Диэлектрический керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СО 8 ЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСГ 1 УБЛИ 5115 С 04 В 35/49 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕГПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР Е ИЗОБРЕТЕНИ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Воронежский политехнический ин ивлова, С.П.Рогова и 35/48, 1987льство СССР5/46, 1982.(54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИСКИЙ МАТЕРИАЛ(57) Изобретение относится к керамичесматериалам, предназначенным для исп С в течение 1 ч, ов осуществляют идарной серебряв течение 30 мин, еских параметрое а проводят на обдиаметром 10 мм и ится к керамическим аченным для испольке и электронике, в ении конденсаторов емпературой зависиЦель изобретения - повышение температурной стабильности диэлектрической проницаемости.Синтез составов осуществляют по обычной керамической технологии в две стадии, В качестве исходных компонентов используют следующие реактивы: К 2 СОз марки ч; В 203 марки о.х.ч., оксиды Т 102 и РЬО марок ч,д.а, 2 г 02 марки ч, Температура синтеза составляет 900 С, продолжительность 3 ч. Спекание образлектрические хаых составое приения ический матеК 0,5 В 0,5 Т 03, что, с целью стабильности сти, он содер(53) 666.638(088.8) (56) Заявка Японии " г-83365, кл. С 04 ВАвторское свидете Мг 939425, кл. С 04 В 3 Изобретение относ материалам, предназн зования е радиотехни частности при изготовл с компенсированной т мостью емкости. 50 1682352 А зоеания в радиотехнике и электронике, в частности при изготовлении конденсаторое. Цель изобретения - повышение температурной стабильности диэлектрической проницаемости, Диэлектрический керамический материал содержит дополнительно ЯГТ 103 при следующем соотношении компонентов, мас,%: РЬ 2 гОз 57,93 - 63,49; Ко,5 В 1 о,5 Т 103 15,76 - 17,30; ЯгТ 103 19,21 - 26,31. Материал получен по обычной керамической технологии: синтез при 900 оС 3 ч, спекание при 1200 С 1 ч. Материал имеето следующие характеристики: к при 20 С 1600-2400; ЬР в температурном интервале 20 - 85 С - 2,52 - 13,3%; р, при 20 С (1,2-1,5) 10 Ом см. 1 табл,цов проводят при 1200Металлизацию образцпутем ежигания скипной пасты при 800 СИзмерения диэлектричполученного материалразцах в форме дискатолщиной 1 мм.Составы материаларактеристики исследоваведены в таблице. Формула изобре Диэлектрический кера риал, включающий РЬ 2 г 03 отличающийся те повышения температурнои диэлектрической проницаем1682352 Составитель Н,СоболеваТехред М.Моргентал Корректор О.Ципле Редактор Н.Яцола Заказ 3381 1 ираж Подписное ВНИИПИ Государсгвенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 1 1.%35, Москва, Ж. Раушская наб,. 4/5Производст венно нздагельскЬй комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 жит дополнительно ЗгТОз при следующем соотношении компонентов, мас.: РЬУгОз 57,93 - 63,49;. КОБВ 05 Т 0 э 15,76 - 17,30; тОз 19,21 - 26,31.
СмотретьЗаявка
4720103, 19.07.1989
ВОРОНЕЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ГРИДНЕВ СТАНИСЛАВ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПАВЛОВА НАТАЛЬЯ ГЕОРГИЕВНА, РОГОВА СВЕТЛАНА ПАВЛОВНА, КОРОТКОВ ЛЕОНИД НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C04B 35/49
Метки: диэлектрический, керамический, материал
Опубликовано: 07.10.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1682352-diehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Диэлектрический керамический материал</a>
Способ разрушения зернистого материала с магнитными компонентами и устройство для его осуществления
Номер патента: 1583170
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Ворончихин, Первухин, Хопунов
МПК: B02C 19/18
Метки: зернистого, компонентами, магнитными, разрушения
....поля может быть гармоническим, соответствовать синусоидальному закону,Работа устройства в том случае,3 О когда используются источники переменного магнитного поля 5 (импульсного или комбинированного), когда частота этого поля превышает частотудвижения рабочих органов 2 (частотуциклов) аналогична описанной ранее,что следует из сравнения циклов деформирования (фиг. 6) и напряженности переменного магнитного поля(фиг. 8).4 О Рабочие органы 2 устройства могутбыть выполнены в виде щек, валков,конусной чаши или конуса, в зависимости от .применяемого для разрушения оборудования., 45 Способ и устройство проверены влабораторных условиях, Материаломдля разрушения служила железная рудакрупностью -12+8 мм, с массовой долей железа в ней...
Способ тарировки измерительных устройств с емкостным диэлектрическим датчиком
Номер патента: 127856
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Романенко
МПК: G01N 27/22
Метки: датчиком, диэлектрическим, емкостным, измерительных, тарировки, устройств
...условия.; . ограничивают область применения емкостных датчиков для анализа ил: контролирования тех или иных сред.При применении предлагаемого способа 1 арировку прибора с диэлектрическим датчиком производят на стабильных жидких моделях, дизлектрическая проницаемость которых соответствует лабораторным да- ным, полученным для образцов измеряемых сред.Способ предусматривает три варианта моделирования неустоинв ; сред на основе использования стабильных растворов. По первому варпан - ту для моделирования применяют стаоильный раствор, диэлектрнч -М 127856кую проницаемость которого устанавливают посредством изменения содержания того или иного компонента. По второму варианту используют стабильный раствор, требуемуо диэлектрическую...
Способ изготовления структур кремниевых интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов
Номер патента: 1222149
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер
МПК: H01L 21/74
Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...
Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем
Номер патента: 1471901
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер
МПК: H01L 21/82
Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...
Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем
Номер патента: 1480683
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Прокофьев, Урицкий, Шаталов
МПК: H01L 21/82
Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2
Предыдущий патент: Шихта для изготовления мелющих тел
Следующий патент: Сырьевая смесь для приготовления легкого бетона
Случайный патент: Жидкостной реостат