Способ устранения вторичной эмиссии с отклоняющих электродов катодной трубки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Жласс 2 1 е 3 АТЕНТ НА И ТЕНИ П И оба устранения вторичной эмиссии щих электродов катодной трубк оияю и Телеф Те 1 е 1волочнойГйг йгаЫзаявлен 82). ункен, о-во беспр цп 1 сеп Оеве 1 всЬай ерлине, Германи р. о перв, Мо 14 тенту нн-нои фирмы графин с огр. отв." ( Те 1 ерарЫе т. Ь, Н,), в г,ному 2 о мая 1934 года ( ствительные изобретатели И. Рихтер (,1 ойапп ЮсЫе Рейег рнтет от 26 июня 1933 гота н скоско соглдш ния об охране и О выдаче патента опубликовПри 30 ноября 1935 гол еиствие патента распространяетсн на 15 лет от 30 ноября 19(313 Настоящее изобретение относится к катодным трубкам с отклоняющими пластинами и состоит в том, что в них применены особые средства, частично или полностью устраняющие искажающее влияние паразитных зарядов пластин, имеющих место в результате вторичной эмиссии электронов.К катодным трубкам, применяющимся в телевидении и для целей осциллографирования, предъявляется, как известно, основное требование - не искаженное воспроизведение.В трубках с электростатическим упра. влением имеется опасность заряда отклоняющих пластин электронным лучом, Эти заряды являются следствием электронной бомбардировки отклоняющих пластин, которые в результате этого начинают излучать вторичные электроны в количестве, сильно превышающем число первичных электронов, так как ин-цы Ф. Шретер (Ргйз ЗсЬгбг) и В. Федер.аан (Фо 1 фап 1, тапа).а основания ст. 6 Советско-германромышленной собственности. траектория этих последних направленапреимущественно под очень небольшимуглом к поверхности пластин.В тех случаях, когда возможностикомпенсации или отвода зарядов неимеется, отклоняющие пластины вследствие потери электронов остаются заря, женными, Это имеет место для пластин,на которые подается испытуемое пере( менное напряжение в осциллографе ик которым подводятся переменные на.пряжения для построчного разложения, в телевизионных трубках, Заряды напластинах, к которым нормально приложены постоянные по отношению каноду напряжения, легко могут автоматически выравниваться,Величина паразптных напряжений, докоторой могут зарядиться отклоняющиепластины, зависит от числа падающихна них электронов, в свою очередь определяющегося величиной электронногопотока и расстоянием от луча до отклоняющих пластин. Паразитные напряжения, возникающие на пластинах, складываются с приложенными отклоняющими напряжениями: таким образом, на катодный луч действует, сумма обоих напряжений. Ясно, что воспроизводимый процесс отличается от истинного настолько, насколько существенно искажение, вносимое возникшими паразитными напряжениями. С целью устранения вторичной электронной эмиссии с отклоняющих пластин настоящим изобретением предусматривается обработка поверхности пластин, выполненных из обычно употребляющихся для этой цели металлов, нанесением на их поверхностьслоя уранил-нитрата 00,(МО,(, + 6 Н,О,Предмет изобретенияСпособ устранения вторичной эмиссии с отклоняющих электродов катодной трубки, отличаюшийся тем, что поверхности электродов покрывают азотно-киелым уранилом.
СмотретьЗаявка
148082, 25.05.1934
Телефункен, о-во беспроволочной телеграфии с огр. отв
Ф. Шретер, В. Федерман, И. Рихтер
МПК / Метки
МПК: H01J 29/84, H01J 29/88
Метки: вторичной, катодной, отклоняющих, трубки, устранения, электродов, эмиссии
Опубликовано: 30.11.1935
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-45231-sposob-ustraneniya-vtorichnojj-ehmissii-s-otklonyayushhikh-ehlektrodov-katodnojj-trubki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ устранения вторичной эмиссии с отклоняющих электродов катодной трубки</a>
Фотоэлемент с вторично-электронной эмиссией
Номер патента: 48892
Опубликовано: 31.08.1936
Автор: Гейман
МПК: H01J 40/16, H01J 43/14
Метки: вторично-электронной, фотоэлемент, эмиссией
...вещества, дающего вторично - электронную эмиссию и обладающего высоким сопро-. тивлением. К выводам К и К 2 приложена разность потенциалов, создающая падение напряжения вдоль катода, Электрод й служит коллектором вторичных электронов. Снаружи на баллон надеты цилиндрический анод А и катушка С, служащая для создания искривляющего электронные траектории магнитного поля. Свет от источника гможет быть направлен в любое место катода на части трубки, выступающей из анода.Действие фотоэлемента заключается в следующем. Испускаемые катодом под действием света электроны будут находиться под влиянием трех полей: поперечного электрического поля, продольного электрического поля и продольного магнитного поля. Вылетая из катода, под влиянием поля...
