Термоанемолетр
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
9688 ОП И ИЗОБ овз СоветсйикциалистическикРеспублик ЕТЕНИЯСВИДЕТЕЛЬСТВУ АВТОР С Зависимое от авт, свидетельства М( 1027005/26-1 аявлено 10.1 Х,Кл. 42 о, 1 с присоединением заявки ЬсПриоритетОпубликовано 18.1.1969. Бюллетень ЛЪ 11Дата опубликования описания 31 Л 11,1969 Комитет по делам аобретеннй н открытий при Совете Министров СССР(088.8) Г. Волков, К. А. Герцен, Я, Я, Гуммель,И. Карасев, И. М. Местер и В. Н. Шатохи Карагандинский Заявител учно-исследовательский угольный институт ТЕРМОА Н ЕМОМЕТР Известны термоанемометры, содержащце чувствительные элементы, включенные по дифференциальной схеме, один из которых снабжен подогревной обмоткой.Особенностью предложенного термоанемометра является то, что в качестве его чувствительных элементов использованы транзисторы, в цепь базы которых включена подогревная обмотка.Это позволяет повысить точность и стабильность работы термоанемометра, упростить его схему и снизить потребляемую им мощность.На чертеже представлена оловка датчика и электрическая схема прибора.Чувствительный элемент 1 термоанемометра состоит из двух транзисторов Т, и Та, включенных по дифференциальной схеме, На корпус транзистора Т являющегося рабочим, наматывают подогревное сопротивление 1 с,. Сопротивление 1 с, используют одновременно и как плечо делителя напряжения, обеспечивающего требуемый режим работы транзисторов Т и Тв, Транзистор Т,. служит для температурной компенсации. схему приво- нулевой скоэмиттерных Т, и Та раввторы В, Ф. Бырька,обретения Г. Е, Иванченко, Н Изменением сопротивления Я дят в такое состояние, чтобы при рости газового потока разность напряжений обоих транзисторовнялась нулю, Прп этом ток через вторичный прибор 2 протекать не будет.В случае увеличения скорости измеряемого,азового потока температура корпуса рабоче го транзистора 1, уменьшается, разностьэмипсрчых напряжений транзисторов Т, и Т стацовится больше и ток в цепи вторичного прибора 2 возрастает.При уменьшении скорости газового потока 10 все происходит наоборот. Таким образом, токв пепи вторичного прибора 2 пропорционален скорости газового потока. Для расширения диапазона измерения ско рости чувствительный элемент 1 размещенвнутри симмез ричцой головки Л с наконечниками 4. Сечение наконечников -1 во много раз меньше сечения головки,3 в месте установки чувствигельного элемента. Поэтому струя ос новного газового потока, проходящая черезнаконечник, внутри головки расширяется и скорость ее соотвстственно падает.Применяя различные пары наконечниковопределенного сечения можно расширить диа назон измерения скоростей в широки.; пределах. с 1 увстшггельиый элемент при этом будет работать на всех диапазонах в одинаковых условиях - на начальном линейном участке характеристики термоансмометра, отличаю щсмся максимальной чувствительностью.239688 Предмет изобретения Составитель С. Непомнящая Редактор И. С. Грузова Текред А. А. Камышникова Корректор Л. Г. КорогодЗаказ 1679/9 Тираж 480 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совстс Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, нр, Сапунова, 2 Термоанемометр, содержащий чувстви. тельные элементы, включенные по дифферен. циальной схеме, один из которых снабжен подогревной обмоткой, источник питания и вторичный прибор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и стабильности работы, упрощения схемы и снижения потребляемой мощности, в нем в качестве чувствительных элементов использованы транзисто ры, в цепь базы которых включена подогревная обмотка.
СмотретьЗаявка
1027005
Карагандинский научно исследовательский угольный институт
В. Ф. Бырька, А. Г. Волков, К. А. Герцен, Я. Я. Гуммель, Г. Е. Иванченко, Н. И. Карасев, И. М. Местер, В. Н. Шатохин
МПК / Метки
МПК: G01P 5/12
Метки: термоанемолетр
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-239688-termoanemoletr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Термоанемолетр</a>
Способ сборки элементов полупроводниковых приборов и гибридных интегральных схем
Номер патента: 1480679
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко
МПК: H01L 21/603
Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов
...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...
