Фазоимпульсный многоустойчивый элелент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
спуб У СВИДЕТЕЛЬС ВТОР тельства Хв Зависимое от авт. свЗаявлено 21,Ч 1,1968 Кл, 21 а 1, 36/22 Ув 1252914/ рисоединением заявки Мв МПК Н 031 сУДК 621,310,59 (088.8) ПриоритетОпубликовано 04,Х 1,1969, Бюллетень Уе 3Дата опубликования описания 2.1 Ъ.1970 омитет по делам изобретений и открыти ри Совете Министров сссРвторыобретен Е. К. Павлов, Е. Х, Чижов и В, В. Сидоренко аявител фАЗОИМПУЛЬСНЫЙ МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТ едмет изобр етенияойчивый элемент,конденсатор, комгичаюигийся тем,Фазоимпульсньтй многоус содержащий чакопительный паратор и ключ сброса, о 1Предложенное устройство относится к вычислительной технике.Фазоимпульсные многоустойчивые элементы, содержащие накопительные конденсаторы, компараторы и ключи сброса, известны, Их недостатком является малое быстродействие.Предложенный элемент отличается от известных тем, что он содержит транзистор с общей базой, являющийся генератором тока, а компаратор выполнен на туннельном диоде, причем эмиттер и коллектор транзистора генератора тока соединены через ограничивающие резисторы соответственно со входом элемента и с базой эмиттерного повторителя, эмиттер которого через ограничивающий резистор соединен с туннельным диодом и базой транзистора ключа сброса, коллектор которого подключен к накопительному конденсатору. Это отличие повышает надежность и быстродействие элемента.Принципиальная схема фазоимпульсного многоустойчивого элемента приведена на чертеже.Входной резисторподсоединен к транзистору 2, включенному по схеме с общей базой, связанному с накопительным конденсатором 3 и через резистор 4 - с базой эмиттерного повторителя 5. В эмиттер последнего, включен через ограничивающий резистор б туннельный диод 7. Выход диода связан с базой транзистора 8, коллектор которого связан с конденсатором 3. Транзистор 2 обеспечивает постоянство тока заряда конденсатора 3.Импульсы от внешнего генератора поступа ют на входной резистор 1. Транзистор 2, служащий генератором тока, линейно заряжает конденсатор 3, Время заряда конденсатора ограничено длительностью входного импульса, что обеспечивает постоянное приращение на пряженпя ЛУ на конденсаторе 3, не зависящееот величины напряжения на нем. Это напряжение передается эмпттерным повторителем 5.Уменьшение коэффициента передачи, достигаемое включением резистора 4, необходимо 5 для увеличения динамического диапазона поамплитуде и снижения утечки конденсатора 3.Когда напряжение на туннельном диоде 7 достигает величины срабатывания, диод закрывается, и отрпцательныц перепад напряжения 0 воздействует на транзистор 8, открывая его.Конденсатор 3 разряжается.Коэффициент деления меняется в широкихпределах при изменении напряжения на базе транзистора 2.5255991 Составитель Д. Гречииский Редактор Б. Б. Федотов Техред Л. Я. Левика Корректоры: Т, А. Абрамоваи Г. П, Шильмаи Заказ 584/1 Тираж 480ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытийМосква )К, Раушская наб., д Подппсностров ССССовете М/5 пография, пр, Сапунова, 2 что, с целью повышения надежности п быстродействия, он содержит транзистор с общей базой, являющийся генератором тока, а компаратор выполнен на туннельном диоде, причем эмиттер и коллектор транзистора генератора тока соединены через ограничивающие резисторы соответственно со входом элемента и с базой эмиттерного повторителя, эмиттер которого через ограничивающий резистор соединен с туннельным диодом и базой транзистора 5 ключа сброса, коллектор которого подключенк накопительному конденсатору.
СмотретьЗаявка
1252914
Е. К. Павлов, Е. Чижов, В. В. Сидоренко
МПК / Метки
МПК: H03K 3/29
Метки: многоустойчивый, фазоимпульсный, элелент
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-255991-fazoimpulsnyjj-mnogoustojjchivyjj-ehlelent.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фазоимпульсный многоустойчивый элелент</a>
Способ изготовления мощных многоэмиттерных свч-транзисторов с балластными резисторами
Номер патента: 1630564
Опубликовано: 20.10.1995
МПК: H01L 21/18
Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...
