Способ изготовления поляризованного рефлектора

Номер патента: 557451

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Денисова, Жульников, Медов, Николаев, Сиднев, Шмелева

МПК: H01Q 15/00

Метки: параболического, поляризованного, рефлектора

...обтяжного кольца, а отражатель размещают в матрице.Способ изготовления параболического поляризованного рефлектора, содержащего металлический отражатель, слой диэлектрика и стеклопроволочную ткань заключается в том, что элементы конструкции закреплянют на матрице и пуансоне, стеклопроволочную ткань обтягивают на пуансоне и557451 ЦНИИ 1 И Заказ 867/63 Тираж о 76 Подлионое Филиал ППП "Патент . Ужгород, ул, Проектн. г В матрице 1 устройства размещают металличес. кий отражатель 2, на вогнутую поверхность которо. го, например, помещают определенное количество жидкого твердеющего при выдержке диэлектрика 3, Рабочую часть пуансона 4 обтягивают стекло- проволочной тканью 5, содержащую в одном из направлений своей структуры металлические про....

Номер патента: 65141

Опубликовано: 01.01.1945

Авторы: Мортон, Флори

МПК: H01J 9/233

Метки: диэлектрического, мозаичных, слоя, фотоэлектродов

...видепорошка являются: порошкообразная слюда, силикат алюминия, пороппкообразный кварц, оксид титана и ЧО,Слой 3 можно нанести на пластину 2 различными методами: разбрызгиванием порошка по методу изготовления флюоресцирующих экранов, путем испарения жидкости, в которой замещан порошок, или путем катафореза.Последний метод является наиболее предпочтительным и его осуществление показано на фиг, 2. Здесь порошок взвешен,в жидкости, налитой в изолирующий или в металличсссий сосуд 5. Сигнальная пластина 2 опускается в жидкость, а против пластины опускается электрод 6. Если приложить достаточное постоянное напряжение между пластиной 2 и электродом 6, то взвешенный порошок начинает двигаться к пластияе 2 и покрывает ее ровным слоем. Это...

Номер патента: 443679

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Зорин, Крузе, Павлов, Туловчиков, Шитова

МПК: B01J 17/32

Метки: газовой, диэлектрических, приготовления, слоев, смеси

...ПРЦГОТОВЛСППЮ ЦСООХОДП- мой смссп От Оыта 1; Опьту ц поддср 11;аня НУГКНЫХ Р 2 СХОДОБ ЕОМПОНСНТОВ Б КОДР ОДНОГО Опыт 2. В 2 риант, еОГд 2 смссь 011 эсделснногоусосгаз 2 Готов 5 т .Рц 32 П 1 аз,с Оалл 012, цмсст Весьма Огр 211 чсхнос пр.нспспцс, тае 121 с позволяет зсстп сц 1 РЗ лишь прц да;шом соотношении смеси. (роме ТОГО, БВ:ду разно 1 летучести ео.,:1 юпспты газозо 1 с 1 сс 1 Вь 1 тск 210 т цз ба;лое 2 с разлц" Н 01 сеоостью, 1 то у.ее через несколько часов паслс сго 32 разец прц- ВОДИТ Е ЗСР УСЛ:БаОП С 51 ЦЗ РСН:51:. П,СПСТВТКО У 1232 ННОГО С 110 С 002 ПРИГО ГОВЛРНЦЯ и подачи рабочей сз;ссц, В силу отмеченных не443679 Составитель В. Пополитов Редактор Т. Шагова Техред О. Гуменюк Корректор Л. Котова Заказ 7947 Изд. ЪЪ 414 Тираж...

Номер патента: 465584

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Бузанева, Денисюк, Стриха

МПК: G01N 27/24

Метки: диэлектрических, изолирующих, полупроводниках, свойств, слоев

...определения средней плотности сквозных дефектов.С целью разработки способа количественной оценки параметров то, Йо, 5 для сквозных дефектов диэлектрика, заполненных металлом, которые позволяют провести полную оценку изолирующих слоев на полупроводниках, измеряют минимальное сопротивление контактов Ь, по величине которого определяются значения й 0, Ь, 5.Сопротивление контакта Я, измеряют при приложении к контакту в прямом направлении импульсов напряжения большой амплитуды и малой длительности. Одновременно можно измерять ток утечки контакта металл - полупроводник.По величине Р, значения Р 0, 5 оп яют сопротивление и толщин котором создают диэлект ния значений Кь то, 5 медефектов удаляют, наприролитического вытравлива465584 .;4...

Номер патента: 498665

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко

МПК: H01L 49/02

Метки: диэлектрических, слоев

...образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки...