Патенты с меткой «накопителю»

Номер патента: 174850

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Еременко, Курман

МПК: G06F 7/48

Метки: выполнения, групповой, накопителю, обращении, операции

...ячейке массива чисел, обозначенной на фиг. 1 фигурной скобкой 4.Способ реализуется при помощи устройства, содержащего первую схему совпадения 5 (выполненную на диодах б и сопротивлении 7), триггер 8, инвертор-усилитель 9 и вторую схему совпадения 10, выполненную на диолах б и сопротивлении 7,На вход 11 схемы 5 подаю керной дорожки, на вход 12 - импульс синхронизации счцтывднця, нд вход 13 - импульсы считываемой строки, на вход 14 - импуль.сы совпадения номера зоны.Г 1 ри совпадении сигналов по входам 11, 12,13 и 14 на выходе схемы 5 на триггере 8 формируется импульс. Триггер 8 служит для промежуточного хранения информации о совпадении указанных импульсов. Сигнал с одного 0 из выходов триггера, усиленный инверторомусилителем 9, служит...

Номер патента: 614466

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Веневцев, Волков, Кухтин, Петросян, Сидоренков

МПК: G11C 7/00

Метки: накопителю, обращения, пьезоэлектрическому

...кон. тура высокочастотного генератора. Подают на образец два (заннсывающих) радноимпульса длительностью 3 - 10 мксек, с амплитудой от, сотен Всм до нескольких кВ/см и с интерва. лом между радноимпульсами 20 - 200 мксек.Г 1 ри этом на экране осциллографа, подсоединенного к выходу приемника, вилен сигнал электроакустяческого эха в момент 2 (где т - интервал между записывающими радионмнульсами).Для считывания записи подаютпульс с той же амплитудой я частото614466 Формула изобретения Составитеяь В. РудаиовТехред О. Луговая Корректор С, Герасиияк Тираж 717 Подннсиое Редактор Л. УтехинаЗаказ 3702/43 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Маюинстров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Рауаскаи иао. д. 4/а Филиал ППП...

Номер патента: 624289

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Бондаренко, Веневцев, Волков, Петросян

МПК: G11C 7/00

Метки: накопителю, обращения, пьезоэлектрическому

...между обклядками конденсатора или в катушку контура высокочастотного генератора.Для записи информации в пьезоэлектриь ческий накопитель подают два высокочаототных радиоимпульса с длительностью 3-10. мкс, разделенных интервалом време-И ни от 20 мкс до 10 мс и более (в зависимости от используемого пьезоэлектрика). Амплитуды подаваемых радиоимпульсов могут быть от десятков В/см до не.- скольких кВ/см. 20фаза второго радиоимпульса эаписываюццей пары относительно первого может быть . произвольной, При этом на экране осциллографа, подсоединенного к выходу приемника, виден сигнал электроакустического 25 эха в момент 2 С, где Г - интервал между эаписьваюшими радиоимпульсами.Для считьвания записанной информации подают один радиоимпульс...

Номер патента: 729633

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Бондаренко, Веневцев, Волков, Петросян

МПК: G11C 7/00

Метки: накопителю, обращения, пьезоэлектрическому

...радиоимпульсами. Фаза 10двухимпульсного эха определяется фазамиподаваемых рациоимпульсов по формулещ )Я -ф +ЦдЭ, а 1 оГде Ч, - Фаза двухимпульсного эха, Ч - фаза первого радиоимпульса, Ч - фаза второго радиоимпульса, Ч - постоянный сдвиг фазы,Все фазы опрепеляются относительноопорного генератора, Для считывания записанной информации подают один радиоимпульс с той же частотой заполнения,что и в случае записывающих импульсов,который, не разрушая информации, воспроизводит сигнал эха через время 1: послеподанного импульса (голографическое эхо),Фаза голографического эха опрепеляеФся фазами записывающих и считывающего импульсов по ФормулеЧ =Ч +Ч -Ч +ЧГ.Э. Ь 21, Огде Ч - Фаза первого импульса, ц - Фаза второго импульса, Чфаза...

Номер патента: 1361635

Опубликовано: 23.12.1987

Автор: Алексеев

МПК: G11C 29/00

Метки: накопителю, обращения

...разрядах ячеек памяти накопителя запоминающего устройства. Запоминают адрес ячеек с дефектными элементами памяти и номера их дефектных разрядов. Определяют ш - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти для коррекции дефектных элементов разрядов К(К ш). Первым в качестве резервного выбирают разряд, содержащий наибольшее количество дефектных элементов памяти. Следующие Крезервные разряды выбираются так, чтобы в резервных разрядах в каждой ячейке памяти было не более К-ш дефектных элементов памяти и сумма всех дефектных элементов всех К резервных разрядов получилась наибольшей. Таким образом, наибольщая часть дефектных элементов памяти исключается из обращения, а остальные дефектные элементы памяти заменяются годными в...