Способ изготовления криотронных схем

305832 Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ависимое видетельства 8 ( 125758 ав Заявлено 19.И 26-9 51 3,1 О с присоединением заявки Ъ ПриоритетОпубликовЕнЕО 26.Х.1973. Бюллетень М асударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изооретенийи открытий УДК 621,3.049,756.111.194 Дата опубликования оннсдння Авторыизобретения И М, Т. Костыши П. ф кибернетики полупроводн Е. В. Михаиловская, В,Романенко тро итович,Инсти АН Украинскоиков АН Украин аявители ПОСОБ ИЗГОТО ИЯ КРИОТРОННЫХ СХЕМА лото ели сереОро) ) слой активного ма Аз 25;, и др.), вступ акцию со слоем за под действием све излучения, облучаю тем удаляют травл иным Образом сло продукты рсдкцнн, удаляют незащище ляЕцего материала слой защитного мст изолирующий н сле ляЕцего материала. наносят тонкнн (напрнмер РЬ 1 еьхимическую реметаллд только кого-либо иного ную систему, залп каким-либо ого материала н ным травнтслсм сткн свсрхнровоэто необходимо, еле чего наносят слой сверхпровона неготерналаающего вщнтн огое Еле кат получененнемй актнвншые учаи, сслналла, под лощнй НапесенпримепыляетивноребраслойЕЕЛЕскуюдейстрентгоблучем нслойческу Изобретение относится к области микроэлектроники и может использоваться для построения многослойных криотронных схем с элементами микронных и субмикронных размеров.Известный способ изготовления криотронных схем состоит в том, что сверхпроводящне и изолирующие материалы напыляют в вакууме через механические маски. 3 Ечп способ прост, но не позволяет изготавливать криотронные элементы малых размеров. Известен также способ изготовления криотронов малых размеров с применением фоторезиста. В этом случае на подложку напыляют равномерный слой металла (например олова или свинца), наносят на нее фоторезист, который экспонируют через трафарет, и после удаления неполимеризовавшихся участков получают окна в фоторезисте. Травлением металла через окна получают пленки необходимой конфигурации, после чего фоторезист удаляют. С помощью фотолитографии изготавливают криотроны малых размеров, но для этого требуется большое количество технологических операций.Цель изобретения - повысить точность изготовления схем.Достигается это тем, что на слой сверхпроводящего материала требуемой толщины напыляют тонкий защитный слой металла (зоССР и Институ 1" "ой ССР подложку плн промежуточный слой наслой сверхпроводящего материала (нар, олова нлн свшща). На этот слой ндтся тонкий защнтнын слой нз малоакго материала, например золота нлн сстолщиной 30 - 150 нм, а на него активного материала, например Р 1 Е 1, 1 эЯ;нгЕн Азе, встпдЕощего в хнмнчереакцию с защитным слоем только нол вием какого-либо излучения, например еновского, илЕ потод элект 1 онов. После ения системы рентгеновским нзлученнпотоком электронов защитный слой н активного материала вступают в кинцо реакцшо в местях облучения,Корректор В. Брыксииа Релактор В. Дибобес Заказ 6)18)4 Изд, Чо 176 Тира)к 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3лдя 1 т) а В 1 1111 )1, ",б 15 м И 1 О )1111-"1 11) и едких.4 ИОО ппы и спосооом мдтс 1)п.: Слоя п,) )ктивпого материала и п)одукты рсакциР В местях облучения, получают защитный слой сооходимой копфигурацп. С ИОмоц ю сслскиВИОГО растворисля чсрсз Окна В здц 11- пом слое вытравливают незащищенные удстки сверхпроводящего материала. После этого прп необходимости удаляют слой защитного материала. Предмет изобретенияСпособ изготовления криотронных схем, ос. нованный на покрытии слоя сверхпроводящего материала защитным слоем, требуемой копфпгу)дции, травленп свободных от здЦ 1 НОО ( .1 к)1,)ае),ОГ, СГ.1) П 1)15) )1 Ц 1 ) ,5 Д Ордлд и у.дгсипи лдцпИ)г) с 5)1, от,инин)- иийся тем, что, с целью повышения точности изготовления схем, защитный слой получд)т 5 ппссспсм п 1 свс 1)хиРОВО;ЯИ),й .11;с)и 1,1пленки мял)активного материала, и;рмер золота или серебра, покрытием указанной пленки слоем активного материала, например РЬ 1 или ЛВ 25 з, вступающим в химчсскуо 10 реакцию с малоактивпым материалом поддействием излучения, например рентгеновского, или потока электронов, облучают активный материал через маску и удаляют, например травлением, слой активного вещества и про дукты реакции с участков, подвергнутых об)- Л УЧЕРПО.