Запоминающий элемент

Номер патента: 968853

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Добролюбов, Пивоваров

МПК: G11C 11/08

Метки: информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент

...каждого отверстия до ближайших боковых граней сердечника, расстояние между осями отверстий записи и опроса выполнено равным 1,10-0,05 полусуммы их диаметров.На чертеже изображена конструкция предложенного магнитного элемента.Магнитный элемент с неразрушаюшим считыванием информации содержит сердечник 1 типа биакс с отверстиями записи 2 и опроса 3, оси которых ортогональны, Отверстие 2 записи прошито разрядной обмоткой 4, объединенной с выходной обмоткой, а отверстие 3 опроса прошито35 числовой обмоткой 5, объединенной с обмоткой опроса.Отверстие 2 записи образует с боковыми гранями сердечника одинаковые по ширине перемычки 6 и 7, Также одинако 40 вы по ширине перемычки 8 и 9, образованные отверстием опроса 3 и боковыми гранями....

Номер патента: 1287231

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, записи, информации, канальном, моп-транзисторе, памяти, элемент

...электронов из объемной части истокового р-и перехода в объем подложки, В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает.Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем,нием и окислом.Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция иэ канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.Вторичный пробой стокового р-и пе рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на...

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 511629

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Погребной, Шойфер

МПК: G11C 11/08

Метки: информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент

...опроса, Разрядная обмотка 5 обьединена с выходной обмоткойи прохэаит через отверстие записи 3.Отверстие опроса 2 образует в боковыхгранях перемычки 6-8. Отверстие записи153 образует в бокэвых гранях перемычки9-11. Ширина перемычек 6 и 7 одинакова,Этэ относится и к перемычкам 9, 10, Ширина перемычки 8 до ближайшей из не имеющих отверстий граней 12 и перемычки 1120дс аналогичной грани 13 превышает, например, в 1,5 раза соответственно ширину перемычек 6,7 и 9,10Элемент работает следующим образом,Запись информации осуществляют путемподачи по обмотке 4 последовательнос "разнэпэлярных импульсов адресногэ тока 12одновременно с разрядным током 1), который подают пэ эбмотке 5,Неразрушающеесчить 1 вание осуществляют путем подачи пэобмотке 4...

Номер патента: 468301

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Клочко, Лавриненко, Мартынюк

МПК: G11C 7/00

Метки: двухсекционном, записи, запоминающем, информации, пьезотрансформаторном, сегнето, элементе

...элемент:)в присчичыванпи информации, что наклядь 5 вт)ето) ряпичеши схемно-технического харак.5 еря, Кролте того, при использовании пзвестпото способа для обеспечения селективнойвыборки элементов при зянисн информациинеобходил)о соответствующим образм с )едпнпть между собой экрянирунтшие э1 к)лы зя)кчмп)тяк)ыи)5 элРмРнтов, ч 1 о 9)вает сравнительную сложность схем генераторной секции элемента,о секцию (секцию возбуждения) лщульсы напряжения, амплитуду 5которых выбирают достаточнойпения направления поляризации ф . изображен двухсекционныйо-пьезоэлектрический запоминающийтт; На фИГ. 2 - ДиаГРал 5 Ма НаПРЯжЕшси 1,1, на фиг, 3 - диаграммаения возбуждения 0воэимпульсов. Под действием этого напряжения уменьшается величина напряжения,...