Формирователь импульсов на мдп-транзисторах

пц 503353 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских СоциалистическихРеспублик ВТОРСКОМУ Сви ЕТЕЛЬСТВУ) М,Кл. Н 0 Государственный комите овета Министров СССР по делам изобретений и открытий. Солод 71) Заявител 54) ФОРМИРОВАТ телям и мовах автомапульсов напоследоваядного трансатора, клюю между шим затвор зашиной источ го транзистогнала, нагрувор-исток ко- копительному ельностеи мплитуда- дополнивательных 20причемвой после- орами нащих послего транзи цепи соегрузочныхедователь- зарядных Изобретение относится к усил жет быть использовано в устройс тики и вычислительной техники.Известен формирователь им МДП-транзисторах, содержащий тельную цепь, состоящую из зар зистора, накопительного конден чевого транзистора и включенну нами источника питания, приче рядного транзистора соединен с ника питания, а затвор ключево ра - с источником входного си зочный транзистор, переход зат торого включен параллельно на конденсатору. С целью формирования последоват синфазных импульсов с разными а ми в предлагаемый формирователь тельно введены несколько последо цепей и нагрузочных транзисторов исток нагрузочного транзистора пер довательной цепи соединен с затв грузочных транзисторов последую довательных цепей, сток нагрузочно стора последней последовательной динен с шиной питания, а стоки на транзисторов предшествующих посл ных цепей соединены с истоками ПУЛЬСОВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ транзисторов, истоки нагрузочных транзисторов соединены с одной из обкладок соответствующих накопительных конденсаторов.На чертеже приведена схема предлагаемого у стройства.Устройство содержит зарядный транзистор 1 первой последовательной цепи, накопительный конденсатор 2, зарядный транзистор 3 второй последовательной цепи, нагрузочный транзистор 4, ключевой транзистор 5 первой последовательной цепи, накопительный конденсатор 6, зарядный транзистор 7, соответственно нагрузочный и ключевой транзисторы 8 и 9 второй последовательной цепи, накопительный конденсатор 10, соответственно нагрузочный и ключевой транзисторы 11 и 12 третьей последовательной цепи.В исходном состоянии, когда на вход усилителя подается отрицательный потенциал, транзисторы 5, 9 и 12 находятся в открытом состоянии и в точках в, г и е устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому. Транзисторы 8 и 11 закрыты. Происходит заряд накопительных конденсаторов 2, 6 и 10 соответственно через открытые транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в точке в значения, равного пороговому, транзисторы 8 и 11 открываются, потенциалы в точках г и е начинают возрастать, что приводит к увеличению отрицательного напряжения в точках бид,Увеличение отрицательного напряжения в точках б и д приводит к закрыванию транзисторов 3 и 7, исключая через них разряд конденсаторов 6 и 10, причем напряжение в точке д (Уе) составляет сумму напряжений в точке е (У) и напряжения на накопительном конденсаторе 10, которое равно Епит - Уо. Напряжение в точке б составляет сумму из напряжения в точке г (У) и напряжения на накопительном конденсаторе 6, которое также равно Епит - оВ установившемся режиме установятся следующие уровни напряжения в точках схемы Эти уровни напряжений устанавливаются при работе схемы на высокоомную нагрузку и при малых значениях паразитных емкостей по сравнению с наполнительными конденсаторами, В случае, когда имеет место емкостная нагрузка Сп и при равенстве емкостей конденсаторов 6 и 10, уровень выходного напряже ния определяется из выражения1 вых = в = - (ЗЕпит - 2 о)С+ Сп где С - суммарная емкость конденсаторов 610 и 8. С приходом отрицательного напряжения на вход устанавливаются потенциалы, соответствующие исходному состоянию. Формула изобретения 15 Формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержащий последовательную цепь, состоящую из зарядного транзистора, накопительного конденсатора, ключевого транзистора и включенную между шинами источника пи тания, причем затвор зарядного транзисторасоединен с шиной источника питания, а затвор ключевого транзистора соединен с источником входного сигнала, нагрузочный транзистор, переход затвор-исток которого включен па раллельно накопительному конденсатору, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью формирования последовательностей синфазных импульсов с разными амплитудами, дополнительно введены несколько последовательных 30 цепей и нагрузочных транзисторов, причем исток нагрузочного транзистора первой последовательности цепи соединен с затворами нагрузочных транзисторов последующих последовательных цепей, сток нагрузочного транзистора 35 последней последовательной цепи соединен сшинами питания, а стоки нагрузочных транзисторов предшествующих последовательных цепей соединены с истоками зарядных транзисторов, истоки нагрузочных транзисторов сое динены с одной из обкладок соответствующихнакопительных конденсаторов.