Емкостный настроечный элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМПК Н 01 р 5/О 4/26-9 Комитет по делам изобретений и открытий(088.8) Опубликовано 22.Х.1970. Бюллетеньза 197Дата опубликования описания 16.11,1971 Авторыизобретен Б, Ю. Капилевич явител МКОСТНЪй НАСТ ЧН ЛЕМЕН з- ду Заявлено 071969 ( 129 присоединением заявкириоритет Изобретение относится к радиотехнике сверхвысоких частот и может найти примене.ние в антенно-волноводной технике.Известны ем костные настроечные элементы, выполненные в виде штыря.5Описываемое устройство отличается от и вестных тем, что воздушный зазор меж широкой стенкой волновода и штырем заполнен неоднородным диэлектриком, причем основная часть зазора заполнена диэлектриком 10 с диэлектрической проницаемостью на порядок выше, чем у диэлектрика, заполняющего оставшуюся часть зазора, что значительно повышает электрическую прочность при сохранении величины емкостной проводимости. 15На чертеже показана конструкция предлагаемого устройства.Емкостный настроечный элемент содержит волновод 1, емкостный штырь 2, диэлектрический стакан 8 и диэлектрическую шайбу 4. 20Диэлектрическая шайба изготовляется из материала с большим значением диэлектрической проницаемости (е - 15 - 20) и малым значением тангенса угла диэлектрических потерь (1 дбз= 5 10-4). Диаметр шайбы дол жен быть несколько больше диаметра реактивного штыря, Высота диэлектрической шайбы подбирается экспериментально с таким расчетом, чтобы заполнить не менее 90% высоты зазора между штырем и стенкой вол тГМ . щь м м а Н. М, Парамонов ) новода. Шайба приклеивается к стенке волновода клеем БФ.Диэлектрический стакан изготовляется из СВЧ-диэлектрика с небольшим значениемдиэлектрической проницаемости (е - 2 - 3). Внутренний диаметр стакана должен быть равен или на 0,2 ял больше диаметра штыря, Толщина его дна меньше нли равна воздушному зазору между штырем и диэлектрической шайбой, Диэлектрический стакан приклеивается к шайбе. Соприкасающиеся плоскости шайбы и дна диэлектрического стакана должны быть достаточно хорошо притерты. В стакан примерно на 13 его высоты заливается сравнительно быстро затвердевающий диэлектрик с достаточно хорошей текучестью (например, растворенный полистирол), После этого в волновод погружается реактивный штырь, подстраивается согласование волноводной системы и выдерживается до полного затвердеванпя жидкого диэлектрика.В эксперименте реактивный штырь используется для согласования ферритового фазовращателя с прямоугольным волноводом. До заполнения диэлектриком воздушного зазора между штырем и широкой стенкой волновода обеспечивается заданный уровень согласования фазовращателя с волноводом при воздушном зазоре 0,8 лил (диаметр штыря290358 Предмет изобретения Составитель Л. Рубинчик Редактор Т, И, Морозова Техред А. А. Камышникова Корректор Л. А. ЦарьковаИзд.02 Заказ 57/8 Тирая 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Сове Министров СССРМосква, 7 К, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 8 мм), при этом электрический пробой дается при пиковой мощности порядка 10 квт.Для увеличения электрической прочности штыря в качестве материала диэлектрической шайбы используется СВЧ-керамика с 8=16, а ее диаметр выбирается равные 10 мм. Тот же уровень согласования фазовращателя сволноводом, который был получен до заполнения зазора диэлектриком, обеспечивается при высоте диэлектрической шайбы, равной 4,8 мм; при этом воздушный зазор между штырем и шайбой остается равным порядка 0,5 мм.Диэлектрический стакан изготовляется из полистирола с внутренним диаметром 8 мм и толщиной дна 0,2 мм, В стакан заливается растворенный в дихлорэтане полистирол, после чего производится подстройка согласования фазовращателя. После затвердевания полистирола уровень согласования изменяется не более, чем н; 0,05 от первоначального значения КБВ=0,9.Призаливке жидким диэлектриком всего зазора между штырем и широкой стенкой волновода по мере его затвердевания уровень согласования падает от КБВ = 0,9, когда диэлектрик жидкий, и до КБВ=О,З, когда диэлектрик затвердевает.Испытания показали, что предлагаемая конструкция позволяет увеличить электрическую прочность емкостного штыря до 100 - 110 кв, а заполнение большей части зазора твердым диэлектриком с высоким значением в обеспечивает практическую неизменность уровня согласования при затвердевании жидкого диэлектрика. Емкостный настроечный элемент, выполненный в виде штыря, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности при сохранении величины емкостной проводимости, воздушный зазор между штырем и широкой стенкой волновода заполнен 20 неоднородным диэлектриком, например двухслойным, причем основная часть зазора заполнена диэлектриком с диэлектрической проницаемостью на порядок выше, чем диэлектрик, заполняющий оставшуюся часть за вора.
СмотретьЗаявка
1295424
Ю. Капилевич, А. М. Парамонов
МПК / Метки
МПК: H01P 5/04
Метки: емкостный, настроечный, элемент
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-290358-emkostnyjj-nastroechnyjj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Емкостный настроечный элемент</a>
Предыдущий патент: Переменная нагрузка
Следующий патент: Трансформатор напряжения
Случайный патент: Транспортная шина с. с. сергеева для иммобилизации верхней конечности