353219

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 10.111,1971 ( 1632440,18-10)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 29,Х.1972, Бюллетень2Дата опубликования описания 19.Х 11.1973 М. 1 л. 6 01 г 33/02 осударственный комитетСовета Министров СССРпа делам изобретенийи открытий К 621.317,42(088.8 АвторыизобретенияЗаявитель А. Мезрин Шахов Рекаловя и А. еский институт Ленина) В, Персиянов, Г. Иадский электротехн 1м. В. И, Ульянова ени УСТРОЙСТВО Д ЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ лясть высокой рекомбинации, где они рекомбнннруют, вследствие чего в цепи коллектораменьшаеся ток.Известное устройство характеризуется неВысокой чх Вствительностью к мяГнитному полю, св 51 занн 011 с малыми скоростями диффузионного движения неосновных носителей, и сложностью технолоГии, тяк кяк при изГОтОВ- ленни требуется очень точно соблюдать рассчитанную геометрию (небольшис отклонения От нее приводят к резкому ухудшению рабочих парахСтров).Для повышения чувствительности к магнит:ому полю в транзистор введены два кольцевых базовых электрода, один из которых расположен между эмиттером и дополнительным коллектором, а;1 ругой - вокруг этого коллектора.11 а фнг. 1 изображен чувствительный элемен:", на фнг. 2 - хема его вкл 1 очеИя,Чувствительный элсмент содержит эмиттер 1, основной коллектор 2, цилиндрический до;ОгИительный коллектор 3, кольцевой базовый электрод -1 вокруг эмнттеря, кольцевой Оазовын электрод а Вокргколлектора, с 011 иотнв,сине 6 ООр 1 тн 011 связи по напряжс:Ию, 1 агрузочос сопротивление 7 дополнительного коллектора, нагрузочное сопротивление 8 основного коллектора, потенциомстр 9 реглировкн уровня инжекции, по 2 Предлагаемое изооретение относится к ооласти измерительной техники и может Оыть использовано для измерения величины индукции магнитных полей, в частности для исследования радиальносимметричных магнитных полей фокусирующих систем электроннолучевой техники,Известны устройства для измерения магнит. ных полей, содержащие чувствительный элемент, выполненный в виде транзистора, напряжение на нагрузочном сопротивлении которого изменяется в соответствии с величиной индукции измеряемого магнитного поля.В известном устройстве в качестве чувствительного элемента применен биполярный плоскостной транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, в базовую ооласть которого с целью повышения чувствительности введена зона высокой рекомби;ации или дополнительньш коллектор в виде цилиндра вокруг эмиттера, причем внутренний диаметр ЦИЛИНДРЯ ТЯКОВ, ЧТО В 01 СУТСТВИИ МЯГНИТНОГО поля основная часть потока инжектированных эмиттером неосновных носителей, минуя зону высокой рекомбинации, достигает коллектора. Измеряемое магнитное поле, направленное параллельно плоскости эмиттера и коллектора, воздействуя посредством силы Лоренца на движущиеся вследствие диффузии неосновные носители, отключает их от коллектора в обБза.1 сн нан с Яданнога) ) С 1.П П 51 нпя магпптпьх посмсптом, дыполпс:1- Пан 5)КС:ПС Пс 1;Я 1.О т О 1) О го и 3 ъе и 5 е . лей с чувстдптегьпьм э пым в виде транзистора грузочпом Со.1;)отидлепи 1 иг. 2 Светаител 1, Ь, Коншин)е)актор С, Хейфиц Техре; Л. Ьотдаиова Корректоры: Л, Коротоди А. Николаева Над. М 1074 Тираееуда)ееиаео коитета Совеа ииа делам изобретеий и открь 31 ОЕКВа, /К-Зд, 1 сМШЕКс 5 Иац.,32)о( 7 ооМии:строк СССии15 1 одино и Кс ЦНИИ 111 31:ЯГра 1 и 51, и. Саиуиова,тепциометр 10 регулировки 0 а д базе., источник 11 пита 1 ия.УСтРОйетВО РаООтаЕТ С;Сцт ЮЩПМ Об:)сЗо)1.Чувствгтелыыг элсме. 31 поСп 110 схеме с общим эмиттером 1 фг, 2), на базодыс ЭЛЕтродЫ 1 И д Подсино,сн 1)51 ЖСПИС О 510- тычинка питания 11, и, ела 01)ятсльно, В оа- ЗЕ ТР 25 ЗИСТОРЯ, ПРОТОс 1 СТ 10. 11 П)КСКИРО- ванные эмиттсром 1 сос;103:ыс посптслп ДВИ 1210 тс 51 к Осповпо)1 0,1:1 ск О 2 дс,сд- Т 0 ствис диффузии и дрспфа. ы отстстдии ма- нитного поля режим работы задаегс тяк:м, что поток пеосновпых носителей целиком до- СТИ 12 ЕТ ОСПОВПОГО 1 ЮЛЛСКТОРс 1 - , МППУ 51 ДОПОЛПИТСЛЫЫп КОЛЛС 11 ТОр с). 3 ГО,ОСТИЯСТС 51 15 как заданием геометрии чувсВ:ТельОго элемента, так и подоором у)031:51 ппжскци:1 эмиттеря и электрического поля д о-зс.1 аким ооразом,стропство позволяет пзхСП 5 Ть соотношу ис между дифф)з;1 Оппой н 20 дрсифовой частями тока псосподпых посл 1 сЛСй. 12;1 ИЧИС ОЛЬЦЕДОО Ос 3030."0 ЭЛС 1 ТРО- .а 1, расположешого д снос;)с;Ствсн 1 ой близости от э:Иттера, приводит " увелиОпию ипжскции 112 его раях (красно эфрскт 25 эмиттера прп наличии кольцевой базы). Зтог эффект при наличии тек) щего элсктри 1 ссого поля 3 базе приводит к резкому;рострапственному огранпчепшо потока псос 1 овных носителей и и повышенио концентрации 30 носителей па его краях.Измеряемое магнитное поле, папрадлспи Ос и 21) ал;1 слы 10 пл Осеост 51 ь э. итте р 2 и 1,Оллектора, отклоняет движущиеся через о азу пеосновпыс носители от осповно:о коллсктс ра к дополпитсльпому колгСк)ору, и, сл,о- ВЯТСЛЬПО, В ЦЕПИ ОСПОВПО 0 10,1,ЕКГО,)Я ТОК уменьшается, а в пепи до;ол 1 Итс,Ы.ого коллектора увеличивается. ся 3 сзоВстстдии с Ве,тичиной инлукпии изчс 1)5 ОаОг) мя 1:Итно: о поля, на:1 равленного пар ил Пел ыо плоскостям электронно-дырочпь 1 х пссходов эх 5 ттсдя и ко;1 лс 1,т 01 ра, со- ,СР)ксПСС .ОПОЛППТЕЛЫЫЙ КО;11 СКТОР 3 ВИДЕ ЦИЛ И ПДР а ВОКРГ ЭМИттЕРа, От.исаОЩЕЕСЯ тем, что, с целью повышения чувствительности к манитному 1 Олю, в транзистор введены,Вя: ольцсдых оязовых электрода. один 13 которых ряс:сложен между эмиттером и дополнительным коллектором, а другой докру: это)о коллектора,