Способ обращения к накопителю
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1361635
Автор: Алексеев
Текст
(57) Изобрете лительной тех оми ения явл ых накоп тся еле за счет сниже сти элементов рядов., увелич ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗО ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Патент США Р 3422402, кл.172,5, опублик.1969Авторское свидетельство СССРВ 907587, кл. С 11 С 29/00, 198 е относится к вычиске, в частности к заойствам. Целью изобреувеличение числа годэапоминающих устройств я требований к годноамяти резервных разия степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования длярезервных разрядов накопителя. Способ обращения к накопителю заключается в том, что при записи подают информационные сигналы в годные и резервные разряды ячеек накопителя, апри считывании информации из тех жеячеек памяти накопителя блокируютсигналы, считанные из дефектных информационных элементов памяти, приэтом число резервных разрядов накопителя выбирают равным К, где Кэ;ш,ш - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти,приусловии, что в каждой ячейке памятирезервные разряды содержат не болееК-ш дефектных элементов памяти, асумма всех дефектных элементов в Крезервных разрядах наибольшая.113Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам.Цель изобретения - увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижения требований к годности элементов памяти резервных разрядов, увеличения степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования для резервных разрядов накопителя,Способ осущеСтвляют следующим образом.Сначала проверяют работоспособность всех элементов памяти во всех разрядах ячеек памяти накопителя запоминающего устройства. Запоминают адрес ячеек с дефектными элементами памяти и номера их дефектных разрядов. Определяют ш - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти для коррекции дефектных элементов разрядов К(К ш). Первым в качестве резервного выбирают разряд, содержащий наибольшее количество дефектных элементов памяти. Следующие Крезервные разряды выбираются так, чтобы в резервных разрядах в каждой ячейке памяти было не более К-ш дефектных элементов памяти и сумма всех дефектных элементов всех К резервных разрядов получилась наибольшей. Таким образом, наибольщая часть дефектных элементов памяти исключается из обращения, а остальные дефектные элементы памяти заменяются годными в резервных разрядах этих же ячеек. 61635 2В случае обращения к накопителюпри записи информационные сигналыподают в годные и соответствующиерезервные разряды ячеек накопителя,а при считывании информации из этихже ячеек памяти накопителя информации считывается из годных и соответствующих резервных разрядов ячеекнакопителя, при этом сигналы из дефектных элементов памяти выбраннойячейки памяти блокируются, При обращении к ячейке, все разряды которойгодные (а элементы памяти резервных 1 б разрядов этой ячейки могут быть дефектными), информационные сигналыподаются и снимаются с годных разрядов, а резервные разряды при этомблокируются.20 формула изобретенияСпособ обращения к накопителю,заключающийся при записи в подачеинформационных сигналов в годные ирезервные разряды ячеек памяти нако пителя, а при считывании информациииз тех же ячеек памяти накопителя -в блокировке сигналов, считанных издефектных информационных элементовпамяти, о т л и ч а ю щ и й с я З 0 тем, что, с целью увеличения числагодных накопителей, число резервныхразрядов накопителя выбирают равнымК (где КВ ш, ш - максимальное числодефектных элементов памяти в ячейкепамяти) при условии, что в каждой Зб ячейке памяти резервные разряды содержат не более К-ш дефектных элементов памяти, а сумма всех дефектньтх элементов памяти в К резервных ,0 разрядах наибольшая. Составитель В.РудаковТехред. М,Дидык Корректор Г.Решетник Редактор В.Петраш Заказ 6297/52 Тираж 588 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4
СмотретьЗаявка
3986932, 11.11.1985
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1439
АЛЕКСЕЕВ ОЛЕГ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 29/00
Метки: накопителю, обращения
Опубликовано: 23.12.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1361635-sposob-obrashheniya-k-nakopitelyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обращения к накопителю</a>
Запоминающее устройство с обходом дефектных элементов памяти
Номер патента: 1387046
Опубликовано: 07.04.1988
Автор: Алексеев
МПК: G11C 29/00
Метки: дефектных, запоминающее, обходом, памяти, элементов
...13 коды 11111111, 11 11111 разрешают прохождение кода через элементы И 10 з, 106, 1 Од, 19 г, 1015 10 нь 10 г, 10 г 4 в 10 е разряды блока 3.Таким образом, информация из регистра 7 числа записывается только в исправные элементы памяти ячейки памяти блока 3 при любой локализации по разрядам,Считывание числа из блока 3 в регистр числа 7, Считываемое слово ранее записывается по соответствующему адресу в 8 годных (из общего числа 100) разрядах блока 3. При подаче на входы регистра 1 и блока 4 кода адреса на выходах преобразователей 12 и 13 появляются коды, поступающие на соответствующие входы элементов И первой группы 8, реализующие прохождение кода слова из годных разрядов 10 15 20 ячейки памяти в разряды регистра 7.Например, если в...
