плоскостипленки, подбирают ориентацию и напряженность магнитного поля такимобразом, цтобы в момент зарождениядоменная структура имела полосовойхарактер, снимают зависимости продольной и поперечной (относительнооси вращения пленки) компонент напряженности магнитного поля, соответствующих моменту образования домен"ной структуры от угла поворота плен"гки, пред ста вляют полу ченную з ависимость в виде рядов Фурье и опреде,ляют константы и ориентацию...

Номер патента: 144153

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Волынец, Губенко, Козлов, Никитичев, Черневская

МПК: C30B 15/06

Метки: виде, вращения, монокристаллов, полых, тел

...со скоростью кристаллизации г оставитель В. М. Крол актор С, А. Барсуков А. Кудрявицкая Корректор П А. Евдокимо Поди: к печ 6.11-62 гЗак. 1242 Формат бум 7 Тираж 1250 рп Комитете по делампри Совете Министр сква, Центр, М. Черкас8 изд л а 4 коп м О зобрстенииов СССРкий пер.,и открытий 2/6 ипограФия ЦБТИ Комитета пр. Советс Министров о делам изобрстений и откры ий СР, Москва, Петровка, 4. 1) Выращенный монокристалл заданной формы исключает необходимость выращивания крупных монокристаллов-блоков,2) Значительно упрощается последующая холодная обработка кристалла и получение заданного изделия.3) Способ допускает одновременное выращивание из одной ванны нескольких заготовок.Схема установки для выращивания из расплава кристаллов заданной формы...

Номер патента: 506821

Опубликовано: 15.03.1976

Автор: Кудрявцев

МПК: G01V 3/18

Метки: генераторной, катушки, магнитного, момента, сердечником, стабилизации, ферромагнитным

...лот. е. квадрат параметрауказывает во сколько раз магнитный момент сердечника превосходит магнитный момент обмотки с током. Отношение777 оУможно определить расчет 777 о/ным путем или из эксперимента,На основании формул (4) и (5) имеемт=(а(7) причем Я.=1, - 1,о - изменение индуктивности катушки под влиянием внешней среды (вносимая индуктивность) .Пусть последовательно с катушкой включен резистор, величиной сопротивления которого можно распоряжаться; силы тока тогда вы- ражаются г г Уг+ г(го+и,Ру" йг+.г где е; - постоянная по амплитуде э,д,с. питания; в - ее круговая частота; Й=Йр+Йю+Й; - суммарное активное сопротивление резистора (Я ), катушки (Ло) и источника питания ф;) .4Напряжение питания О=а; - 1 К; изменяет.ся с ростом...

Номер патента: 631848

Опубликовано: 05.11.1978

Автор: Воеводин

МПК: G01R 33/02

Метки: гармоническая, индукции, к-ой, катушка, магнитного, магнитной, плоского, поля, производной

...поверхности 4 клиновиднь х секций и образуют контур, описываемыйгармоническим законом, полупериод ко2%Уторого равен, где Р - расстояние от виткч (нч чертеже не показано) до оси каркаса; В - числосекций, Таким образом, витки при намотке остаются эквидистантными цилиндрической поверхности каркаса,Известно, что для плоского потенциального магнитного поля, не зависящего,например, от координаты "у", радиальная составляющая магнитный индукции в15цилиндрической системе координат,с) В = Е - ,) СОВ(К+4)с+ о К с 1 ХР=о Если в такое поле поместить гармоническую катушку, на поверхности которой25 нанесены витки, контуры которых воспроизводят гармоническую функцию, магнитный поток, пронизь 1 вающий один виток,аЬ-Е вЬ -И (З 1 где Е - длина в...

Номер патента: 2001449

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Цаплин

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: доменах, информации, магнитного, магнитных, накопителя, поля, управляющего, формирователь, цилиндрических

...совпадает с осью симметрии кристаллодержателя, расположены между слоями витков второй катушки,Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что заявляемый ИУП НИ нэ ЦМД отличается тем, что 5 10 15 20 25 30 35 40 витки катушки, ось симметрии которой совпадает с осью симметрии кристаллодержателя, расположены между слоями витков второй катушки,ИУП работает следующим образом.При протекании по катушкам индуктивности токов, близких по форме к синусоидальной, сдвинутых на 90, в объеме, охваченном катушками, возбуждается плоское однородное вращающееся поле, обеспечивающее продвижение ЦМД. Благодаря размещению витков одной иэ катушек между слоями витков другой удается получить равные значения индуктивностей при намотке...