Пороговое устройство

Номер патента: 525247

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп, транзисторах, усилитель-формирователь

...подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Епит - 0 о, где Уо - пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е - соС приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение воз- раСТЯЕТ ДО уроВНя, раВНОГО Увх+Епит - 0 где Увх - амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор 8 заряжается...

Номер патента: 1345339

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...который установитнизкие уровни напряжения на выходе20 51 инвертора 3 с токостабилизирующейнагрузкой и на выходах всех двухтактных усилителей, Высокий уровень напряжения установится на выходе 45усилителя 8 обратной связи и на выхо 25 де 79 предварительного усилителя 24низкого уровня, В результате на выходе 80 и на выходной шине 35 установится уровень напряжения, соответствующий уровню напряжения на шиЗО не 33, В это время происходит зарядвсех. накопительных конденсаторов доуровня питающего напряжения. Высокиеуровни напряжения установятся на выходе 74 четвертого инвертора 23, на35выходе 73 третьего инвертора 22 ина выходе второго инвертора 20, Врезультате на выходе 57 элемента2 И в И,ФЕ 21 установятся уровниянапряжения, равные уровню...

Номер патента: 1473072

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович, Филатов

МПК: H03K 19/00, H03K 5/00

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...и не замедлял процесс переключения, его проводимость за счет, например, шириныканала выбирается минимальной. Обецепочки последовательно соединенныхтранзисторов 5, 7 и 6, 8 второго типа как в статическом состоянии, таки в начале процесса переключения закрыты, так как на затворах попарновключенньм транзисторов присутствуют инверсные сигналы. Поэтому эти це-пи такхе не препятствуют быстромунарастанию выходного сигнала на первой выходной шине 13. При достижениина .этой шине напряжения больше порогового напряжения транзисторов второго типа четвертый транзистор 6 вто1473072. Формула изобретения Составитель В.ЛементуевТехред Л.Сердюкова Корректор И.Муска Редактор А,Огар Заказ 1 72 7/56 Тираж 880 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 333683

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Липовецкий, Проценко, Сивобород, Солод

МПК: H03K 3/33

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...напряжения источника питания на величину, равную двум пороговым напряжениям МОП-транзистора, Кроме того,они имеют большое потребление мощности встатическом режиме.С целью получения амплитуды выходного 15импульса, равной по величине напряжениюисточника питания, и уменьшения потребляемой мощности в статическом режиме в предлагаемом формирователе времязадающий конденсатор включен между истоком транзистора, 20затвор которого соединен со стоком и минусом источника питания, и выходом двухтактного усилителя,На фиг. 1 приведена схема предлагаемогоустройства; на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство состоит из МОП-транзисторов1 - 5 и конденсатора б.Напряжение, подаваемое на вход транзистора 5 двухтактного...

Номер патента: 503353

Опубликовано: 15.02.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 5/02

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в...