Бершадска

Номер патента: 427914

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Аветиков, Бершадска, Казаков, Колокольникова, Мандельэйль, Новикова, Руденко, Фомушин, Чибизова

МПК: C04B 41/88

Метки: 427914

...2 циклов при ранее существующих покрытиях до 9,5 - 11 цикловЗавышение температуры па С 15 также приводит к увеличениюметаллокерамических спаев с О Состав д держащей молибдена,целью пов спаев, он 5 А 1,0, - СаО занных комп Мол ибд Спек Аи, соосновечто, с еж ностиспек ии укаации керами% А 120 з, н щийся тем ической над о содержи ем соотношеля металли 90 - 96 вес. отличаю ышения тер дополнитель при следую онентов, вес.%: 65 - 9 35 - 5 еОз - СаО Изобретение относится к электронной и радиоэлектронной технике и может быть использовано в машиностроении электровакуумном приборостроении.Известен состав для металлизации керамики на основе молибдена,Недостатками известных составов является разрушение металлизационных покрытий под действием...

Номер патента: 423783

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Бершадска, Изобретени, Колокольникова, Чибизова

МПК: C04B 41/88

Метки: керамическихизделий, металлизации, состав

...указанного состава является разрушение металлизационных покрытий под действием высокотемпературных припоев в процессе пайки.С целью уменьшения восприимчивости к режимам пайки состав дополнительно содержит спек А 1,0, - СаО - ЯОг при следующем соотношении указанных компонентов, вес. %:Мо 95 - 65Спек А 1 гО, - СаО - ЯОг 5 - 35Спек применяют следующего состава, %:А 1,0, 39,0+.0,2 СаО 29,2+ 0,2ЯОг 3 1,8+-0,2Спек готовят следующим образом. Компоненты спека перемешивают, затем обжигают при 1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 6 10 - 11 10 смг/г. Применяемые для приготовления пасты порошки должны содержать не менее 75% зерен размером 5 до 3 мкм.Для получения пасты измельченный спекперемешивают с молибденом обычным способом в...

Номер патента: 332517

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Аветиков, Бершадска, Павлова

МПК: H01J 5/10

Метки: антидинатронного, керамике, покрытия, суспензия

...на керамике, состоящие из нитрида бора и биндера или из цитрида бора, пятиокиси ванадия и биндера. бор успензий и их термикерамике используют использовании состаого бора, однако темго может быть сниже 1-1 едостатками этих покрытии являются плохая адгезия к керамике при низких темпера турах термического закрепления (ниже 1100 С), особенно при нанесении на керамические материалы, содержащие малое количество стеклофазы, а также неравномерность покрытия по поверхности керамики. 15Данная суспензия отличается от известных тем, что в цее введена добавка аморфного бора в количестве до 10% от веса сухого порошка.Такой состав суспензии позволяет улучшить 20 адгезиоцные свойства покрытия к различным типам керамики и снизить температуру...

Номер патента: 282082

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бершадска, Бугров, Дашков, Креймерман, Тетельбойм

МПК: B24B 9/16

Метки: алмазных, граней, нанесения

...подмоторной плитой 7. На лицевой стороне станины расположены электро- пульт 8 и панель управления вариатором 9. Шпиндель смонтирован в корпусе бабки натрех вкладышных подшипниках 10 жидкостного трения. 5 На лицевой стороне корпуса бабки 2 расположена гидропанель 11 с регулятором скорости 12 и краном управления 13 механизмом правки 3. Механизм правки состоит из корпуса 14, на котором собраны правильные устрой ства 15 и гидроцилиндр 1 б,Механизм правки закреплен на кронштейне17, который имеет радиальную подачу прп помощи винтовой пары 18. Механизм правки мо жет перемещаться также и вдоль оси шпинделя 19 в двух направлениях при помощи винтовой пары 20,Правильному устройству 15 от гидроцилиндра 1 б через реечную передачу 21 сообщается 20...

Номер патента: 243081

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аветиков, Бершадска, Гильский, Павлов

МПК: H01J 9/28

Метки: антидинатронного, керамике, покрытия

...что технологически трудно осуществимо, особенно на изделиях сложной конфигурации. В случае диэлектрического покрытия вторичный электронный резонансный разряд снижается, но при этом возможно постепенное накопление на поверхности диэлектрика электрического заряда, что может привести к возникновению скользящего разряда с керамики на металлическую манжету и к разрушению керамического изделия. Предлагаемый способ получения антидинатронного покрытия на керамике отличается тем, что на керамические изделия наносят порошкообразную пятиокись ванадия (ЧеОз), которая после закрепления на керамике термической обработкой в восстановительной среде при 1000 - 1500 С превращается в покрытие, представляющее собой полупроводник с высоким омическим...

Номер патента: 231005

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Аветиков, Бершадска, Павлов, Приезжее

МПК: H01J 5/08

Метки: антидинатронного, керамике, покрытия

...того, металлическое покрытие вызывает дополнительные омические потери и, следовательно, нежелательный дополнительный разогрев керамики,Предлагаемыи сп тронного покрытия рамические издели ный диэлектрик, на тем проводят термо де при температур сти от типа кера Благодаря этому колебаться в широ ухудшает диэлектр и, следовательно,ных потерь. Послеособ получения антидинаотличается тем, что на кея наносят порошкообразпример нитрид бора, а заобработку в защитной срее 700 - 1400 С в зависимо- мики,толщина покрытия может ких пределах, покрытие не ических свойств керамики не вызывает дополнительднее обусловлено высокими Авторыизобретения В. Г, Аветико диэлектрическими свойствами самого покры тия - нитрида бора.Способ осуществляют, например,...

Номер патента: 181722

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бершадска, Всесоюзный, Коган

МПК: H02M 1/04

Метки: статический, фазорегулятор

...усилителей 1 УМ, 2 УМ, ЗУМ, собранных по схеме с самонасыщением, имеет по четыре входных обмотки, Две из этих обмоток с одинаковым слом о используются как обмотки управления ОУ, одна - как обмотка смещения (1 СМ, 2 СМ, ЗСМ) и обмотка 10 С, 20 С, ЗОС может быть использована для введения положительной или отрицательной обратной связи. Обмотки управления магнитных усилителей могут быть соединены по различным схемам.Для уменьшения дрейфа угла обмотки смещения (1 СМ, 2 СМ, ЗСМ) всех трех фаз соединены последовательно и питаются от полупроводникового выпрямителя сдвига фазы ВСФ, собранного по трехфазной мостовой схеме и подключенного к вторичным обмоткам трансформатора питания, Регулируя с помощью сопротивлений сдвига фазы 1 ССФ181722...

Номер патента: 188053

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бершадска, Михонощенко

МПК: G01F 13/00

Метки: дозирования, кислоты, кристаллическойлимонной

...внутренней поверхности, обращенных одна к другой днищами.На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство в разрезе.Оно содержит корпус 1 с загрузочным бункером 2 и разгрузочным отверстием, шнеки 3и 4, расположенные ца одном валу со встречно направленными витками, звездочку 6 и в 5рошильцое приспособление 6,Звездочку 6 устанавливают под корпусомтаким образом, что ее зубья выступают внутрькорпуса через разгрузочное отверстие. Приводится в движение звездочка 6 приводом от 30 вала вцгеков с помощью цепноц передачи.Ворошцльцое приспособление 6 состоит цз двух тарелок с реорахш ца внутренней поверхности, обрацгеццьгх одна к другов.Работает устройство сггедгющцм Ооразохц Крцсталлцческуго лимонную кислоту через загрузагный бункер 2...