321524

Номер патента: 1468948

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Литовченко, Нечипоренко, Павленко, Петриченко, Семенов, Сомов, Чишкала

МПК: C22C 1/08

Метки: основе, сплавов, тонкой, фильтров

...Редактор И. Сегляник Заказ 1319/26 Тираж 576 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,01 типа, и получение сплава непосредственно в ходе направленной кристаллизации позволяет сформировать волокнистую структуру с большим содержанием волокон второй фазы свинца, следовательно, повысить пористость фильтров, изготовляемых из таких сплавов.Это связано с особенностями условийкристаллизации (кристаллизация сперва одного, а потом другого в отличиеот эвтектических сплавов, где кристаллизуются одновременно обе составляющие).Способ может быть осуществлен 15следующим образом,Из меди и свинца,...

Номер патента: 1460681

Опубликовано: 23.02.1989

Автор: Гринев

МПК: G01N 19/04

Метки: клеевого, прочности, пьезокерамических, соединения

...колебаний будетсдвиговая или крутильная,П р и м е р. Для определения прочности сцепления клея ПД 20, изготовленного по различным рецептам и технологиям обработки (полимериэации),для пьезопреобразователей, работающихна частоте 1 опробовано два методаиспытаний - статический и согласноизобретению, При статическом методеклеющая масса наносится между цилиндрическими хвостовиками, которые помещаются в разрывную машину. По величине силы разрушения и плошади склеиваемых поверхностей рассчитываютпрочность.Исследуют прочность сцепления клеяс керамикой, который изготовлен изодного состава по трем технологическим режимам.Согласно предлагаемому способу всередине пьезокерамического образцаразмерами 100 х 1810 изготавливаютщель шириной 1 О мкм на...

Номер патента: 552338

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Давыдов, Дубинина, Копылов, Космодемьянский, Самородов, Смирнова, Шапник, Шахет, Юхнович

МПК: C08L 13/02

Метки: бутадиенового, карбоксилсодержащего, каучука, клеящий, латекса, основе, состав

...17% в количестве 1 вес, ч, на 100 вес. ч. сухого вещества, тщательно перемешивая. В смесь вводят латекс сополимера бутадиена и метакриловой кислоты СКД-6 той яе концентрации в соотношении 70: 30. В смесь латексов вводят водную дисперсию окиси цинка с концентрацией 50%, содержащую лейканол в качестве стабилизатора, в количестве 5 вес. ч. окиси металла на 100 вес. ч. сухого вещества латекса и перемешивают в течение 10 мин.Загустевшую композицию наносят известным способом на ткань с образованием слоя толщиной около 0,5 мм, ткань соединяют с руном и сушат при 50 - 60 С в сушилке, например типа туннельной. П р и м е р 2, Латекс бутилкаучука с концентрацией 50% загущают водным раствором гидролизованного полиакрилонитрила с кон. центрацией 17%...

Номер патента: 1001306

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Колонский

МПК: H02J 3/24

Метки: линии, межсистемной, отключении, связи, сети, слабой, сохранения, структуры, схеме, устойчивости, цепочечной

...и (2 а), (За), вычислительныеблоки 15 и 16 фиксации предельнойактивной мощности в сечении каждойветви 1-2, 2-3 с полным составом линий по зависимости (9 а), вычислительный блок 17 фиксации предельной активной мощности в сечении ветви3-4 с отключенной линией по зависимости (12 а), вычислительные блоки 18 и 19 Фиксации перетока активной мощности с заданным коэффициентом запаса по",статической устойчивости 60 в сечении каждой ветви 1-2, 2-3 с полным составом линий по зависимости (9), вычислительный блок 20 фик сации перетска активной мощности с заданным коэффициентом запаса по65 статической устойчивости в сечении ветви 3-4 с отключенной линией по зависимости (12), вычислительный блок 21 фиксации ограничения перето ка в сечении ветви 3-4...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...