Динамический элемент на мдп-транзисторах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 294252
Текст
294252 О П И С А Н И ЕИ 306 РЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СОЮЗ Советских Социалистических РеслублинЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 12.11.1970 ( 1404378/18-24с присоединением заявкиПриоритет МПК Н 031 с 1766 комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров СССРДК 681.325.65(088.8 Опубликовано 26.1.1971. Бюллетень6 Дата опубликования описания 24,П 1.1971 Авторыизобретени й, Г. В. Ноздрин и В. И 1 Шагйрий. ф нженерно-физический институт. Н. Кармази Заявител Московский НАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и предназначено для построения интегральных логических схем с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.Известен динамический элемент на МДП. транзисторах, в котором цепь разряда запоминающего конденсатора выполнена на двух транзисторах, в результате чего время разряда конденсатора ограничивает быстродействие элемента и требует увеличения размеров транзисторов цепи разряда. Предложенное устройство отличается тем, что цепь разряда запоминающего конденсатора выполнена на одном транзисторе, с затвором которого соединен исток вспомогательного транзистора.Это позволяет повысить быстродействие элемента и уменьшить размеры используемой полупроводниковой пластины.Схема элемента показана на фиг. 1. На фиг, 2 и 3 изображены эпюры напряжений в различных точках схемы при включении и выключении элемента соответственно.Элемент содержит запоминающий конденсатор 1 с цепью его заряда, выполненной на транзисторе 2, и с цепью разряда, выполненной на транзисторе 3, вспомогательный транзистор 4, входы 5, б и 7, выход 8. 2Устройство работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии на входе 7 элемента поддерживается высокий уровень напряжения, достаточный для отпирания транзистора 4 (эпюра 7, фиг. 2). Первый тактовый импульс (эпюра 5, фиг. 2) открывает транзистор 2, и конденсатор 1 заряжается от источника постоянного напряжения питания до потенциала, соответствующего высокому уров ню. По окончании первого импульса на входб подается второй тактовый сигнал (эпюра 6, фиг. 2), который через открытый транзистор 4 воздействует на затвор транзистороа 3 ц отпирает последний. За время действия второго 15 тактового импульса конденсатор 1 разряжается через канал открытого транзистора 3, и на выходе 8 устанавливается низкий уровень напряжения (эпюра 8, фцг. 2).Если в исходном состоянии на входе 7 под держивался низкий уровень напряженця (эпюра 7, фиг. 3), недостаточный для отпирания транзистора 4, то второй тактовый импульс (эпюра 6, фиг. 3) передается на затвор транзистора 4 через емкостной делитель, образуемый паразитной емкостью исток - сток закрытого транзистора 4 и входной емкостью затвора транзистора 3. Соотношение между этими емкостями таково, что напряжение ца затворе транзистора 3 оказывается недоста точным для его отпцрацця.294252 Предмет изобретения фиг 7 фи фиг Составитель В, Игнатущенкоедактор Ю, Полякова Текред Л. Я, Левина Корректор О, М. Ковалев Изд.278 Заказ 622/7 Тираж 473 Подписно ЦН 11 ИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Ж, Раушская наб., д. 475ппографпя, пр, Сапунова, 2 Поэтому цепь разряда конденсатора 1 остается разомкнутой, и на выходе 8 поддерживается высокий уровень напряжения (эпюра 8, фиг. 3). Таким образом, за время цикла происходит инверсия входного сигнала. Подсоединяя последовательно и параллельно транзистору 4 другие транзисторы, можно придавать элементу те или иные логические функции. При использовании четырехфазной системы питания элемент образует функционально полную систему. Динамический элемент на МДП-транзисторах, содержащий запоминающий конденсатор и цепи его заряда и разряда, а также вспомогательный транзистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения площади используемой полупроводниковой пластины, цепь разряда запоминающего конденсатора выполнена на одном транзисторе, с затвором которого соединен исток вспомогательного транзистора,
СмотретьЗаявка
1404378
МПК / Метки
МПК: H03K 17/66
Метки: динамический, мдп-транзисторах, элемент
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-294252-dinamicheskijj-ehlement-na-mdp-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Динамический элемент на мдп-транзисторах</a>
Логический элемент “исключающее или” на кмдп-транзисторах
Номер патента: 790340
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Грибов, Шафранский, Якушев
МПК: H03K 19/32
Метки: или, исключающее, кмдп-транзисторах, логический, элемент
...двунаправленного ключа, а затвор - к истокам транзисторовдвунаправленного ключа, к затворуи-канального транзистора и к шиневторого входного сигнала, сток и-канального транзистора подключается квыходной шине, а исток - к выходуинвертора.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема устройства.Устройство содержит инвертор 1,образованный р-канальным трназистором 1 э2 и и-канальным тразистором 3 ивключенный между шиной 4 питанияи общей шиной 5; выход инвертора 1подключен к затвору и-канальноготранзистора б двунаправленного ключа 7 и к истоку и-канального транзистора 8, а вход - к шине первоговходного сигнала А, к затвору р-.канального транзистора 10 двунаправленного ключа 7 и к истоку р-канального транзистора 11,...
Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах
Номер патента: 1530059
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения...
Устройство для защиты от перегрузок по току силового транзистора регулирующего элемента
Номер патента: 752602
Опубликовано: 30.07.1980
Автор: Реморов
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента
...элемента и один из выводов резисторного датчика 7 тока, аколлектор через резистор 10 соединенкатодом стабилитрона 11, анод которого соединен с выходной клеммой2 устройства, и анодом первого развязывающего диода 12, катод которого через ограничивающий резистор 13соединен с базой транзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключенсоответственно между управляющей 3и ныходной 2 клеммами устройства, ачерез последовательно соединенныеконденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительного транзистора 17,положительной обратной связи, коллектор которого через резистор 18 подключен к базе входного транзистора8 каскада защиты, а нторой раэвязывающий диод 19 катодом подключен кточке соединения конденсатора...
Устройство для защиты от перегрузок по току силового транзистора регулирующего элемента
Номер патента: 1035588
Опубликовано: 15.08.1983
МПК: G05F 1/58
Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента
...ограничивающий резистор 13 соединен с баэбйтранзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключен соответственно междууправляющей 3 и выходной 2 клеммами устройства, а через последовательно соединенные конденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительноготранзистора 17, коллектор которогочерез резистор 18 подключен к базевходного транзистора 8 каскада за-,щиты, а второй развязывающий диод19 катодом подключен к точке соединения конденсатора 15 и резистора 16и анодом - к выходной клемме 2 устройства, диод 20, соединенный катодом с эмиттерами входного транзистора 8 первого каскада защиты и первого согласующего транзистора 5 регулирующего элемента, при этом аноддиода 20 соединен с входной клеммой 1...
Двухвходовый элемент трехзначной логики на кмдп транзисторах
Номер патента: 1336226
Опубликовано: 07.09.1987
Автор: Виноградов
МПК: H03K 19/094
Метки: двухвходовый, кмдп, логики, транзисторах, трехзначной, элемент
...источников напряжения питания.На чертеже изображена электрическая принципиальная схема двухвходового элемента трехзначной логики на КМДП-транзисторах х. 15Схема содержит первую входную шину 1, первую шину 2 питания, общую шину 3, выходную шину 4, пять инверторов 5 - 9, вторую входную шину 10, вторую шину 11 питания, первая входная шина 1 соединена с входом первого инвертора 5, выход которого соединен с входом второго инвертора 6, выход которого соединен с истоком р-транзистора пятого инвертора 9, выход которого соединен с выходной шиной 4, а вход - с выходом четвертого инвертора 8, вход которого 25 соединен с выходом третьего инвертора 7, вход последнего соединен с второй входной шиной 1 О. Цепи питания первого, третьего и четвертого...
Предыдущий патент: Транзисторный ключ
Следующий патент: Быстродействующая интегральная транзисторнотранзисторная логическая схема
Случайный патент: Механизм решетных станов