Мультивибратор

Номер патента: 673941

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, модель, полевого, транзистора

...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Номер патента: 288126

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гельбин, Гура, Иванов, Изобретелн, Кириченко, Коваленко, Красик, Кулаков, Лахманов, Марсюк, Раппопорт, Явостенко

МПК: H03K 17/74

Метки: искробезопасности, источников, обеспечения, питаниявыходных, цепей

...гштангя, поясняющая сущность описываемого способа, где Е - источник питания; ОЭ - индуктивный измерительный элемент; ТТе - быстродействующие тирпсторные ключи; К - ключ; С - конденсатор; Л - ЗО сопротивление нагрузки. После срабатывания защитного устроиства, включения тпрпстора Т, и выключения тиристора Т, источник питания оплючается, вызывая тем самым выклОчение тпрпстора Т, и, следовательно, восстановление защитных свойств. После этого происходит плагпое увеличение напряжения на зажимы источника питания со скоростью, которая недостаточна для повторного срабатывания защиты и включения тпрпстора Т если в этом интервале времени не происходит коммутации нагрузки. Плавное увслпче 1 пе напряжения питания осуществляется специальным...

Номер патента: 678576

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Пархоменко, Сементовский, Черкесов

МПК: H02H 3/00

Метки: вторичной, защиты, обрыва, трансформатора, цепи

...защиты,имеющей полупроводниковый пороговыйэлемент, ограничительные резисторыи реле. Пороговый элемент выполнен на тиристоре, подключенномуправляющим электродом к аноду стабилитрона, катод которого подключенч;";ез ограничительный резистор к:содому выходу диодного моста ичерез нагрузку к аноду тиристора,катод которого подключен к минусовому выходу диодного моста, подключенного входами ко вторичной обмотке трансформатора, при этом рабочаяобмотка реле включена через конденсатор и контакты кнопки параллельноактивной нагрузке тиристора, отбойная обмотка подключена через нормально открытыэ контакты кнопки к выходам диодного моста, а вторичнаяобмотка трансформатора тока шунтиро+вана последовательно соединенныминормально открытыми контактами...