Прибор для измерения скорости потока жидкости или газа
Номер патента: 263192
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Кривоносова
МПК: G01P 5/12
Метки: газа, жидкости, потока, прибор, скорости
...жидкости или газа, В смежном плече мостовой схемы вклгочен компенсаци онный элемент 2, представляющий собой прибор, аналогичный чувствительному элементу, помещенньгй в такие же температурные условия, но не гподверженный действию потока (непременным условием работы является 15 идентичность тепловых характеристик компенсационного и чувствительного элементов).В два других плеча мостовой схемы включены постоянные резисторы 3 и 4. Мостовая схема питается от источника, постоянного напря жения 5. Изменение скорости теплового потока жидкости и газа регистрируется при помощи индикатора б, включенного в измерительную диагональ моста.С целью повышенггя чувствительности и точ ности, чувствительный элемент снабжен нагревателем 7, имеющим...
Прибор для измерения скоростей воды в потоках с открытой поверхностью
Номер патента: 664031
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Промыслов, Тушаков, Шилохвостов
МПК: G01F 15/07
Метки: воды, открытой, поверхностью, потоках, прибор, скоростей
...изображенпредлагаемый прибор.5 Прибор содержит трубку 1 (скоростного напора, коммуникационные резиновые трубки 2 и 3, П-образную стеклянную трубку 4 с боковыми наклоннымипатрубками 5 и 6, уравнительный вакуумный сосуд 7 с пробкой 8, трубки 9312, соединительные муфты 13 и 14, сосуд 15, резиновые трубки 16 и 17, станину 18 со шкалой 19 и зажим 20.Подготовка прибора к измерениямсостоит в следующем.Дифманометр заправляют заполнителем примерно до половины высоты его 5колен, считая от низа до боковых наклонных патрубков 5 и 6, Трубку 1опускают в поток. Сосуд 15 заполняют:водой, открывают зажим 20 и путем отсоса воздуха через трубку 17 в урав Онительном сосуде 7 создают разрежение.Вследствие этого вода через трубки 2и Э заполняет...
Динамический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 294252
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H03K 17/66
Метки: динамический, мдп-транзисторах, элемент
...выход 8. 2Устройство работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии на входе 7 элемента поддерживается высокий уровень напряжения, достаточный для отпирания транзистора 4 (эпюра 7, фиг. 2). Первый тактовый импульс (эпюра 5, фиг. 2) открывает транзистор 2, и конденсатор 1 заряжается от источника постоянного напряжения питания до потенциала, соответствующего высокому уров ню. По окончании первого импульса на входб подается второй тактовый сигнал (эпюра 6, фиг. 2), который через открытый транзистор 4 воздействует на затвор транзистороа 3 ц отпирает последний. За время действия второго 15 тактового импульса конденсатор 1 разряжается через канал открытого транзистора 3, и на выходе 8 устанавливается низкий уровень напряжения (эпюра 8,...
Запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 335720
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Горбань
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...чается к откр ток, являющ другой разря который нам 8,4 адподклюсоответподклюляетсяния. Впомехи,тывания апоминающий эле чертеже пока сторы 1, 2; рядную шинулей б и транз ,4, ра шину Изобретение относится к области вычислительной техники.Известен запоминающий элем МОП- транзисторах, содержащий триг двух активных и двух нагрузочных торов, 5 адресные транзисторы, разршины единиц и нулей, адресные шину восстанавливающих импульсов.Недостатком известного запоминающего элемента является сложенная схема и относи тельно большая площадь, занимаемая на подложке,Предлагаемый запоминающий элемент (ЗУ) отличается тем, что сток одного нагрузочного транзистора соединен с разрядной шиной 15 единиц, сток другого - с разрядной шиной нулей, а их затворы...
Предыдущий патент: Датчик локальных скоростей потока
Следующий патент: Устройство для определения неравномерностихода машин
Случайный патент: Способ количественного определения арпенала