Способ получения антидинатронного покрытия на керамике
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАЙИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 243 О 81 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельствааявлено 24 Х 11.1967 (Юприсоединением заявк 1176104/26-2 л. 21 д, 13/О о ПриоритетОпубликовано 05.7,1969. Бюллетень1Дата опубликования описания 26.1 Х.196 Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министров СССРявител ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИДИНАТРОННОГ ПОКРЫТИЯ НА КЕРАМИКЕаря черному цвету поотвод тепла от кераммого способа состоит ятиокись мешалке. керамику нием в завелий, Покр работкой в при темпер анадия смеПолученную окунанием, исимости от тие закрепсреде форатуре 1000-. При работе электровакуумных приборов большой мощности происходят перегрев и разрушение керамического диэлектрического вывода энергии, вызываемые вторичным электронным разрядом в выводе энергии. В настоящее время для подавления этого разряда керамику покрывают металлами (например, титаном) путем распыления в вакууме и диэлектриком с малым коэффициентом вторичной электронной эмиссии,Известен способ получения антидинатронного покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой.Металлические покрытия вызывают дополнительные омические потери, приводящие к дополнительному разогреву керамики, поэтому толщина распыленного металла должна быть строго ограничена, что технологически трудно осуществимо, особенно на изделиях сложной конфигурации. В случае диэлектрического покрытия вторичный электронный резонансный разряд снижается, но при этом возможно постепенное накопление на поверхности диэлектрика электрического заряда, что может привести к возникновению скользящего разряда с керамики на металлическую манжету и к разрушению керамического изделия. Предлагаемый способ получения антидинатронного покрытия на керамике отличается тем, что на керамические изделия наносят порошкообразную пятиокись ванадия (ЧеОз), которая после закрепления на керамике термической обработкой в восстановительной среде при 1000 - 1500 С превращается в покрытие, представляющее собой полупроводник с высоким омическим сопротивлением и низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии.Преимущество этого способа состоит в том,что толщина покрытия может колебаться в широких пределах из-за достаточно высокого 15 омического сопротивления покрытия, не вызывающего существенных дополнительных электрических потерь керамики. Кроме того, благод 20 крытия увеличивается ки-подлокки излучение Сущность предлагае следующем. Порошкообразную п 25 шивают с оиндером в суспензию наносят на намазкой или распыле вида покрываемых изд ляют термической об 30 миргаза или водорода243081 Составитель И. Ратенберг Корректоры: Л, Иванова и Г. Судоржеико Редактор Б. Б. Федотов Техрсд А, А. Камышникова Заказ 239318 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 1500 С в зависимости от вида керамическогоматериала. Предмет изобретенияСпособ получения антидинатронного покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью снижения коэффициента вторичной эмиссии поверхности керамики и возможности накопления на ней электростатического заря да, наносят слой пятиокиси ванадия, а термообработку проводят в восстановительной среде при температуре 1000 в 15 С.
СмотретьЗаявка
1176104
В. Г. Аветиков, А. А. гильский, М. Д. Бершадска Г. М. Приезжев, О. И. Павлов
МПК / Метки
МПК: H01J 9/28
Метки: антидинатронного, керамике, покрытия
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-243081-sposob-polucheniya-antidinatronnogo-pokrytiya-na-keramike.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения антидинатронного покрытия на керамике</a>
Состав покрытия для пористой керамики
Номер патента: 742418
Опубликовано: 25.06.1980
МПК: C04B 41/06
Метки: керамики, покрытия, пористой, состав
...образом.Готовят шликер - водную суспенэию 1 содержащую 55-72% механической смеси тонкодисперсных порошков Ет" О, плаи леной МО, 51 С, взятых в заданных ко личествах, и 45 28% воды. Покрытие наносят на изделия окунанием в шликер или его распылением. Затем изделия с нанесенным покрытием сушат, Высушенные изделия помещают в холодную печь и поднтео мают температуру в печи до 1500-1550 Сооо скоростью 200 Юч, выдержка при ко печной температуре составляет 1-3 мин, в зависимости от размеров иэделия. Покрытие изделия охлаждают вместе с печью, После обжига покрытие представляет собой беспористый слой со стеклообразным5,92 Беспористое,прочносцепленМ 0 е с 510 формула изобретенияСостав покрытия для пористой керами ки, включающий 510 и Х 0, о т л...
