Сегнетоэлектрический керамический материал

ZIP архив

Текст

(1-х) РЬТшо МЬ 0 - х РЬТдО при х = 60-95 мол.% как сегнетоэлектрические.В табл,1 приведены составы, в табл.2 - характеристики материала. Формула изобретения Индекс керамического материала Состав, мас.Х Химическая формула РЬО ТдОТш О ЯЬО Ь (Тшо,2 Р 0,202. 0,60) О 3 РЬ (Тта,иЬОТ 2 О 2 ) ОРЬ (олоЬоюТд. о Ьо) ОРЬ (ТтафрББЬорвТ 2. О 90 ) ОРЬ (тшодРЬц 2 т 2 о чад О) 31,47 7,91 8,82 6,08 6,03 4,16 3,10 2,13 1,57 1,08 14,25 17,05 19,99 23,09 24,70 66,37 68,05 69,82 71,68 72,65 100 М100 М100 М100 М100 М-б Т абл и ц а 2 зе зезаз азеза зе зазазазезе зеаеза еаза азааеза за Свойства М-.2 ММММ.Прототип Т, С 450 Етк 3900 Рг. с 125 едоос 1 8 Рс;1 О. кл/м ф 2, О Е, кВ/м 20 О 464 4000 115 2,0 3,0 . 3004583950 120 198 2,5 250 472 4803950 3900 310 110 2,0 2,2 2,5 2,0 250 200 360-400 300-350 1,0-2,5 3 Рс " спонтанная поляризация, Е к - коэрцитивное поле, Методика испытаний соответствовала ГОСТ 12370-80. Редактор Т,Лазоренко Составитель Л.Косяченко Техреду М,Ходанич Корректор Т,Колб Заказ ."704 Тираж 53 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 1Производственно-издательский комбинат "Патент",.г.ужгород, ул. Гагарина,101 Измерения диэлектрической проницаемости н тангенса угла диэлектрических потерь выполнены на приборах Е 8-4 (измеритель емкости цифровой)5 и МЛЕ(мост переменного тока), По 3 решность измерения не превышала Я+1 , ЕЕ 8+0,1%.Температурныезависимостии 188, измеренные в слабых полях при час,тоте 1 и 5 кГц, показали, что днэлектр ческая проницаемость и тангенс уг а диэлектрических потерь проходят0 че ез четкий максимум при 450-480 С в зависимости от химического состава твердого раствора, При комнатно температуре наблюдаются петли диэлектрического гистерезиса (ч стота 50 Гц),Вышеуказанного достаточно, чтобы20 ид нтифицировать твердые растворы Сегнетоэлектрический керамический материал, включающий РЬО, ТдО, НЬО , оксид лантаноида, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения температуры Кюри, он содержит в качестве оксида лантаноида ТшО приследующем соотношении ком" понентов, мас. .:РЬО 66,37-72,65Т 10 а 14,25-24,70НЬ 20 1,08-7,91Тш 20 э 1,57-11,47Таблиц а

Смотреть

Заявка

4639848, 19.01.1989

ЛЕНИНГРАДСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. ЛЕНСОВЕТА

АНДРЕЕВА ИРИНА АНАТОЛЬЕВНА, КОЗЛОВСКИЙ ЛЕВ ВАСИЛЬЕВИЧ, КОСТОМАРОВ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, МИХАЙЛОВА ЛАРИСА ИГОРЕВНА, МОРОЗОВА ТАТЬЯНА ДМИТРИЕВНА, МОСКАЛЕВ ВЛАДИМИР ИОСИФОВИЧ, СТРАХОВ ВЯЧЕСЛАВ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C04B 35/472

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

Опубликовано: 30.11.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1609780-segnetoehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический керамический материал</a>

Похожие патенты