Шлакоситалл
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)с С 03 С 10/06 ЕТЕН оитРльным дм стеклолучаемых из бретения - ки. Для этодс.%. 5102 з 3,31-5,88,К 20 0,74,23; Сг 20 з 0,1-0 51; С составляет гическии о-тех нолпееваСмирнов,ев, С.В/06, 1970.ьство СССРО/06, 1985. пера) уре 30 50 ми д и осветлгния сте пердтуру вырдбото изводят вырдботк текло либо отжигдю термообрдбдтываю ) ие 30-45 ми н, л иб дют при температ 50-920"С без второ)ее Ъ После полноголомдссы понижной вязкостиизделий, Послепри 630-650 Спри 900-920 Ссразу термообрах кристаллиступени,В таблицеталла и свойств ропд от те и про этого с и далее в тече абатыг ции ведень составы шпдко мула оситдлл О, М 90, ающ ния инт ьно сод отношен ретенияющий 5102, А 120 зО, 5, СгзОЗ, Р 205тем, что с цельювыработки, он доОз и С 1 при следуонентов, мдс.%:44 24 5 З 686,43. ) . 433 31 5 8818,6 л 25 91 ШлаГе 20 з, Саотлирасширеполнителющем со502А 120Ре 20СаО, включа К 20, Ма 2 ийс я ервалд ержит 5 ии комп ГОСУДАРСТВЕ)НЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАН ОБР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетелМ 393220, кл, С 03 С 10Авторское свидетелМ 1351898, кл. С 03 С 1 Изобретение относится к строительным материалам, а именно к составам стекло- кристаллических материалов, получаемых иэ шихты на основе золы, применяется для изготовления облицовочных материалов и может быть широко использовано в химической, строительной и других отраслях промышленности,Цель изобретения - расширение интервала выработки,Технология получения эолоситалла не отличается от обычной стекольной технологии и включает варку. выработку, термообработку и отжигВ качестве основного сырья, содержащего 5102, А 120 з, Ге 20) СаО, М 90, 50 з, 5, К 20, йа 20, используют золу Эстонской ГРЭС: песок, соду, СГ 20 з, хлор в состав шлакоситалла вводят с помощью хлористого натрия, а Р 205 - через песок фосфоритного производства или фосфата аммония.Шихту загруж;)ют при 1300-1350 С. Варку стекол проводя) в шдмотных тиглях в газовой печи при 1410 1440 С с выдержкой(57) Изобретение относится к стр материалам, а именно к сосгд кристаллических материалов, по ших) ы на основе золы. Цель изо рдсширение интервала выработ го шпакоситдлп содержит, м 44,24-53,68, А 1)ОЗ 6,34-9,43; Ге 20 СдО 18,64-25,91; М 90 6,67-9,60 1,73; йа 20 3,55-5,09; Я 0,01-0 0,62-0,92; Р 20 Б 0,12-1,78; ЯОЗ 0,09-0,45. Интервал выработки 80-110" С. 1 табл. при мдксимдльнои тем1673553 М 90КгОМагО526,67-9,60 0,74-1,73 3.55-5,09 0,01-0,23 СггОзРг 0550 зС 0,62-0,920,12-1.78 0,1-0,510,09-0,45 Содержание компонентов, мэс., по примерам Состав шлакоситэлла и,свойства 96 85 90 90 110 80 9,1 9.7 9,1 9,7 10,1 9,5 0,8-0,9 0,7-0.9 0,7-0.9 0,15 - 1,1 1,0-1,2 0,4-0,6 Составитель Т,НикульниковРедактор М.Петрова Техред М,Моргентал Корректор В.Гирняк Заказ 2894 Тираж 298 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 5102 А 1203 ЕегОз СаО М 90 КгО МагО 5(з 5СггОзС 1Р 205 Выработочный интервал (Тц,ф.Тв.п.к. ) гп 1 п 19 цххПа с Размер кристаллов,мкм 49,88 7,45 3,90 21,40 8,48135 4,80 0,30 0,13 0,14 0,27 1,30 47,39 8,18 4,44 23,31 8,02 1,58 4,42 0,39 0,18 0,81 0,36 0,92 44,24 9,43 5,88 25,91 6,67 1,73 3,63 0,51 0,23 0,92 0,45 0,40 50,20 6,95 3,92 22,14 9,60 1,65 3,62 0,35 0,15 0,90 0,4 0,12 53,68 6,34 3.31 18,64 9,60 0,74 5,09 0,1 0,01 0,62 0,09 1,18 44,24 9,43 5,88 25.91 6,67 1,73 3,55 0,51 0,23 0,92 0,45 0,48
СмотретьЗаявка
4721288, 30.05.1989
МОСКОВСКИЙ ХИМИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. Д. И. МЕНДЕЛЕЕВА
САРКИСОВ ПАВЕЛ ДЖИБРАЕЛОВИЧ, СМИРНОВ ВАЛЕРИЙ ГЕОРГИЕВИЧ, ДЖУМАГУЛОВ САГЫНБЕК ДЖУМАГУЛОВИЧ, БОРКОЕВ БАКЫТ МАМЕТИСАКОВИЧ, ЩУКИН СЕРГЕЙ ВИТАЛЬЕВИЧ, ПУШКАРЬ ЮРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C03C 10/06
Метки: шлакоситалл
Опубликовано: 30.08.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1673553-shlakositall.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шлакоситалл</a>
Способ определения неоднородности распределения фаз в кристаллических материалах
Номер патента: 1670550
Опубликовано: 15.08.1991
Авторы: Барков, Бурыкин, Востриков, Жидков, Экк
МПК: G01N 23/20
Метки: кристаллических, материалах, неоднородности, распределения, фаз
...в каждом отдельном случае на трубке и счетчике устанавливали идентичные щели, с целью получения отдифрагмированного, с минимальной расходимостью, плоскопараллельного пучка. В одном варианте образец и эталоны снимали в статических условиях без вращения приставки, в другом включали равномерное вращение образца вокруг нормали к поверхности отражения с частотой 1 Гц.В последнем варианте при анализе относительной разности концентраций фаз съемки эталонов не потребовалось. так как значения интегральной интенсивности строго пропорциональны облучаемому объему при изменении вертикальной проекции пучка.Параметр неоднородности , П на 1=1 ходили иэ нижеприведенных соотношений, соответственно, для случая неподвижного и вращающегося образцаккп"=(- -...
