Способ изготовления плоских деталей из металлических порошков

Номер патента: 633705

Опубликовано: 25.11.1978

Авторы: Баронин, Богданов, Хмелев

МПК: B23P 3/06

Метки: алмазного, ленту, металлическую, нанесения, порошка

...тонкий слой 2 липкого состава и обсыпают алмазным порошком 3, так, чтобы вся лента покрылась равномерным слоем прилипшего алмазного порошка. Затем ленту помещают между двумя тонкими обкладка. ми 4 иэ закаленной стали и прокатывают между валками 5 для вдавливания алмазного порошка в ленту. После этого обкладки снимают.Пример. Никелевую ленту толщиной 0,05 или О, мм разрезают на мерные заготовки длиной - 320 мм и шириной30-40 мм и отжигают в водородной печи (восстановительный отжиг), Затем на ленту с обеих, сторон пульверизатором наносят липкий состав толщиной 5-10 мкм, после чего лента тщательно обсыпается алмазным порогцком (например, АСМ 40/28 или АСМ 60/40). Излишний порошок стряхивается. Лента должна быть равномерно покрыта...

Номер патента: 1336106

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, плоских

...4 в форме ромба. Край аппликации 4 (вершина ромба) расположена в одной вертикальной плоскости с торцом высококоэрцитивной ферромагнитной 1-образной аппликации 5, размагничивающее поле Н"к которой формирует канал продвижения ПМД.Генератор ПМД работает следующим образом.Под действием наносекундного импульсного магнитного поля Н. известной величины и формы в ферромагнитной пленке 1 возбуждается высокочастотное сползание доменных границ, При приложении однородного магнитного поля Нл, удовлетворяющего условию( Нр + Нлок) ) Нл) )Нл.крит., (1) где Н; - текущее значение однородногомагнитного поля;Н - размагничивающее поле низкокоэрцитивной ферромагнитнойпленки в области действия НН - размагничивающее поле предварительно насьпценной...

Номер патента: 1013099

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Дорожкин, Жибуль, Кашицын, Кот

МПК: B22F 7/02

Метки: детали, металлического, покрытия, порошка

...магнитного поля на электропроводящий элемент. 1 5 10 15 20 25 30 ется в момент, когда контактные микрообъемы частиц находятся уже в охлажденном состоянии, Осуществление синхронизации процессов нагрева и прессования в известной установке технически сложно. Это требует введения дополнительных устройств, управляющих разрядниками, Кроме того, использование двух коммутирующих устройств усложняет установку.Целью изобретения является повышение физико-механических свойств по.крытия путем устранения выдержки между этапами нагрева и прессованияПоставленная цель достигается тем,что в установке для получения на детали покрытия из металлического порошка, содержащей индуктор емкостный,накопитель для прессования, включенный параллельно индуктору и...

Номер патента: 532130

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...В то же время коэффициент 6 пропорционален ширине канала, поэтому ограничение величины а не повышает чувствительность считывающего устройства.С целью повышения чувствительности магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов в нем наклонный участок канала распространения доменов выполнен в виде гребенки с параллельными ветвями, оси которых расположены под углом 20 - 40 к оси легкого намагничивания магнитной пленки.На фиг. 1 и 2 изображены возможные конструкции магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов.Устройство содержит низкокоэрцитивный канал 1, предназначенный для управляемого распространения домена обратной намагниченности по высококоэрцитивной магнитной пленке 2 и...

Номер патента: 533982

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...канала распространения плоских магнитных доменов, выходной участок которого выполнен симметрично относительно оси канала.На фиг, 1 и 2 изображены возможные конфигурации магниторезистивного устройства,Устройство содержит канал 1 распрострапения плоских магнитных доменов, расположенный в тонкой магнитной пленке 2 и имеющий выходной участок 3, симметричный относительно оси 4 канала. Ось канала направлена параллельно оси 5 легкого намагничивания пленки 2. Измерительный узел подключают к контактным площадкам б, 7 и 8, Два плеча симметричной структуры измерительного узла включают в измерительную схему как смежные плечи моста, причем контактная площадка 7, пересекаемая осью 4 канала, является общим контактом двух смежных плеч...