Состав для покрытия пористой магнезиальной керамики
Номер патента: 499249
Опубликовано: 15.01.1976
Авторы: Аппен, Банковская, Сазонова
МПК: C04B 41/06
Метки: керамики, магнезиальной, покрытия, пористой, состав
...понижение температуры формпрования покрытия.Суспензию тщательно перемешивают и подвергают выпариванию при 150 - 200 С до нуж ной консистенции. Перед нанесением покрытия в шликер добавляют водный раствор карбоксиметилцеллюлозы в количестве 5% в расчете на сухое вещество. и высокостых,кер асоздание плотного элекжаростойкого покрытия, по истой магнезиальной 20 Изделия, покрытые шликером, высушивают,постепенно нагревают (3 - 4 часа) до 1000 - 1100 С, затем покрытую поверхность оплавляют пламенем кислородно-ацетиленовой горелки до образования ровного стеклообразно го прочно сцепленного с керамикой слоя. Оплавленное изделие постепенно (3 - 4 часа) охлаждают. Покрытие имеет пористость до 4%, электросопротивление при 1400 порядка...
Способ устранения вторичной эмиссии с отклоняющих электродов катодной трубки
Номер патента: 45231
Опубликовано: 30.11.1935
Авторы: Рихтер, Федерман, Шретер
МПК: H01J 29/84, H01J 29/88
Метки: вторичной, катодной, отклоняющих, трубки, устранения, электродов, эмиссии
...бомбардировки отклоняющих пластин, которые в результате этого начинают излучать вторичные электроны в количестве, сильно превышающем число первичных электронов, так как ин-цы Ф. Шретер (Ргйз ЗсЬгбг) и В. Федер.аан (Фо 1 фап 1, тапа).а основания ст. 6 Советско-германромышленной собственности. траектория этих последних направленапреимущественно под очень небольшимуглом к поверхности пластин.В тех случаях, когда возможностикомпенсации или отвода зарядов неимеется, отклоняющие пластины вследствие потери электронов остаются заря, женными, Это имеет место для пластин,на которые подается испытуемое пере( менное напряжение в осциллографе ик которым подводятся переменные на.пряжения для построчного разложения, в телевизионных трубках, Заряды...
Способ повышения износостойкости металлокерамических деталей путем нанесения на их поверхность пленки дисульфида молибдена
Номер патента: 125003
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Альтман, Валакина, Мемелов, Никифоров, Сентюрихина
МПК: C23C 20/06, C23C 24/08
Метки: дисульфида, износостойкости, металлокерамических, молибдена, нанесения, пленки, поверхность, повышения, путем
...СПЕКЗ:1 см и;.При иЗГОтОВ.1 е 11 ии дсталей узс 10 В тре)и 51, нс 1 прмер зкл 2 дь 1:сй, ВтусОк, ск 2 реЙ 11 т. и., методом:1 Орошковой мет 1 лл) рГ;1 и 112 влс)11) Ь 1 ПРЕСС-ФОРМЫ, фОР.ИРУ 10 ШИЕ РЗОО 1 УЮ ПОВЕРКНОСТЬ ИЗДСЛИЯ, ПС;)СД ЗЗСЬП кОЙ пресс-порошка, нанос 51 т слОЙ ч 1 стОГО д;1 сулье 1)ида молОде 12. 1 н)- Всркности пресс-формы должн ь Оь:ть полированными, В п 1)оцсссс прес. соВания дисульфид молиодена, нанссеный н 2 поверкность пресс.формы, и пресс-порошок, Засыпанныи В полость матриць 1, и Ооч 110 сосди И)- ются между сооой, образуя антифрикционный слой на соотзетству:о. шеЙ поверхности изделия, Дальней 1 пая Опср 2 ция спскания уВелич)1 з 1 ст прочность сцепления пленки д.сульфида молибдена с основным матери. алом.,),ТИК...
Способ получения антидинатронного покрытия на керамике
Номер патента: 231005
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Аветиков, Бершадска, Павлов, Приезжее
МПК: H01J 5/08
Метки: антидинатронного, керамике, покрытия
...того, металлическое покрытие вызывает дополнительные омические потери и, следовательно, нежелательный дополнительный разогрев керамики,Предлагаемыи сп тронного покрытия рамические издели ный диэлектрик, на тем проводят термо де при температур сти от типа кера Благодаря этому колебаться в широ ухудшает диэлектр и, следовательно,ных потерь. Послеособ получения антидинаотличается тем, что на кея наносят порошкообразпример нитрид бора, а заобработку в защитной срее 700 - 1400 С в зависимо- мики,толщина покрытия может ких пределах, покрытие не ических свойств керамики не вызывает дополнительднее обусловлено высокими Авторыизобретения В. Г, Аветико диэлектрическими свойствами самого покры тия - нитрида бора.Способ осуществляют, например,...
Предыдущий патент: Способ нанесения карбонатов или окислов щелочноземельных металлов
Следующий патент: Способ изготовления теплорассеивающих экранов для электронных ламп
Случайный патент: Гидродвигатель возвратно-поступательного движения