296149

Номер патента: 1499622

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, поверхностей, полирования, химико-механического

...способствует более быстрому цболее качественному выхаживан 11 юпорр ,1верхцос ти , подавляется ормир ова ни 8на 6 о в ерхнос ти твердого тела О кис ныхи гидр о О кис ных пленок з а счет пр еимущественноГО Образования р а с ТБ О )и45МЫХ КОМПХЕЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЙ С ЭЛЕ"ментамц обрабатываемого материала.Примеры 1-9 выполняют ИЕ)и следую"щих постоянных режимах полирования5 ОЧастота вращения,полнровальникаУдельное дантление на цлас 100-150 г/смтиныРасход полнрующего состЕРИ ПОЛИРОПКЕ(пластиныпредварцтельцообработаны сйободиьп 1 абразивом зернистостью 5 мкм) 10-15 мкм,П р и и е р 1, Для полированияпластин фосфида индия и-типа ориентации (100) используют полируюпфе 1состав, ца 1 л воцы в котором приходится 200 г Б)0)р 80 мл глицерина,60 мл...

Номер патента: 255794

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Халин

МПК: B24B 37/04

Метки: доводки, пластин, плоских, плоскопараллельных, поверхностей

...по направляющим штоком 10. Сепаратор-притир 9 имеет несколько отверстий 11, в которые вставляются приспособления 12 так, что они частично выступают за ширину рабочего диска. 25В приспособлении клеем закрепляется обрабатываемая пластина 18. Сепаратор-притир находится в зацеплении с шестерней 2 и шестерней 14, неподвижно сидящей на станине 15. Такая кинематика зацепления обеспе- Зо чивает сложное движение приспособления по рабочему диску, взаимную правку и износ рабочих поверхностей диска и приспособления. Этим достигается хорошее качество шлифуемых или притираемых плоскостей пластин.Устройство работает следующим образом. Пластины 13, рассортированные по толщине, наклеиваются на притертые поверхности штоков 10. Каждый шток перед...

Номер патента: 637241

Опубликовано: 15.12.1978

Автор: Халин

МПК: B24B 37/04

Метки: доводки, пластин, плоских, плоскопараллельных, поверхностей

...фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2 - ттриспособленне для крепления обрабатываемых пластин; разрез; на фиг. 3 - то же, вид сверху.1 риспособление 6 состоит иэ штока Ь, перемещающегося по направляющим, выполненным в виде упругого опорного кольца 9, шпонки-гайки 10, винта 11 и разрезного пружинного кольца 12. Шпона- У гайка 10, введенная в продольный паэ 13 штока, с винтом 11 фиксируют положение штока по высоте относительно основания кольца 9. Упругое опорное кольцо 9 выполнено с продольными гофрами 14 на на-В ружной и внутренней поверхностях, расположенными симметрично, отверстию под.винт, и с кольцевой канавкой 15 под разрезное пружинное кольцо 12, Кольцо 12, помещенное в канавку 15 заподлицо с на- И...

Номер патента: 1099255

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Александров, Алесковский, Сомсиков, Толстой

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированных, диэлектриков, исследования, пластин, поверхности, полупроводников, сверхтонких, слоев, спектроскопического

...направляют на пластину со слоем под угломас 1 ф о э,где нэ - показатель преломления пластины без слоя, и регистрируют многократно прошедшее через пластину со слоем излучение.Заказ 4365/37 Тираж 823 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патентф; г. Ужгород, ул. Проектная,4 соответствующую органическим загрязнениям. Промывают пластину СС 6, Я 0и вновь регистрируют спектр в выбранной области (полосы поглощения в области 2940 см"отсутствуют). Наоснове данных результатов удаетсясделать вывод об эффективности отсевки. П р и м е р 2. Пластину кремния диаметром 60 мм и толщиной 350 мкм помещают в держателе на плато приставки к спектрофотометру...

Номер патента: 1085390

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...потенциалов между зондами от удельного сопротивления исследованных полупроводников КЭФ и КДБ,Устройство для определения типа проводимости (фиг. 1) состоит из двух обкладок 1 конденсатора, между которыми помещена исследуемая пластина 2 полупроводника, изолированная от них диэлектрическими пленками 3. Свободная поверхность пластины полупроводника длиною Ь находится вне обкладок конденсатора. На ней установлены два металлических зонда 4, подсоединенные к вольтметру 5 постоянного напряжения, а конденсатор подключен к высокочастотному генератору 6.Переменное электрическое поле наводится конденсатором в локальной обЛасти полупроводника. Оно вызывает колебательное движение свободных носителей заряда и ионов примеси, Так как последние...