Способ изучения кинетики фазового перехода в конденсированных средах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ 32734ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 20 Х 11.1970 ( 1468809,26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 19.Х 1.1971. Бюллетень35Дата опубликования описания 25.1.1972 МПК Ст 01 п 25/12 Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров СССРАвторыизобретения А. Ф. Писарев и Л. К. Лыткин Объединенный институт ядерных исследованийЗаявитель СПОСОБ ИЗУЧЕНИЯ КИНЕТИКИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КОНДЕНСИРОВАННЬ 1 Х СРЕДАХИзобретение относится к методам исследования фазовых переходов в конденсированных средах и может быть использовано при изучении динамики зарождения и роста новых фаз, индуцированных внешними полями. Известны способы изучения кинетики фазовых переходов в конденсированных средах, согласно которым изучаемый кристалл терм остатируют вблизи точки перехода (точкп Кюри), затем накладывают илп снимают внешнее поле и ведут наблюдение за динамикой развития фазового перехода при помощи оптических, калориметрических, рентгенографических и других методов,Недостатком таких способов является то, что наблюдению за кинетикой развития фазового перехода внутри кристалла мешают центры роста новой фазы на поверхности. Это объясняется тем, что внешнее поле смещает точку Кюри на поверхности и внутри кристалла одновременно на одну и ту же величину, а фазовый переход всегда начинается с поверхностных областей кристалла.По предлагаемому способу для устранения влияния поверхностных неоднородностей перед моментом наложения (снятия) внешнего поля, смещающего точку Кюри (Т.) в кристалле, импульсно нагревают (если Т(Тн) или охлаждают (если Т) Ти) поверхность изучаемого кристалла. Таким образом, на поверхности кристалла создаются условия, неблагоприятные для осуществления фазового перехода, а во внутренних областях фазовый переход нмеет место. При Т) Тфазовый переход идет при начальной температуре в термостате выше точки Кюри, а при Т,Т - ниже точки Кюри.Если выбрать кристалл, для которого 10 Т)Ттт (т. е. действие внешнего поля таково,что оно как бы увеличивает температуру фазового перехода), и застабилизировать его температуру Т, близкой к Ттак, что Т,Т, то при импульсном охлаждении поверхности 15 кристалла ее температура понизится на ЛТ.Последующая подача внешнего поля смещает точку Кюри во всем кристалле на величину К Ти. 20 Можно подобрать ЬТ и ЛТи так, что вовсем объеме кристалла будет выполняться условие Т - ,Тн.,Та в поверхностном слое кристалла - условие Т - ХТ,) Т, - л Т. При этом внутренние области кристалла перехо дят в метастабильное состояние, а поверхностный слой остается в стабильном состоянтш. Во внутренних областях кристалла зарождаются и развиваются зародыши новой фазы, тогда как в поверхностном стабильном 30 слое зарождения новой фазы происходить не321734 Предмет изобретения Составитель Г. Борисевич Текред 3. ТараненкоРедактор Н. Корченко Корректор Е. Усова Заказ 3944/14 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раучнская наб., д. 415Типографии, пр. Сапунова, 2 Аналогично моукно подоорать метры для кристалла, у которого Т(Тн.Время задерхкки подачи (снятия) внешнего поля на кристалл относительно момента импульсного изменения температуры поверхности кристалла выбирают в соответствии со временем, необходимым для изменения температуры поверхности на глубину, достаточную для отсечки всех поверхностных дефектов, которые могли бы инициировать фазовый переход. Способ изучения кинетики фазового перехода в конденсированных средах под воздействием внешних полей путем оценки количества возникающих зародышей новой фазы, отличающийся тем, что, с целью устранения влияния поверхностных неоднородностей, поверхность исследуемой среды перед измене нием внешнего поля импульсно охлаждаютили нагревают,
СмотретьЗаявка
1468809
А. Ф. Писарев, Л. К. Лыткин Объединенный институт йдерных исследований
МПК / Метки
МПК: G01N 25/12
Метки: изучения, кинетики, конденсированных, перехода, средах, фазового
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-321734-sposob-izucheniya-kinetiki-fazovogo-perekhoda-v-kondensirovannykh-sredakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изучения кинетики фазового перехода в конденсированных средах</a>
Приспособление для покрытия внутренней поверхности стенок цилиндрических сосудов равномерным слоем питательной среды (агар-агара) для культивирования бактерий
Номер патента: 55031
Опубликовано: 01.01.1939
Автор: Риченко
МПК: C12M 1/24
Метки: агар-агара, бактерий, внутренней, культивирования, питательной, поверхности, покрытия, равномерным, слоем, сосудов, среды, стенок, цилиндрических
...приспособления имеется в виду достигнуть:1) освобождения рабочей силы оточень трудоемких работ, 2) снижения боя посуды и 3) устранения за.мокания пробок как при обкаткеагара, так и при смывке культур.На чертеже фиг, 1 изображает видприспособления спереди, фиг. 2 -вид его сверху и фиг. 3 - боковойвид.Предлагаемое приспособление состоит из установленной на столе 1корытообразной продолговатой столешницы 2, снабженной по бортамрамой 3. Последняя служит основанием для жестких (железных) парныхваликов а, а, Ь, Ь, с, с, располо.е женных перпендикулярно к длиннойоси корыта.Валики установлены в шарикоподшипниках, прикрепленных к рамемедными манжетками. На валики, взадней их части, надеты эластические оболочки (резиновые трубки) б.Один из...