Способ анализа структурного совершенства кристаллических материалов
Номер патента: 1800339
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Горбань, Самсоненко, Тимченко, Токий
МПК: G01N 24/10
Метки: анализа, кристаллических, совершенства, структурного
...вызвавших данный спектр, см з;Анализируют поликристаллическую алмазну 1 о пленку, синтезированную из газовой фазы по известной технологии, Методом ЭПР на частоте 35,5 ГГц проводили измерение плотности дислокаций в поли- кристаллической алмазной пленке, синтезированной из газовой фазы с плоскостями роста (И 1. Образец мог содержать дислокации, лежащие в плоскос;ях (И), ,ориентированные в направления 110. ввввй бразые дмежду ний и(56) Авторское свидетельство СССМ 546814, кл. О 01 М 27/78, 1977Авторское свидетельство СССМ 1437752, кл, О 01 И 24/10, 198 НАЛИЗА СТРУКТУРНОГО ВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ1800339 Составитель С.ГорбаньТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар Редактор Заказ 1160 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...
Способ получения аморфных (стеклообразных) твердых тел
Номер патента: 975198
Опубликовано: 23.11.1982
Авторы: Белов, Набережных, Фельдман
МПК: B22D 27/00
Метки: аморфных, стеклообразных, твердых, тел
...обрабатываемых исходных кристаллических материалов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, включающему плавление исходного кристаллического материала, воздействие на него высокого давления и последующего охлаждения, на исходный кристаллический материал, воздействуют импульсным давлением со скоростью нарастания О - 10 кбар/с до величины, соответствующей температуре плавления, а охлаждение и снижение давления до нормальных условий осуществляют с той же скоростью путем адиабатического расширения.На чертеже представлена фазовая Р - Т диаграмма состояния конденсирован ных систем.Если на такой диаграмме изобразить в виде линий зависимости от давления температуры плавления исходного кристалла Тп (р) и температуры...
Установка для деформирования кристаллических материалов при ультразвуковом воздействии
Номер патента: 647595
Опубликовано: 15.02.1979
Авторы: Волчок, Гиндин, Малик, Неклюдов
МПК: G01N 29/00
Метки: воздействии, деформирования, кристаллических, ультразвуковом
...нижнему концу образца крепится ферромаг 5чик амплитуды ультразвуковых колебаний 4, . нитная насадка (например, посредством источника ультразвуковых колебаний, сос- сварки или пайки), входящая в катушку тоящего из магнитострикционного преобра- индуктивности, т, е. в установку монтируетзователя 5 и концентратора 6, катушки ин- ся пара, состоящая из образца и ферромагдуктивности 7, захвата тяги 8. 1 п нитной насадки.Установка дает воможность проводитьМагнитострикционный преобразователь, испытания образцов на растяжение при концентратор и образец представляют собой ультразвуковом воздействии и ультразвукоедйную колебательную систему, Образец 9вую обработку кристаллических материалов одним концом помещен в Электромагнитную непосредственно в...
Способ определения термического коэффициента сжимаемости диэлектрических и кристаллических материалов
Номер патента: 693193
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Баталов, Ильчук, Ключник, Лобачев, Смирнов
МПК: G01N 25/16
Метки: диэлектрических, коэффициента, кристаллических, сжимаемости, термического
...а- ,. +,ц. (6) х ю Ч 7 Ж18 -термический коэффициент сжидмаемости эталонного стержня вв температурном материалеЬТ: Т - Т, измерений,55 Погрешность термического ко эффициента сжимаемости диэлектрических и кристаллических материалов равна 0,5%. ОпЬТ - т -т,Недостатки известного способа состоят в том, что применение его ограничивается лишь электропроводящими материалами; наряду с дилатометрическими из", мерениами используется и калориметрирование, что увеличивает время одногозамера; точность определения ограничивается точностью измерения тока и напряжения ( абсолютная "погрешность измере ний поэтому достигает 2-3%); высокиетемпературы электронагрева дают большиепогрешности и требуют лучшей термоизоляции, что усложняет измерения.Белью...
Предыдущий патент: Стекло для соединения керамических материалов
Следующий патент: Материал для защиты стекла
Случайный патент: Гидросистема управления насоса, регулируемого по давлению