Устройство для программного управления объектом
Номер патента: 1605211
Опубликовано: 07.11.1990
Авторы: Березовский, Корнблюм, Куштан, Новачинский, Пальчикевич, Процик, Цыгельный
МПК: G05B 19/02, G05B 19/18
Метки: объектом, программного
...на шинУ 12 адресов устройства и производит чтениеячейки памяти блока 5 памяти программи данных (Фиг. 1) с этим адресом. Поэтому адресу может находиться некоторое управляющее слово, которое затем 4 Опо шинам 13 данных устройства передается на блок 7 селективного управления исполнительными механизмами. Так,например, пусть ранее на блок 7 селективного управления исполнительными ме ханизмами была подана команда включения реле под номером К. В результатеэтого некоторый элемент объекта принялновое положение, о чем поступил запрос на блок 3 обработки запросов. Блокобработки запросов сформировал векторпрерывания, который поступил на блок4 обработки программ. Блок обработкипрограмм перешел в режим обработкиданного прерывания. По адресу,...
Ловушка для насекомых
Номер патента: 1797458
Опубликовано: 23.02.1993
Автор: Банков
МПК: A01M 1/10
...конец пластины 7 касается внутренней стенки корпуса 1, в которой расположена входная щель 2, и расположен в стороне от щели около источника света, Это позволяет при смахивании насекомых охватить смахивающим элементом 7 все пространство прохода 5. Для формирования светового луча в пла стине 7 напротив источника света 15 прорезано отверстие 21, Благодаря тому, что пластина 7 в исходном состоянии перпендикулярна направлению светового луча, светавай поток, формируемый в исходном состоянии ловушки, максимальный,Контейнер 3 для сбора насекомых и приманки может быть выполнен в виде коробоч 5 ки, заполненной приманкой с вязкоймассой. Контейнер 3 по мере заполнениянасекомыми, заменяют на другой,Кроме того, фотопреобраэаватель 16содержитдва...
Полупроводниковый мультивибратор
Номер патента: 262161
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Трусилов
МПК: H03K 3/06
Метки: мультивибратор, полупроводниковый
...коллекторы транзисторов 3 и 4 переключателя тока, управляемых с выходов 5 и б мульти вибратора.Устройство работает следующим образом.Когда транзисторы 1 и 3 открыты, транзисторы 2 и 4 закрыты. Эмиттерный ток транзистора 1 равен сумме тока, протекающего 10 через резистор 7, и коллекторного тока открытого транзистора 3. В таком состоянии на выходе б будет высокий уровень сигнала, а на выходе б - низкий. Разность выходных уровней сигналов обусловливает запирание транзисторов 2 и 4 и отпирание транзисторов 1 и 3.С момента отпирания транзисторов 1 и 3напряжение на эмиттере транзистора 2 нарастает по экспоненциальному закону, вследствие заряда времязадающего конденсатора 8 током от источника напряжения эмиттерного смещения, проходящим...
290284
Номер патента: 290284
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G06G 7/04
Метки: 290284
...18 - 21. Эмиттер транзистора 18 заземлен, а его коллектор через резистор 22 подключен к эмиттеру транзистора 19 и через диод 23 - к запоминающему конденсатору 4. Коллектор транзистора 19 подключен к источнику отрицательного напряжения - Е.Коллектор транзистора 20 подсоединен к шине нулевого потенциала, а его эмиттер че,рез резистор 24 - к коллектору транзистора 21 и через диод 25 - ко второму запоминающему конденсатору 4. Эмиттер транзистора 21 подключен к источнику положительного напряжения +Е.Схема разряда 2 б ключевой схемы 3 снабжена тремя парами встречно включенных гальванически развязанных транзисторов 27 - 32. Коллекторы транзисторов 23 - 31 объединены, коллектор транзистора 27 подключен ко входу усилителя 1, коллектор...
Предыдущий патент: Резервированный счетчик импульсов
Следующий патент: Устройство для отбраковки сердечников
Случайный патент: Клапан, предназначенный для изменения направления движения газового потока в каналах