Способ регистрации вторичных электронов
Номер патента: 1322386
Опубликовано: 07.07.1987
Авторы: Зашквара, Маковский, Масягин, Редькин
МПК: H01J 49/48
Метки: вторичных, регистрации, электронов
...исслелуемой поверхности за счет опрслелснного изменения потенциала подаваемого на исслелуемую поверхность. Способ заключается в следующем.Образец, исследуемая поверхность к- торого совмещена с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора ЦЗА) и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. Причем в процессе сканирования образца потенциал его поверх. ности изменяется по следующему закону:1 Л(С= - 1 Ч б(1),гле И (1) - потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;)с - безразмерный коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18( ( 1 с (0,22;Ъ потенциал, соответствуюгций кинетической энергии анализируемых электронов, В;(0,3- смещение сканируюцего...
Способ определения неравномерности коэффициента вторичной электронной эмиссии эмиттера
Номер патента: 879672
Опубликовано: 07.11.1981
Автор: Кутенин
МПК: H01J 9/12
Метки: вторичной, коэффициента, неравномерности, электронной, эмиссии, эмиттера
...чего определяют неравномерность КВЭЭ Ф из следующего соотношения:б О-Огде С - КВЭЭ при облучении всей поверхностиО - максимальный, а б - минимальный КВЭЭ.Для эмиттеров с отрицательным электронным средством (ЭОС) неоднородность КВЭЭ Ф определяют из соотношения 0-ф щ ,б(В эффективных эмиттерах разница между участками с максимальным и )минимальным КВЭЭ может быть значительной. Поэтому справедливо предположить, что существуют две группы поверхнОстей 6,( и 62 с резко отличающимися КВЭЭ О и 62 соответственное Тогда 5 Я+ Бд и б б + бяСуммарный йоток первичных электронов 3 состоит из первичных элект ронов, падающих на поверхностьр.,-3( и из первичных электронов, падающих на поверхность 32- (". Эти потоки вызывают соответственно потоки вто и...
Вторично-электронный умножитель
Номер патента: 1108532
Опубликовано: 15.08.1984
Авторы: Дубенский, Новикова, Шмикк
МПК: H01J 43/04
Метки: вторично-электронный, умножитель
...входных плоскостей МКП 2 И коллектора .соответственно.Потенциал О на УЭ 4, представляющий собой сетку, подается таким обра-.1108532 зом, что в статическом режиме он равен потенциалу поля между МКП 1 и МКП 2 в месте расположения УЭ:О=Ой/3,)где О - разность потенциалов между 5МКП 1 и МКП 2;д - расстояние между МКП 1 иМКП 2;расстояние от выходной плоскости МКП 1 до УЭ 4. ОПоток ионов поступает на вход МКП 1, где происходит его преобразование в поток электронов и затем усиление последнего. Электронный поток с выхода МКП 1 проходит сквозь сетча тый УЭ 4, поступает на МКП 2, усиливается и поступает на коллектор 3, где формируется импульс тока.В согласующем устройстве 5 импульс тока с коллектора 3 преобразу ется в импульс напряжения...
Фотоэлемент с многокаскадным вторично-электронным усилением фототока
Номер патента: 48889
Опубликовано: 31.08.1936
Авторы: Бутслов, Кварцхава, Пятницкий, Тимофеев
МПК: H01J 40/16, H01J 43/20
Метки: вторично-электронным, многокаскадным, усилением, фототока, фотоэлемент
...электронов служат магнитное и электрическое поле,Как выяснилось из экспериментальных исследований авторов предлагаемого изобретения, рчень удобной в изготовлении и работающей без фокусирующего электронные пучки магнитного поля является приведенная на чертеже конструкция фотоэлемента с многокаскадным внутренним усилением фототока при помощи вторичной эмиссии. На чертеже буквой К обозначен цезиевый фотокатод, расположенный на, поверхности стеклянной колбы, буквами СС 2, С.Сконусы, поверхность которых покрывается каким-либо веществом, способным давать достаточно большую вторичную эмиссию электронов, и буквой А в ан фотоэлемента,Сущностью этой конструкции являетсято, что электроды, служащие для получения вторичной эмиссии в...
Предыдущий патент: Способ и устройство для мокрой очистки газонов
Следующий патент: Устройство для дальновидения
Случайный патент: Устройство для отделения груза от стен емкости