Полумостовой транзисторный инвертор

Номер патента: 1152436

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.

Номер патента: 1502226

Опубликовано: 23.08.1989

Автор: Нагорняк

МПК: B23B 49/00

Метки: зависимостей, исследования, комплексного, отверстий, сверлении, силовых, сквозных, скоростных

...и остыаливан при расстоянии в несколько миллиметров мсжлу вершиной сверла 4 и срхцим торцом заготовки 20. Г 1 ослс этого сверлу 4 сообцают вращательное движение и ксук подачу и вклнчыкт ссци.члогрф В процессе вздимолсйствпя режуцсй ;сп сцрла 4 с телом заготовки 20 возникает севая сила, которая воспринимается упорным подшипником (фиг. 1), установленным хежду дном корпуса 14 линамометрд и флдпцем основания 13, ы также возникает крутящий момент, лействис которого приводит к некоторому провороту корпусы 14 и воздействию пальцы 27 нд тензобдлку 28 В процессе резания имеет место услчсцис крутяпего момецтд (фиг. 3, участок а- в осциллограммы), ы затем при устаивп- шемся сверлепи (после полного вход, режущей части свсрлд в заготовку) момент...

Номер патента: 898620

Опубликовано: 15.01.1982

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/40

Метки: дополняющих, инвертор, мдп-транзисторах, микромощный

....упро 2 Ощенным выражением при ЧрЪ 4 Чт( Мг - температурный потенциал)р=оехр (ЧР-Чт) /и т)где 1 - ток стока;1 о - тепловой ток стока;25Ч,- напряжение затвор-исток;Ч - пороговое напряжение в микрорежиме;и - фактор, учитывающий рекомбинационные процессы на позоверхности полупроводникаподложки (1 а(3),Основным недостатком микрорежимаМДП-транзистора является сильнаятемпературная зависимость почтиЗ 5 всех параметров, входящих в формулуно включенные р-канальный МДП-транзистор 7 в резистивном включении и и-канальный МДП-транзистор.8 микро- мощного повторителя напряжения включены между шинами 4 и 2. Между первой шиной 9 смещения и шиной 4 питания включен первый преобразователь уровня напряжения образованный последовательно включенными...

Номер патента: 1636954

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Болдырев

МПК: H02M 1/08

Метки: импульсов, регулятора, силового, транзистора, управляющих, формирователь

...3 управляющих сигналовпротекает ток, Транзистор типа и-р-ив усилителе 1 мощности открываетсяи силовой транзистор 2 входит в режим насыщения По окончании импульсауправления компаратор 5 включается,при этом по цепи: общий вывод биполярного источника 4 питания, переходэмиттер-база силового транзистора 2,переход эмиттер-база и-р-и-транзистора усилителя 1 мощности, первый резистор 7, компаратор 5, отрицательный вывод биполярного источника 4протекает ток, Транзистор типа п-р-ифорсированно закрывается,; а типар-и-р открывается, что приводит кформированному запиранию силовоготранзистора:2При этом компаратор 5проводит ток не постоянно, а кратковременно, только на время рассасывания неосновных носителей базы силового транзистора 2, и...

Номер патента: 1259399

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Исупов, Прянишников, Семеновых, Чапайкин

МПК: H02H 7/10

Метки: выходного, защиты, импульсного, перегрузок, силового, транзистора, усилителя

...Значение Н, припостоянстве базового тока определяется по изменению тока коллекторавыходного транзистора,В некоторый момент времени й(фиг.2) наблюдается начало уменьшения тока коллектора 15 (после време-З 0ни й, показан пунктиром). В моментвремени 1 соответствующий началуперехода однородного распределениятока коллектора в неоднородное, происходит срабатывание защиты силовоготранзистора и отключение тока базыьа, Для определения момента локализации тока и прекращения подачи на выходной .силовой транзистор опасногоэлектрического режима может быть использовано предлагаемое устройство.Устройство работает следующим об,разом. В исходном состоянии транзисторы 45 5, 9 и 13 закрыты, а конденсаторы 7, 17 и 19 разряжены, ключ 21 закрыт, При...