Устройство для создания стабильного магнитного поля

Номер патента: 1054752

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Линев, Лисовский, Муравский, Фурса

МПК: G01N 24/10

Метки: аппаратуры, источник, магнитного, поля, поляризующего, спектрометрической

...аппаратуры содержит постоянный магнит 1, включенный в магнитопронод 2 с рабочим зазором 3 и механизмом 4 перестройки магнитного поля, блок 5 управления магнитным полем, датчик б магнитного поля, программируемый генератор импульсов 7, катушки 8 импульсной модуляции, между которыми размещен датчик б магнитного поля, схема 9 выборки-хранения, усилитель 10 ошибки, блок 11 коммутации. Первый выход программируемого генератора импульсов 7 соединен с катушками 5 8 импульсной модуляции, второй выход с стробируемым входом схемы 9 выборки-хранения, а третий выход - с коммутирукщим входом блока 11 коммутации, схема 9 выборки-хранения, уси литель 10 ошибки и блок 11 коммутации соединены последовательно и включены между, выходом датчика б магнитного...

Номер патента: 1531669

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Алексеев, Силантьев

МПК: G01R 33/035

Метки: магнитного, поля

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ, включающий в себя модулирование компонент постоянного магнитного потока через приемные контуры компонентов СКВИД-магнетометра, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности, модулирование производится посредством изменения магнитной проницаемости модулирующего элемента, а модуль и направление магнитного поля определяют по измеренному числу квантов магнитного потока, известным размерам и положению модулирующего элемента и изменению магнитной проницаемости в соответствии с формулойгде j=x,y,z;Фк - изменение магнитного потока, измеренное...

Номер патента: 866513

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Проскурякова, Чебурков, Ягола

МПК: G01R 33/02

Метки: значений, импульсного, индукции, магнитного, максимальных, поля

...14 прямоугольных импульсов. Затем изменяют значениесопротивления резистора 12 фотодетектора 10 и тем самым изменяют максимальное значение переменного сигнала импульсов прямоугольной формы, поступающегона вход 18 дифференциального усилителя1 7, до тех пор, пока на экране осциллографа зафиксируют нулевой уровень (отсутствие прямоугольнЫ импульсов напряжения при максимальной чувствительности осциллографа). Включают источник 6постоянного токе и устанавливают некоторое значение индукции В постоянного магънитного поля меры 5 индукции и тем самым поворачивают плоскость поляризациисветового луча и в датчике 7 фарадея постоянного магнитного поля длиной 80 наугол с 1, который описывается выражениемО О(1)где М 0 постоянная Верде материаладатчика...

Номер патента: 1043754

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веселов, Ширшов

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик

...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...

Номер патента: 1282025

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Попов, Прочухан, Руд, Скорюкин

МПК: G01R 33/095

Метки: значения, индукции, магнитного, максимального, поля

...,(В ,), показанная 25На фИГ 2 ИМЕЕТ уЧаСтОК ГДиу (Вмакс),= сопз 1; в интервале В = О.макс0,6 Т, Соответственно в этом интервале максимальных магнитных полейчувствительность преобразователя У = 30сгдиу В макс = 0т. еинформация омагнитных полях с максимальной индукцией,меньшей 0,6 Т, теряется,На магниторезистивное веществопреобразователя воздействуют известным постоянным магнитным полем смещения В, = 0,6.0,7 Т того женаправления, что и исследуемое магнитное поле. В этомслучае результирующее максимальное поле, воздейству ющее на магниторезистивное веществореъпреобразователя В Вам + Вмаксбудет всегда больше 0,6 Т, и, следовательно, чувствительность г будетбольше нуля при любых значениях 5. В ,О, После того как исследуемоеи смещающее...