Пьезопреобразователь

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Номер патента: 1555400

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Жохов

МПК: C30B 23/02

Метки: монокристаллических, слоев

...в нужном направлении. Угловую ориен- тацию дефлекторов 5 осуществляют юстировочными винтами 11, Расстояние 1 в между.дефлектором 5 и подложкой 8 30 мм, от испарителя 3 до центра отражающей поверхности теплового дефлектора 5 60 мм. Расстояние меяду элементами устройства регулируют с . помощью рамки 2.Устройство работает следующим образом.Напыляемое вещество - селен помещают в испаритель 3, Верхняя сдсть испарителя 3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давления остаточных газов 5 10 -10 мм рт.ст. Одновременно с откачкой производят нагрев испарителя 3 до 250 С для удаления газов, .содержащихся в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250 С, паропровода 6 и...

Номер патента: 184808

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

...какуумературе,ика,Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча, Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка 10 "мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводникав зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.На чертеже показано устройство для...

Номер патента: 652237

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Антон, Гюнтер, Роберт

МПК: C23C 13/12

Метки: виде, напыления, непрерывного, подвижную, подложку, полосы

...ленты. В положении минимальное рас-, стояние верхняя кромка торцовой тигельной стенки 16 достигает гарантированного расстояния до ленты 3. В этом рабочем положении приблизительно равны расстояния между стальной лентой .3 и боковыми тигельными стенками 21, 22. При этом верхние края этих стенок могут на несколько миллиметров выступать над поверхностью стальной ленты 3. Торцовая тигельная стенка 16 имеет соответствующее геометрии электронного луча проходное отверстие 24, В боковой стенке 21 тигля для наполнения ванны имеется другое отверстие 25. При использовании лишь одной емкости для испа" ряемого материала 19 необходимы два отверстия 25, которые должны находиться вблизи торцовых стенок 16, 18 тигля, и расстояния между которыми должно...