Способ изготовления образца для контроля микроскопов

Номер патента: 1758678

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бойко, Дудкин, Магунов, Сухарев, Цацко

МПК: H01B 19/00

Метки: подложке, покрытия

...мкм не приводит к дальнейшему увеличению качества обрабатываемого покрытия.Способ осуществляют следующим образом.П р и м е р 1, В вакуумной камере методом электронно-лучевого испарения одновременно на кремниевую пластину и напластину плавленого кварца из таблетки 30твердого раствора диоксида гафния с20 мол.полуторного оксида неодима проводилось осаждение диэлектрическогослоя.Таблетку твердого раствора состава 3520 мол,% й(120 з - 80 мол.% Н 102 получаютследующим образом,Смешивают 75,9 мл хлорокиси неодимас концентрацией по г 1 б 20 з 386,7 г/л и 457,84мл хлорокиси гафния с концентрацией 160,3 40г/л по Н 102, Раствор разбавляют дистиллированной водой до 3-3,5 л и при постоянномперемешивании проводят осаждение 25 ным аммиаком до рН...

Номер патента: 1045090

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Мочалов, Янышев

МПК: G01N 19/04

Метки: образца, подложкой, покрытия, прочности, сцепления

...измеряют температурные ксзффпциенты линейного расширенияподложки без покрытия ц подложки спокрытием в момент полного выравнивания температуры нагрева по всему объемув области упругих деформаций ц определяют разцость этих коэффициентов, кстсьрчо учитывают при определении прочноогц сцепченця,Сущность предлагаемого способа заклсчйетс я в следующсмМатериал подложки подвергают термсобработке для снятия внутренних напряжений, Температуру нагрева определяст цс рсзснансным частотам вьшужценцых кслебаций материала подлокки в упругой облагги, Для этого берут несколько подложек одного материала и измеря 1 ст цх резонансную частоту затем тер-мссбрабатывают их прц одинаковых режимах, оставляя без изменения времявыдержки скорость...

Номер патента: 1071993

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Зеленина, Постников, Табатадзе

МПК: G03G 5/082

Метки: аморфного, вакууме, информации, испарением, носителей, подложку, селена, электропроводящую

...Толщина Фототермопластического слоя 2 мкм. Материал высушивают в вакуумном шкафу прн комнатной температуре в течение 2 ч.П р и м е р 2. Образец Фотатермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 1, с той лишь разницей, что давление остаточного газа при получении слоя селена составляет 1 10 5 мм рт. ст., скорость движения подложки 5 м/мин, толщина слоя селена 0,12 мкм.П р и м е р 3. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 2, с той лишь разницей, что скорость движения подложки составляет 7 и/мин,П р и м е р 4. Термическим испарением в вакууме 8 10- мм рт,ст. наносится слой аморфного селена со скоростью 12 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталонную подложку с проводящим слоем хрома. Скорость...

Номер патента: 1733977

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Жуков, Мастерова, Цомаев

МПК: G01N 19/04

Метки: металлической, напыленного, образца, подложкой, покрытия, прочности, сцепления

...струйно-абразивную обработку торца штифта, формируют кольцевой экран, перекрывающий зазор между штифтом и обоймой и предназначенный для предотвращения попадания материала покрытия в указанный зазор, и наносят на торец штифта и экран покрытие, формирование экрана осуществляют из материала обоймы путем ее струйно-абразивной обработки, а торец штифта располагают ниже торца обоймы на величину, которая больше величины зазора между штифтом и обоймой, но меньше диаметра абразивных частиц, используемых при струйно-абразивной обработке.На фиг. 1 приведена схема, поясняющая реализацию предлагаемого способа; на фиг.2 - геометрическая модель,В процессе сборки образца перед испытанием штифт 1 устанавливают в отверстие обоймы 2 на величину ниже...

Номер патента: 1165948

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Бабурина, Берзин, Довбыш, Лозинский, Нестеренко

МПК: G01N 19/04

Метки: образца, подложкой, покрытия, прочности, сцепления

...нанесением нескольких слоев, количествокоторых определяется возможностямииспользуемого оборудования и тол 1015 20 25 30 3540 45 50 55 щиной покрытия 4 в образце, Для исключения образования шлаковых раковин между слоями наносимого покрытия 4 производят оплавление каждого вго слоя. Температуру. оплавления слоев выбирают ниже температуры плавления материала подложки 1, поэтому на вертикальной границе сплавления покрытия 4 с подложкой 1 материал последней не расплавляется и покрытие 4 соединяется с материалом подложки 1 за счет диффузии.При этом на вертикальной стенке 5 канавки 2, которая определяет границу сплавления подложки 1 с покрытием 4, образуется равномерное по поверхности сцепление покрытия 4 с подложкой 1 ввиду наличия...