Способ изготовления аналогового элемента памяти

Номер патента: 1429172

Авторы: Казарян, Маркосян

ZIP архив

Текст

(Я)4 ( 11 С 27 нии камеры с к ч ающийс упрощения спо мента памяти, двух частей, п образует крьппк заливочное отв 7нический инсроды, а в нижлубление и кмелду собой,нижней часте чего совмещаюлением до темптермопластич15-20 мин сдо комнатнойкамеру заполртутью и гер ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(21) 3806130/24-24(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АНАЛОГОВОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ, заключающийся вформировании камеры и капилляров изтермопластичного материала, соединеапилляра)а, о т л и -я тем, что, с целью соба изготовления элекамеру выполняют из ричем верхняя часть у, в которой выполняют ерстие. и армируют электней части выполняют угпилляры, соединенные поверхности верхней икамеры полируют, после т и разогревают под давературы размягчения ого материала.в течение оследующим охлаждением температуры, после чего . эс яют электролитом и етизируют.1429172 Составитель Л.Амусьевавецкая Техред Л.Сердюкова Корректор Л.Пата Редактор 0 Зак аж 590 ственно 5132/48 Ти ВНИИПИ Госуда по делам из 113035, Москва, Подпис ноекомитета СССРи открытийская наб., д. 4/5 ретений35, Рауш Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к автоматикеи вычислительной технике и предназначено для изготовления аналоговых капиллярных ртутно-электролитическихэлементов памяти.Целью изобретения является упрощение способа изготовления элементапамяти.На чертеже представлен аналоговыйэлемент памяти, изготовленный попредлагаемому способу,Аналоговый элемент памяти содержитверхнюю 1 и нижнюю 2 части камеры,заливочное отверстие 3, электроды 4,углубление 5 в нижней части камеры икапилляры б. Элемент памяти изготавливают из ,двух частей (верхней 1 и нижней 2), 20 которые представляют собой плоские подложки, полученные методом штамповки, Из одной части изготавливают камеру и капилляры, а в другой выполняют заливочное отверстие 3 и ар мируют электроды 4. После штамповкиобеих частей их шлифуют и полируютдо 8-10-го класса. Затем обе части,.верхнюю и нижнюю, совмещают и, доведя температуру обеих частей до границы размягчения (для стекла состава23 зта температура составляет 710 о,715 С), сваривают под давлением 0,1 -0,5 кг/см . Процесс сварки длится15-20 мин, после чего охлаждают камеру до комнатной температуры, не вызывая внутренних напряжений в стекле,Затем через заливочное отверстие 3заполняют камеру ртутью и электролитом, после чего герметизируют. Благодаря тому, что герметизация элементав целом производится лишь по однойплоскости сопряжения, то в результате существенно повышается надежностьгерметизации. Так как капилляры формируются в процессе штамповки, разброс геометрических параметров уменьшается на порядок, достигая 0,7-1,07по длине капилляра.

Смотреть

Заявка

3806130, 18.09.1984

ЕРЕВАНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. К. МАРКСА

КАЗАРЯН ЭРНЕСТ ВАГЕНОВИЧ, МАРКОСЯН МАРТУНИ ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 27/00

Метки: аналогового, памяти, элемента

Опубликовано: 07.10.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1429172-sposob-izgotovleniya-analogovogo-ehlementa-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления аналогового элемента памяти</a>

Похожие патенты