Способ регистрации фазового перехода первого рода в монокристалле
Номер патента: 545908
Опубликовано: 05.02.1977
Автор: Нитц
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристалле, первого, перехода, регистрации, рода, фазового
...рассеяния на каждот зародыше уширена, поэтому диапазон длин волн нейтронов, испытывающих дифракцию на зародышах цовой фазы, значительно больше, чем ца толстых доменах матричной фазы. Вследствие этого в случае достаточно большого числа центров зародышеобразования (дислокаций, примесей, границ доменов) ца пути первичного пучка в точке фазового перехода отношение интенсивности нейтронов, рассеянных на доменах новой фазы к интенсивности рассеяния на доменах матрич545908 Формула изобретения Составитель К. КононовТехред В. Рыбакова Корректор И, Симкина Редактор С, Титова Заказ 124/295 Изд, М 435 Тирак 1054 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Тип,...
Способ определения точки структурного фазового перехода кристаллов
Номер патента: 1272196
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Виноградов, Гасанлы, Мельник, Тагиров
МПК: G01N 21/65
Метки: кристаллов, перехода, структурного, точки, фазового
...помещаютв ячейку 2 высокого давления. Затемв бомбе 3 постепенно увеличиваютдавление при его значении ниже давления,структурного перехода и прикаждой величине приложенного давления кристалл 1 освещают монохроматическим излучением 4 криптононоголазера .через окно 5. Рассеянный свет 6собирают оптической системой 7 сборарассеянного излучения и направляютн спектрометр 8, где и анализируютрассеянный свет,Анализ н спектрометре включаетвыделение односимметричных линий спектра, что осуществляют любым известным способом, например фильтрованием.По мере повьппения давления следят эавзаимным расположением выделенных однОсимметричных линий до появления устойчивого сближения этих выделенныхлиний. И н этом интервале устойчивого сближекия определяют...
Способ получения полупроводниковых приборов на основе соединений типа а в
Номер патента: 599659
Опубликовано: 30.07.1979
МПК: H01L 21/18
Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа
...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...
Штамп для вытяжки полых деталей за два последовательных перехода при одном ходе полузн пресса
Номер патента: 730415
Опубликовано: 30.04.1980
Авторы: Биркин, Кущенко, Якунин
МПК: B21D 22/02
Метки: вытяжки, два, одном, перехода, полузн, полых, последовательных, пресса, ходе, штамп
...штампа, справапромежуточный момент вытяжки; на фиг.23 73041- матрица первого перехода вытяжки;на фиг. 3 - пуансон первого переходавытяжки,Штамп содержит плиту 1, обойму 2,в которой расположены матрица 3 первого перехода, имеющая заходный конический поясок с конусностью 1:10, промежуточное кольцо 4, матрица 5 второгоперехода, пуансон 6 первого перехода,выполненный с обратной конусностью 1 О1:50, внутри которого установлен пуансон 7 второго перехода,Нижняя часть штампа, смонтированнаяна плите 1, устанавливается и закрепляется на столе пресса. Верхняя часть15штампа, смонтированная на пуансоне 7,закрепляется в ползуне пресса,Штамп работает следующим образом,В заладном коническок пояске устанавливается заготовка Р - предварительно 2...
Предыдущий патент: Устройство для рентгеноструктурного анализа
Следующий патент: 321735
Случайный патент: Способ откачки газов