Поверхностной ионизацией

Номер патента: 883726

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Герасимов, Корнеев

МПК: G01N 23/207

Метки: внешнего, дифракционного, зеркала, излучения, исследования, объектов, отражения, полного, пучке, рентгеновского, установки

...ось пучка. При этом блок зеркала 3 полного внешнего отражения ус фтанавливают таким образом, что зеркало 10 располагается на уровне, выше предполагаемого пучка ретгеновскогоизлучения. Одновременно с помощьюсредств 15 наклона двух задних опор6 платформы 5 ось пучка рентгеновского излучения устанавливают параллельно продольной оси отражающей поверхности зеркала 10, и, следовательно, .перпендикулярно линии, на которой26расположены. точки контакта задних опор 6, имеющих одну степень свободы. С помощью средств 15 устанавливают плоскость зеркала 10 так, что ее образующая, параллельная попереч- н ной оси, располагается в горизонтальной плоскости, т.е, перпендикулярно плоскости фокусировки рентгеновского пучка зеркалом 3 полного внешнего...

Номер патента: 1496614

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Глазков, Лобанов

МПК: H01J 3/04, H05H 7/00

Метки: ионно-оптическая, ионов, источника, плазменного

...отверстиемдиаметром й = 0,25-0,40 и выполне,ние выходного электрода линзы длиной .10,2-0,3 П, где 0 - апертура линзы,приводят к такому распределению радиальной компоненты Еэлектрическогополя в последнем ускоряющем зазорелинзы, что осуществляется согласование пространства линзы с ионнооптическими характеристиками пчка,поступающего на ее вход. При этомформируется пучок с малым эффективным эмиттансом правильной эллиптической .формы, В то же время в аналогич"ных ионно-оптических системах, содержащих одиночные линзы, фазовыйпортрет пучка частиц имеет Я-образнуюформу, что соответствует большемуэффективному эмиттансу,Формула и э о б р е т е н и я Ионно-оптическая система плазменного источника ионов, выполненная в виде одиночной...

Номер патента: 1507195

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Волков, Дятлов, Кияшко, Корнилов, Митина

МПК: H05H 5/00

Метки: генерации, ионов, пучка

...магнитного поля остроугольной геометрии по данному способу г ускоряющем зазоре создается 1 бплазма с заданными параметрами и обеспечиваются необходимые условия длягенерации сильноточных ионных пучковВ качестве газообразного рабочеговещества по предлагаемому способу мо - Огут быть использованы различные газы, напускаемые импульсным натекателем в диодный промежуток, либо парыразличных веществ, содержащихся вконденсированном состоянии на поверхности мишени, облучаемой импульсным лазерным излучением. Для обеспечения требуемого режима испарения интенсивность лазерного иэлученця с 1 (Вт/и ) должна удовлетворятьсоотношению (3),Практическая реализация способапоясняется схемами ца фиги 2.Для генерации сильцоточцых пучковионов газообразных...

Номер патента: 1638220

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Войтенко, Заславский, Санфиров

МПК: C30B 23/08

Метки: источник, молекулярных, пучков

...температуры, обусловленной радиапьнымградиентом температур. Седло 4 поджи- ффеф мают к тиглю 1 при помощи упругого фф элемента из нитрида бора, выполненно- (1 го в виде трубы 6 с поперечными про- (ф резями 7. При сборке источника трубу Я 6 сжимают так, что при любых изменениях температуры в пределах рабочегодиапазона она остается в сжатом состоянии. Кроме того, упругое состояние трубы 6 обеспечивается наличием вкорпусе 8 снизу вставки 9, а сверху тигель 1 зафиксирован лапками 10.Источник молекулярных пучков рабо"аю 3 тает следующим образом.В тигель 1 загружают исходное ве- щество и размещают источник в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии Тигель 1 нагревают,16 38220 Составитель Н. ДавыдТехред Л Сердюкова рректор Н...

Номер патента: 1790314

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Осипов, Чесноков

МПК: H01J 27/00

Метки: газоразрядного, ионно-оптическая, ионов, источника, широкоапертурная

...была бы мала по отношению ктоку ионов, прозрачность сеток должнабыть не менее 95 . Таким образом, сетка 3служит для извлечения и формированияионного пучка, а сетка 4 - для подавления 40электронной эмиссии на коллекторе.В экспериментах использовалисьсетки,изготовленные из проволоки диаметром 2р= 0,2 мм с шагом 5 = 10 мкм и расположенные на расстоянии друг от друга б = 40 мм, 45Расстояние сетки 4 ускоряющего электрода2 до коллектора 5 бсх = 150 мм, а расстояниеот эмиттера ионов 1 до сетки 3 извлекающего электрода 2 бсэ = 20 мм,Даже при высокой геометрической прозрачности и большой электрической прониаемости подавление вториной эмиссии сетки 4 происходит при потенциале Ос300 В, при энергии ионов Оэ 100 к В и ); =- 5 10А/см (по...