П пр. ilu hlvf4ftj., «гтивячтгч л f1 1 “
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 268322
Авторы: Вандервелл, Иностранец, Иностранна
Текст
О П И С А Н И Е 268322ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК ПАТЕНТУ Зависимый от патента8 а, 5/30 аявлено 24.7,1968 ( 1238040/22-1) МПК С 23 Ь риоритет Комитет по делам зобретений и открытийУДК 621,357,7:669.872 (088.8)Опубликовано 1970. Бюллетень13 овете Министров СССР Дата опубликования описания 20 Х 11.1970 с с Авторизобретения Ю 51 Л М ПАТЕНТ 1 О 1 Т 1 Х 11 ИХС 1 АЯ БИБЛИОТЕКАИностранец Вильям Джон Уотерман(Великобритания) Иносгранная фирма Вандервелл Продактс Лимитедявитель СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО О ЕНИЯ ИНДИ Извесгец способ электролитического осаждения индия из электролита на основе хлористого индия и ни 1 рилотрехуксусной кислоты.Предложенный способ электролитического осаждения индия отличается тем, что в электролит вводят глюконовую кислоту и желатину при следующем соотношении компонентов (в г/л):Хлористый индий (в пересчете ца металл) 20 - 40Нитрилотрехуксусная кислота 90 - 110Глюконовая кислота 40 - 60Желатина 0,1 - 0,25Процесс ведут при рН 9,5 - 10,5, температуре 20 - 30 С и плотности тока 22 - 65 ма/сиса.Это позволяет улучшить качество покрытия.В качестве глюкоцовой кислоты можно применять ее соли, а также глюконо-а-лактон.Молярное соотношение нитрилотрехуксусной кислоты к соединению индия должно поддерживаться 2; 1,Электролит (1 л) приготовляют следующим образом.100 г нитрилотрехуксусной кислоты(НИТА) вводят в 500 смз воды (дионизированной) до образования суспензии, а рН устанавливают в пределах 9 путем добавления ед 2кого натра. Затем в раствор вводят 50 г глюконо-о-лактона. Отдельно готовят концентрированный раствор, содержащий 500 г/л индия путем выварки скорлупок; металлического индия в соляной кислоте.Затем при перемешивации к растворуНИТА медленно добавляют 60 смз раствора индия и развоцят водой до 900 смс. Желатццу Г 0,1 г) размачиваот в воде до цабухания и 0 растворяют лрц слабом нагревании. Затемвливают ранее прнгстовленцый раствор и разводят водой до 1 л,Приготовленный таким образом электролит 15 помещают в стеклянный сосуд и ведут осаждсние индия. Катодом является металлическое изделие, подлежащее покрытию, анодом - индиевый электрод, площадь которого примерно оавна площади металлического изделия. Бла годаря этому содержание индия в электролите остается фактически постоянным во время электролиза. Электролиз проводят при температуре 25 С и плотности тока 32 ма/см-".Скорость осаждения индия составляет 25 21 смг/а час.В результате применения предложенногоспособа осаждения индия получают гладкие белые хорошо сцепленные с основой покрытия.Заказ 1781/15 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по дечам изобрегениг". г открьтий при Совете Министров СССР Москва Ж, Рауаскаи наб д. 4,5 Тиггсгр;прин, гр. Сапунова, 2 Способ элек 1 ролитического осахкдения индия из электролита на основе хлористого индия и нитрилотрсхуксусной кислоты, от,гичагоиигг 1 ся тем, что, с целью улучшения качества покрытия, в электролит вводят глюконовую кислоту и хкелатину при следуюгцем соотношении компонентов, гл Хлористьгй индий (в пере.счете на металл) 20 - 40Ннтрилотрея ксусная кислота 90 - 110Глюконовал кислота 40 - бОЖелгтина 0,1 - 0,25 и процесс ведут при рН 9,5 - 10,5, температуре 20 - 20 С и плотности тока 22 - б 5 лга/сл-.
СмотретьЗаявка
1238040
Иностранец Виль Джон Уотерман, Иностранна фирма, Вандервелл Продайте Лимитед
МПК / Метки
МПК: C25D 3/54
Метки: hlvf4ftj, «гтивячтгч, пр
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-268322-p-pr-ilu-hlvf4ftj-gtivyachtgch-l-f1-1.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">П пр. ilu hlvf4ftj., «гтивячтгч л f1 1 “</a>
Предыдущий патент: Библиотека.
Следующий патент: С. а. ц. и. сосиета агрикола индастриале пе ла целлулоз-, ., „, ., италиана»
Случайный патент: Шпренгельная ферма