Электропроводящее покрытие

Номер патента: 141907

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Каштанов, Крыжановский, Кузнецов

МПК: H01B 5/12

Метки: диэлектриков, поверхности, слоя, электропроводящего

...этих слоев находится в пределах 10 - 7070, Покрытый слоем меди диэлектрик подвергают воздействию паров серы при температуре 70 - 90 в закрытом сосуде в течение 0,5 - 5 час в результате чего на поверхности диэлектрика образуется электропроводящий слой, состоящий из сернистых соединений меди, В зависимости от толщины (светопропускания) слоя металлической меди получают электропроводящий слой сернистой меди с удельным поверхностным сопротивлением порядка 10 - 10 ом и светопропусканием в видимой и инфракрасной областях спектра порядка 30 - 90/О, С увеличением сопротивления прозрачность токопроводящего слоя возрастает,Описанный способ дает возможность получать слои, сохраняющие свои электрические и оптические свойства при длительном...

Номер патента: 1093175

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Попов, Сухов

МПК: H01L 21/318

Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур

...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...

Номер патента: 1031367

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вершинина, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: кремний-двуокись, кремния, структур

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 эл см-2.

Номер патента: 336324

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Круглов, Крыжановский

МПК: C03C 17/09, C03C 17/245, C04B 41/51

Метки: диэлектриках, покрытие

...слоя из смеси двуокиси кремния, трехокиси вольфрама и трехокиси молибдена с последующей обработкой в атмосфере водорода лри 400 - 800 С, причем исходный слой ЯОг - МоОз - %0 з наносят путем гидролиза смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты Я (ОСгН 5) 4, пятихлористого молибдена и шестихлористого вольфрама, растворенных в спирте (в случае использования диэлектриков с пониженной термостойкостью, например силикатных стекол и др., восстановлениедороде следует проводить в разряде прниженном давлении);2 - одновременное нанесение в вак5 молибдена, двуокиси кремния и вольфэлектроннолучевым испарением.Предлагаемый состав позволяет полупокрытие с удельным поверхностным сотивлением 10 - 10 ом и светопропуска0 от 10 до 75%.Эти покрытия...

Номер патента: 180670

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Крыжановскин

МПК: H01B 5/14, H05K 3/18

Метки: диэлектриков, поверхности, слоя, электропроводящего

...статических зарядов с поверхности органических и неорганических диэлектриков и нагрева смотровых органических с 1:.кол. Способ получения на поверхности д тектриков электропроводяиего слоя, прюера н"г: В видимой ооласти спектра, путех Вак .ного испарения проводящ;го вещества с пос,1 едлю. щей тепловой его абра .Тко 1, от.нч.юшин, ". тем, что, с 1 елью урощсния технхо 1 и:,диэлектрик ца 1.осят слоГ ссленида м л; и следующуо об 11 ботку 1;о:вводят в:,гм ,"с ре газоооразцого ислорода. с присоединением заявки М 1Известные способы получения на поверхности диэлектриков электр опроводя щего слоя путем вакуумного испарения проводящего вещества (например, металлургической мед: илц сульфида мели) с последующей тепловой 5 обработкой в парах серы...