Запоминающее устройство с обходом дефектных элементов памяти
Номер патента: 1387047
Опубликовано: 07.04.1988
Автор: Алексеев
МПК: G11C 29/00
Метки: дефектных, запоминающее, обходом, памяти, элементов
...с (ги+1) -го по (и+К) -й выбранной ячейки памяти.Таким образом, в дефектные разряды (элементы памяти) ячейки памяти блока 3 информации из регистра 6 числа не записываются. При этом локализация дефектов несущественна, т,е. дефекты могут быть в любом из разрядов ячейки памяти,Считывание числа из блока 3 в регистр 6 числа.Считываемое слово было ранее записано по соответствующему адресу в и годных, из общего числа (и+К), разрядах блока 3. При подаче на входы регистра 1 и блока 4 кода адреса на выходах блока 5 появляются коды, поступающие на соответствующие управляющие входы мультиплексоров 7. 25 30 35 40 45 50 55 При этом на выходы мультиплексоров 7 подключаются выходы соответствующих разрядов блока 3 памяти, Так, если в выбранном слове...
Элемент памяти для ассоциативного накопителя
Номер патента: 690565
Опубликовано: 05.10.1979
Автор: Барашенков
МПК: G11C 11/40
Метки: ассоциативного, накопителя, памяти, элемент
...адресной шине 5,а также предварительный заряд шины сравнения 10, во втором такт:е импульс опрбса на первую шину опроса 11 не подается, что и обеспечивает сохранение сигнала"0" на входе транзистора 12, а также потен.циала логической "1" шины сравнения 10, со.ответствующего совпадения при поиске "0"и "Г. Таким образом, режим маскированияИ при поиске отличается от режима поиска"0" блокнрЬванием импульса опроса по пер.вой шине опроса 11 во втором такте.Таким образом, на затворе транзистора 12.в процессе поиска устанавливается значениерезультата сравнения хранимой в запоминающем элементе информации с внешней информацией, поступающей в ассоциативное заломи. нающее устройство (АЗУ) для операции поис. 30 35 40 45 50 55 ка, В случае совпадения...
Устройство управления замещением дефектных элементов изображения
Номер патента: 1385327
Опубликовано: 30.03.1988
Авторы: Аринин, Головлев, Казаров, Уваров, Хитрово, Шеманков
МПК: H04N 1/40, H04N 5/217
Метки: дефектных, замещением, изображения, элементов
...разрядам того адреса,который на единицу меньше фактического адреса дефектного элемента изображения. Такое опережение позволяетзакончить процедуру регистрации совпадения адресов до момента сканирования подлежащего замещению элементаизображения,Запись заранее скорректированныхкодов адреса дефекта в блоке 6 непрепятствует указанию любого желаемого адреса и не вызывает неоднозначности при его регистрации, причемэто очевидно для случая замещения вподынтервале любого элемента изображения за исключением первого и второго, которым соответствуют кодымладших разрядов 0000 и 0001, Длязамещения первого элемента данногоподынтервала в качестве кода старшихразрядов надо указывать код предшествующего подынтервала, а в качествекода младших разрядов...
Способ записи и считывания информации в мноп-элементе памяти, мноп-элемент памяти и матричный накопитель для запоминающего устройства
Номер патента: 1405088
Опубликовано: 23.06.1988
Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин
МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063
Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элемент, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства
...с записанным зарядом сток инвертируется с истоком, т. е. подается напряжение= 6 = .,3, до появления тока в канале величицой 1 мкА.Экспериментальные зависимости (фиг. 1) резЯсняют принцип считывания информации, если ее записывать как со стороны стока, так и со стороны истока. Пусть к затвору элемента приложено некоторое напряжение Ц = -1-5 В, находящееся внутри межпороговой зоны МНОП-элемента., = 2 В, ) = 9 В). Если элемент находится ц исходном состоянии, то его выход. цая характеристика имеет виднезависичо от того, какой электрод является стоком, т. е. ток в канале идет при любом напряжении ца стоке (1, . Если произведена запись со стороны стока, то эта характеристика примет вид 2. При этом напряжение ( соответствует напряжению...
Предыдущий патент: Оптоэлектронный двумерный регистр сдвига
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: 320660