Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя

Номер патента: 180670

Автор: Крыжановскин

ZIP архив

Текст

Союз Сссесних Социалистических Республин/ф л т д и иит И Ь ТОРС.(С,.У С И.сс-,.ЬСТЗУ аисимос от авт. свидетельства .Ъ 1(л. 21 с, 2/34 Заявгецо ЗО.Ъ,1963 (Лс 839425/24-7) ЪД(. 666,1.266.3 ( 088.8) ; л, - ;ПО.:"ЖП 1 Р МП 1( Н 01 Ь ПриоритетОпубликовано 26.111,1966. Боллетець М 8Дата опублкования описания 11 Х 19 бб Комитет ло делам изобретений и открытий три Совете Министров СССРАвторизобретения Б. П. Крыжановский. явите. УЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ ОСОБ1электрических и оптических свойств при нагреве в атмосфере воздуха до 80 - 90 С. 1 лительный нагрев выше этих температур неооратимо уменьшает проводимость вследствиеокисления селепида кислородом.Длительное пропускание как переменного,так и постоянного тока це меняет свойств1слоя. В среде жидкого азота слои выдерживают плотность тока до 50 а/лл 1-,Электропроводящие слои селенида меди тгут быть использованы для создания электр .ловннесцентных конденсаторов на основе органических стекол и гибких полимеров, дляснятия вредных статических зарядов с поверхности органических и неорганических диэлектриков и нагрева смотровых органических с 1:.кол. Способ получения на поверхности д тектриков электропроводяиего слоя, прюера н"г: В видимой ооласти спектра, путех Вак .ного испарения проводящ;го вещества с пос,1 едлю. щей тепловой его абра .Тко 1, от.нч.юшин, ". тем, что, с 1 елью урощсния технхо 1 и:,диэлектрик ца 1.осят слоГ ссленида м л; и следующуо об 11 ботку 1;о:вводят в:,гм ,"с ре газоооразцого ислорода. с присоединением заявки М 1Известные способы получения на поверхности диэлектриков электр опроводя щего слоя путем вакуумного испарения проводящего вещества (например, металлургической мед: илц сульфида мели) с последующей тепловой 5 обработкой в парах серы треоуют сложного оборудования и могут привести к образованию окисной пленки на поверхности медного зеркала, снижающей проводимость покрытия,Особенность предложенного способа состоит 10 в том, что на диэлектрик наносят слой селенида меди н последующую тепловую ооработку производят в атмосфере газообразного кислорода. Это упрощает техцологию обработки и улучшает качество покрытия; 15На диэлектрик исд 1 решем в вакууме (10 4 - 10 в.1, рт. ст.) наносят слой селецида медн следующего стехиометрического состава: Спе 5 е 1,0 - 1,3, затем .этот слой прогревают на воздухе при тсмпературе 70 - 90 С в течение 20 1 - 2 час. Леняя толщину слоя (0,05 - 0,3 .к), можно получать слои со светопропусканием в видимой области спектра 30 - 80 и и с удельным поверхностны:сопротивле 1 цем 10 - 1 Оа о,. 25Удельное обьехцос сопротивление достигает 10"а - 10-4 оп/сз. Слой с удельиым поверхностьм сопротивлением 100 ол пропускает до 70 - 75% ви;имого света. Токопроводящие слои солецида меди це меняют своих 30 редмет изобретения

Смотреть

Заявка

839425

Б. П. Крыжановскин

МПК / Метки

МПК: H01B 5/14, H05K 3/18

Метки: диэлектриков, поверхности, слоя, электропроводящего

Опубликовано: 01.01.1966

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-180670-sposob-polucheniya-na-poverkhnosti-diehlektrikov-ehlektroprovodyashhego-sloya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя</a>

Похожие патенты