256092

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУрисоединением заяв Гасудерствеииый комитет Совета Миннстрав СССР(53) Ъ еньа делам изобретении ю открытий(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИН ЕСЦЕНТНО МАТРИЧНОГО ЭКРАНАне разметкой одноом 250 мк, ролюминепапример, связующее авляют фобихромат тролюминеаллическийкпарением Предлагается способ изготовления электролюминесцентных матричных экранов, применяемых в вычислительной технике для создания пассивных запоминающих устройств.Сформированные известным способом экраны содержат керамические нелинейные сопро.тивления, контактирующие с мозаичными элементами,С целью повышения высокой разрешающейспособности и контрастности изображения,согласно предлагаемому способу, сплошныерабочие слои электролюминесцентного экрана(слой нелинейного полупроводникового сопротивления, металлического электрода . и электролюминесцентный слой) формируют на одномерной металлической сетке, а дискретнуюструктуру электролюминесцентного и нелинейного слоев формируют методом фотохимической гравировки с использованием в качестве трафарета структуры предыдущего слоя,Затем промежутки заполняют нейтральнымдиэлектриком и всю систему переносят настеклянную подложку экрана с растровымэлектродом из окисно-оловянного светопрозрачного слоя.Для получения матричных экранов сначалаформируют на промежуточном основании одномерный проволочный электрод, затем изготовляют сплошные рабочие слои с добавлением в каждый слой фоторезистивного агента. После этого проводят фотохимическую гравировку сплошных слоев, используя в качестве трафарета структуру предыдущего слоя, Промежутки в дискретной структуре рабочих сло ев заполняют инертным диэлектриком, например Т 1 Ов или АОз. Полученную структуру переносят на стеклоподложку со светопрозрач.ным растровым электродом.Изготовленные предлагаемым способом О матричные электролюминесцентные покрытияимеют высокую разрешающую способность, например, свыше 3 линии%тм, значительную контрастность в статическом режиме возбуждения порядка 1 104 в 104 при средней ярко сти свечения 30 - 40 (частота возбуждающегонапряжения =10000 гц, напряжение 280 - - 320 в). П р и м е р. На стекляннои пласт ром 100 Х 100 мм формируют намо мерную металлическую сетку с ша после чего на сетку наносят элект сцентный слой толщиной 50 мк, методом литья. Предварительно в электролюминесцентного слоя доб точувствительный агент, например аммония (ХН).Сге 07. На элек сцентный слой наносят тонкий мет электрод, например, вакуумным алюминия.25609 Составитель Я, ТаборкоТехред Т. Курилко Корректор Т. Добровольская Редактор Т. Орловская Заказ 834/2 Изд.427 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Слой нелинейнОгО полупроводникового соединения толщиной 200 мк формируют на металлическом электроде, например, методом литья, при этом также в связующее слоя добавляют фоторезистивный агент,Фотохимическую гравировку слоя нелинейного полупроводникового сопротивления проводят после экспонирования через специально изготовленный негатив, а затем растворите. лем, например этилцеллозельвом, растворяют незадубленные участки органического связующего. Фотогравировку сплошного металлического слоя и затем электролюминесцентного осуществляют, используя в качестве трафарета структуру нелинейного слоя. Промежутки в дискретной структуре заполняют нейтральным диэлектриком, после чего сформированную систему слоев переносят методом термопластичного переноса на стеклянное основание с заранее изготовленным светопрозрачным растром,Предмет изобретения5 Способ изготовления электролюминесцентного матричного экрана, состоящего из последо.вательно включенных слоев нелинейного полупроводникового сопротивления и электролюминесцентного, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, 10 с целью изготовления экранов с высокой разрешающей способностью, сплошные рабочие слои формируют на одномерной металлической сетке, а дискретную структуру электролюминесцентного и нелинейного слоев форми руют способом фотогравировки с использованием в качестве трафарета структуры предыдущего слоя, затем промежутки заполняют нейтральным диэлектриком и всю систему переносят на стеклянную подложку со свето прозрачным растровым электродом,