187410

Номер патента: 1473072

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович, Филатов

МПК: H03K 19/00, H03K 5/00

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...и не замедлял процесс переключения, его проводимость за счет, например, шириныканала выбирается минимальной. Обецепочки последовательно соединенныхтранзисторов 5, 7 и 6, 8 второго типа как в статическом состоянии, таки в начале процесса переключения закрыты, так как на затворах попарновключенньм транзисторов присутствуют инверсные сигналы. Поэтому эти це-пи такхе не препятствуют быстромунарастанию выходного сигнала на первой выходной шине 13. При достижениина .этой шине напряжения больше порогового напряжения транзисторов второго типа четвертый транзистор 6 вто1473072. Формула изобретения Составитель В.ЛементуевТехред Л.Сердюкова Корректор И.Муска Редактор А,Огар Заказ 1 72 7/56 Тираж 880 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 1539995

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Ахмеджанов, Гафаров, Ковалдин, Подопригора, Сеничкин

МПК: H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...каскада 1 с тремя состояниями закрыты. Выходная шина 9 устройства на10 5 15399ходится при этом в третьем состоянии.Переключение выходной шины 9 устройства из одного логического сос 5тояния в другое производится эасчет перехода через промежуточноесреднее значение, когда логическийблок 8 обеспечивает гретье состояние.Влок 3 управления совместно сблоком 2 восстановления уровней служит для подготовки переключениявыходной шины 9 устройства, Времяпереключения, т.е. время перезарядаэквивалентного конденсатора 23, пропорционально перепаду напряжений навыходной шине 9 устройства при переходе из одного логического состоянияв другое, который примерно равен 20напряжению питания.Принцип действия устройства основан на том, чтобы во время, при...

Номер патента: 333683

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Липовецкий, Проценко, Сивобород, Солод

МПК: H03K 3/33

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...напряжения источника питания на величину, равную двум пороговым напряжениям МОП-транзистора, Кроме того,они имеют большое потребление мощности встатическом режиме.С целью получения амплитуды выходного 15импульса, равной по величине напряжениюисточника питания, и уменьшения потребляемой мощности в статическом режиме в предлагаемом формирователе времязадающий конденсатор включен между истоком транзистора, 20затвор которого соединен со стоком и минусом источника питания, и выходом двухтактного усилителя,На фиг. 1 приведена схема предлагаемогоустройства; на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство состоит из МОП-транзисторов1 - 5 и конденсатора б.Напряжение, подаваемое на вход транзистора 5 двухтактного...

Номер патента: 420125

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/353

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...состояние) ца выходе формирователя (клемма 11) возникает отрицательный потенциал, который открываеттранзисторы 4, 5 и 6, при этом в точке а устанавливается низкий потенциал, близкий к потенциалу земли (фцг. 2, КД. В точках б и втакже устанавливаются низкие потенциалыь (фиг. 2, Уа, l,), так как транзисторы 5 ц 7заперты низким напряжением, поступающимна их затворы с выхода открытого транзистора 4,конденсаторы 10 и 13 в исходном состоянии30 заряжены до напряжения, равного потецциа420125 Предмет изобретения Г Йсл Составитель Ю. ЕркинРедактор Т, Морозова Техред Л, Богданова Корректор Л. Чуркина Изд.13сударственпопо делам иМосква, Ж6 Тираж 811о комитета Совета Министровобретений и открытий, Раушская наб д. 4(5 аказ 185813ЦНИИПИ одписьлзе...

Номер патента: 503353

Опубликовано: 15.02.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 5/02

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в...