Запоимнающее устройство

(23) Приоритет зннударстнвннмй комитет СССРао делам изобретений н открытийДата опубликования описания 10.07.80(7 Заяви еаявительКиевский ордена Ленина политехнический институтим, 50-летия Великой Октябрьской социалистическойеволюции(54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 3Изобретение относится к вычислитель ной технике и может быть использованопри построении микроминиатюрных устройств, где требуется хранение дискретной информации, представленной болев, чем двумя уровнями.Известны запоминающие устройства (34) содержащие пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающегопьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, с нанесенной на ее противоположные стороны системойэлектродов., Одно из известных ЗУ содержит пластину из сегнетоэлектрического мате-. риала, на разныхсторонах которой расположены электроды возбуждения и выходные электроды (11 .Недостатком ЗУ является возможность хранения лишь двух дискретных уровней "информации.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является ЗУ, со1 держащее сегнетоэлектрическую пластину,2обладающую пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения и электроды записи, на другой стороне пластины против первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения и выходные электроды 12Недостатком известного устройстваявляется способность хранения информации, 1 Опредставленной лишь двумя дискретными уровнями, что не позволяет использовать это устройство в многоустойчивых цифровых системах и ограничивает его информацион)ую емкостьЦелью изобретения является повышениеинформационной емкости известного ЗУ.Поставленная цель достигается тем,что ЗУ, содержащее пластину из сегнетоэлектрического материал, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения и параллельно ему выходной3 7467 электрод, а на другой стороне пластиныпротив первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения, и формирователи сигналов записи, содержит на другой стороне пластины иэ сег 5нетоэлектрического материала против выходного электрода электроды записи ивспоМогательные электроды по числу устойчивых информационных состояний устройства, причем электроды записи подключены к соответствующим формировате лям сигналов записи; а вспомогательныеэлектроды - к шине нулевого потенциала.На чертеже изображена конструкция ЗУ,Предложенное ЗУ содержит пластинуиз сегнетоэлектрического материала, обладающего пъезоэлектрическими свойствамив поляризованнм состоянии. На одну изсторон пластины 1 нанесен первый электрод 2 возбуждения и параллельно ему выходной электрод 3. На другую сторонупластины 1 против первого электрода 2возбуждения второй электрод 2 возбуждения против выходного электрода 3 нанесены электроды 4 записи и вспомогательные электроды 5. К электродам 2 возбуждения подключен формирователь 6 сигналовсчитывания, к выходному электроду подключен усилитель 7 считывания. Электрс- ды 4 записи подключены к формирователям зо8 разнополярных сигналов записи. Вспомогательные электроды 5 подключены к обшей точке.В общем случае для .хранения информации, имеющей максимальное .число уровнейЙ (информационные сигналы уровня И ),устройство имеет Й электродов 4 записии такое же количество вспомогательныхэлектродов 5.Запись информации в устройство производится следующим образом.Для записи дискретного информационного сигнала уровня К с К формирователей 8 сигналов записи подается напряжение записи на К электродов 4 записи, подклю 45ченные к этим формирователям, создающее поляризацию сегнетозлектрического мат риала пластины 1, находящегося в зоне перекрытия электродов 4 записи и выходного электрода 3 (подключенного через входные цепи усилителя считывания 7 к обшей точке), равную по величине и направлению поляризации сегнетоэлектрического материала пластины 1 в зоне перекрытия вспомогательных электродов 5 и выходного электрода 3, С остальных (И-К) формирователей 8 сигналов записи нв (М-К) электрод 4 записи, подключен 25 4.ные к этим формирователям, подается напряжение записи, создающее поляризацию сегнетозлектрического материала пластины 1, находящегося в зоне перекрытия электродов 4 записи и выходного электрода 3, равную по величине, но знак которой противополсжен знаку поляризации сегнетозлектрического материала пластины 1 в зоне перекрытия вмпомогательных электродов 5 и вьгкодного электрода 3.При считывании информации все электроды записи 4 подключены к обшей точке. Импульс считывания с формирователя 6 подается на электроды возбуждения 3, В силу явления обратного пьезоэффекта, возбуждается волна механической деформации, распространяюшаяся в материале сегнетозлектрической пластины. По достижениимеханической волной зоны выходного электрода 3, на последнем, в силу явления прямого пьезоэффекта, индуцируется электрический заряд, источниками которого являются элементарные пъезопреобразователи, образованные в зонах перекрытия электродов записи 4 и вспомогательных электродов 5 с выходным электродом 3. Каждый из элементарных пъезопреобразователей индуцирует заряд, мгновенное значение которрго равно+с или -с). (знак заряда определяется направлением поляризации сегнетоэпектрического материала данного элементарного пъеэопреобраэователя). Если мгновенный заряд, индуцируемый элементарным пъеэопреобразователем, образованным в зоне перекрытия выходного электрода 3 и одного из вспомогательных электродов 5 + с., то суммарный мгновенный электрический заряд, индуцируемый на выходном электроде 3 для рассматриваемого произвольного случая (считывание записанного дискретного сигнала уровня К) пропорционален количеству уровней К записанного многоуровневого сигнала.При использовании предложенного запоминающего устройства в вычислительных устройствах уменьшается физический объем и количество применяемого оборудования,значительно снижается потребляемая мощность и длительное .хранение информации беэ затрат внешней энергии, а также ее считывание без разрушения.Формула изобрет енияЗапоминающее устройство, содержащеепластину из сегнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии,Составитель Ю, Розентальедактор М, Недолуженко Техред Л. Теснюк Корректор М. и Заказ 4 1 12/22 Подписи Р Тираж 662 ПИ Государственного комитета СС делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская набд. 4/5 филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 5 746725 6на одной из сторон которой расположен информационных состояний устройства, припервый электрод возбуждения и параллель- чем электроды записи подключены к соотно ему выходной электрод, а на другой ветствуюшим формирователям сигналовстороне пластины против первого электро- записи, а вспомогательные электроды - кда возбуждения расположен второй эле-шине нулевого потенциала,ктрод возбуждения, и формирователи сигналов записи, о т л и ч а ю ш е е с я Источники информации,тем, что, с целью повышения информаци- принятые во внимание при экспертизеонной емкости устройства, оно содержит, 1. Патент США3733590,на другой стороне пластины из сегнето- О кл, 340-174, 1971,электрического материала против выходно, Авторское свидетельство СССРго электрода электроды записи и вспомо-556497, кл. 6 11 С 11/22, 1977гательные электроды по числу устойчивых (прототип).