Устройство для формирования разрядных токовзаписи

ОПИСАН ИЕ 270794ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскнк Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельства М явлено 24,.1969 (Лто 1300136/18-24 ч. 21 ат, 36/О ением заявкис присо МПК Н 031 с Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министров СССРПриоритетОпубликовано 12,7,1970, Бюллетень Ло 17 Дата опубликования описания 13.Л 11.1970 К 681.327.66(088,8) т.т. 1;С 1 т 1 л. .11 ЛТ Н ОТ 1 Х 1 ИЧ"С;АЯ Авторизобретени В. Е, Хав витель БКБ.1 ИОТЕ СТРО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ РАЗАПИСИ ЫХ ТОКО Изобретение относится к области запоминающих устройств. Известны устройства для формирования разрядных токов записи, содержащие два формирователя импульсов разрядного тока, которые используются в запоминающих устройствах (ЗУ) с мостовой схемой включения разрядного провода, а для приведения сигналов в таких ЗУ, считанных с двух плеч моста, к одной полярности применяются токи записи положительной и отрицательной полярности. Недостатком такой схемы включения является необходимость формирования и коммутации разрядных токов записи двойной амплитуды,Цель изобретения - создание устройства для формирования разрядных токов записи в интегральном исполнении на базе гибридно- пленочной технологии с использованием современных бескорпусных транзисторв, например, типа МТКБ, т. е. создание малогабаритного устройства с повышенной устойчивостью.Предлагаемое устройство отличается тем, что каждый формирователь содержит два выходных каскада, например, на бескорпусных транзисторах, коллекторы транзисторов выходных каскадов первого формирователя через токозадающпе резисторы, например, напыленные па изоляционную подложку, соедине ы с и"топиком положительного напряжения, их эмиттеры связаны с коллекторами транзисторов выходных каскадов второго формирователя, эмцттеры которых, в свою очередь, через токозадающце резисторы сое дцпены с источником отрицательного напряжения.На чертеже представлена принципиальнаясхема предлагаемого устройства. Две половины 1 и 2 разрядной обмотки каждого раз ряда магнитного накопителя включены по мостовоц схеме ц соединены на одном конце с землей, на другом - с дцфферепццальным входом усилителя считывания ц согласующими резисторами 3 п .1 с сопротивлением, рав ным волноьому сопротивлению разрядной линии. Схемы на транзисторах 5 - 10 представляют собоц двухкаскадные формирователи двухполярных импульсов разрядного тока записи, для чего коллекторы транзисторов вы ходного каскада первого формирователя черезтокозадающце резисторы 11 и 12 соединены с источником положительного напряжения +Ер, а эмцттеры транзисторов выходного каскада второго формирователя также через 25 токозадаюшие резисторы 13 ц 14 соединеныс источником отрицательного напряжения.Эмцттер транзистора 5 и коллектор транзистора 8 присоединены к концу одной половины разрядной обмотки, а эмиттер транзц стора б ц коллектор транзистора 9 - к концуг270794 оаа 220 Тираж 480 ИИП Подписное ипография, пр, Сапунова, 2 другой половины разрядной обмотки. Управление включением транзисторов 5 и 7 осуществляется общим запускающим каскадом, собранным на транзисторе 7 и трансформаторе 1 б, имеющем две раздельные вторичные обмотки,Аналогично формирователи отрицательных импульсов на транзисторах 8 и 9 управляются общим запускающим каскадом на транзисторе 10 и трансформаторе 1 б.Для записи 1 в половину разрядной обмотки 1 или О в половину разрядной обмотки 2 подается управляющий импульс на базу транзистора 7. Тогда открываются транзисторы б и б, формирующие положительные импульсы тока записи, каждый для своей половины разрядной обмотки. При равенстве сопротивлений резисторов 11 и 10 происходит полная компеисация . помехи от записи на .входе усилителя считывания. Аналогичным образом работает схема при записи О в половину разрядной обмотки 1 или 1 в половину разрядной обмотки 2. При этом отрицательные импульсы тока записи формируются транзисторами 8 и 9.Таким образом, предлагаемое устройство позволяет при сохранении всех преимуществ мостовой схемы включения разрядной обмотки уменьшить в два раза ток, формируемый каждым отдельным транзистором, и в тричетыре раза - рассеиваемую на нем мощность. Кроме того, напряжение, которое может быть приложено к закрытому транзистору, составляет не 2 Ер, а только 1,3 Ер за счет включения делителя, составленного из резисторов, например 8 и 11, и волнового сопротивления разрядной обмотки р для случая формирования положительного импульса.В результате можно применять бескорпусные транзисторы, например, типа МТКБдля запоминающих устройств с токами разрядной записи в каждой половине разрядной обмотки до 0,035 а и напряжением источника разрядной записи дов. Такое решение обеспечивает возможностьинтегрализации устройств разрядной записи на базе применения тонкопленочной интегральной технологии. Предлагаемая схема 5 позволяет резко уменьшить габариты современных ЗУ, несмотря на увеличение в два раза количества транзисторов в устройстве формирования разрядных токов записи, а также унифицировать конструкцию и технологию 10 изготовления.В ряде случаев, когда ЗУ работает при относительно небольшой частоте обращения, или в ЗУ применены усилители считывания с весьма малым временем восстановления после 15 насыщения помехой от записи, или, наконец,усилитель считывания стробируется по входу, предлагаемое устройство позволяет обеспечить значительное повышение устойчивости за счет исключения разрушения информации 20 стягивающими импульсами, равными по амплитуде разрядному току записи при двухполярной записи. Это достигается выбором разных номиналов то коз адающих резисторов 11 - 14.Предмет изобретения Устройство для формирования разрядныхтоков записи запоминающего устройства, содержащее два формирователя импульсов разч 0 рядного тока, отлича ощееся тем, что, с цельюуменьшения размеров устройства и повышения устойчивости его работы, каждый формирователь содержит два выходных каскада,например, на бескорпусных транзисторах,ч 5 коллекторы транзисторов выходных каскадовпервого формирователя через токозадающиерезисторы, например, напыленные на изоляционную подложку, соединены с источникомположительного напряжения, их эмиттеры40 связаны с коллекторами транзисторов выходных каскадов второго формирователя, эмиттеры которых, в свою очередь, через токозадающие резисторы соединены с источникомотрицательного напряжения,