Способ изготовления поляризованного рефлектора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(5) Н О 1 Й 15 ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ СР(ВЯЩАЯ ОБРЕТЕНИйЙЛЙИВй ИСАН ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ оронова 44, . ство СССР 1974НИЯ ПОЛЯР ючающий о опроволоч.тягивание пуансона стек ной тканью, размещение отражателя вматрице и формирование диэлектрического слоя между стеклопроволочнойтканью и отражателем, о т л и ч аю щ и й с я тем,. что, с целью упрощения процесса изготовления при повышении качества поляризованного рефлектора, формирование диэлектрического слоя производят путем наклады-,вания на отражатель диэлектрическойпленки с двухстороннимлипким слоем,после чего отражатель размещают вматрице и поджимают к пуансону, обтянутому стеклопроволочной тканью,1 1159092Изобретение относится к технологиипроизводства антенной техники и можетбыть использовано при изготовленииполяризованных рефлекторов антенн.Известен способ изготовления поляризованного рефлектора, в которомпроволочные проводники располагаютв твердеющем диэлектрике 11,Известный способ изготовления поляризованного рефлектора требует 1 Осложного процесса изготовления ине обеспечивает необходимого взаимного расположения проволочныхпроводников.Наиболее близким техническим решением к данному является способизготовления поляризованного рефлектора, включающий обтягивание пуансона стеклопроволочной тканью, размещение отражателя в матрице и формирование диэлектрического слоя междустеклопроволочной тканью и отражателем путем введения твердеющегожидкого диэлектрика 2,Недостаток способа - его сложностьи низкое качество поляризованныхрефлекторов.Цель изобретения - упрощение процесса изготовления при повышении качества поляризованного рефлектора, ЗОУказанная цель дбстигается тем,что согласно способу изготовленияполяризованного рефлектора, включающему обтягивание пуансона стеклопроволочной тканью, размещение отражателя в матрице и Формированиедиэлектрического слоя между стеклопроволочной тканью и отражателем,формирование диэлектрического слояпроизводят путем накладывания на 1 О отражатель диэлектрической пленки сдвухсторонним липким слоем, послечего отражатель размещают в матрицеФи поджимают к пуансону, обтянутомустеклопроволочной тканью.Способ изготовления поляризованного рефлектора заключается в следующем,Пуансон обтягивают стеклопроволочной тканью и закрепляют ее при помощи обтяжного кольца, На поверхностиотражателя Формируют диэлектрическийслой в виде диэлектрической пленкис двухсторонним липким слоем, выполненной, например, из лавсановых лентс двухсторонним липким слоем, приэтом лавсановые ленты укладывают беззазора между ними с взаимно перпендикулярным расположением лавсановыхлент между соседними слоями диэлектрической пленки,Отражатель со сформированным диэлектрическим слоем размещают вматрице и поджимают к пуансону, обтянутому стеклопроволочнсй тканью.Затем снимают обтяжное кольцо, об-.резают технологический припуск стеклопроволочной ткани и снимают изготовленный поляризованный рефлектор.Использование в качестве диэлектрического слоя диэлектрической пленки с двухсторонним липким слоем позволяет повысить качество поляризованного рефлектора за счет обеспечения постоянства толщины диэлектрического слоя и повышения его однородности, а также упростить процессизготовления эа счет сокращения числа технологических операций и снижения их трудоемкости и сложности,Заказ 3601/52 Тираж 638 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретенийи открытий 113035 Иосква ЖРа шская наб.Подписное гФилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
3536118, 07.01.1983
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8751
ПОРТЯНКО ИГОРЬ АНАТОЛЬЕВИЧ, ВОРОНОВА ЛЮДМИЛА ИВАНОВНА, СПОРЯГИН ЭДУАРД АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01Q 15/00
Метки: поляризованного, рефлектора
Опубликовано: 30.05.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1159092-sposob-izgotovleniya-polyarizovannogo-reflektora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления поляризованного рефлектора</a>
Способ изготовления параболического поляризованного рефлектора
Номер патента: 557451
Опубликовано: 05.05.1977
Авторы: Денисова, Жульников, Медов, Николаев, Сиднев, Шмелева
МПК: H01Q 15/00
Метки: параболического, поляризованного, рефлектора
...обтяжного кольца, а отражатель размещают в матрице.Способ изготовления параболического поляризованного рефлектора, содержащего металлический отражатель, слой диэлектрика и стеклопроволочную ткань заключается в том, что элементы конструкции закреплянют на матрице и пуансоне, стеклопроволочную ткань обтягивают на пуансоне и557451 ЦНИИ 1 И Заказ 867/63 Тираж о 76 Подлионое Филиал ППП "Патент . Ужгород, ул, Проектн. г В матрице 1 устройства размещают металличес. кий отражатель 2, на вогнутую поверхность которо. го, например, помещают определенное количество жидкого твердеющего при выдержке диэлектрика 3, Рабочую часть пуансона 4 обтягивают стекло- проволочной тканью 5, содержащую в одном из направлений своей структуры металлические про....
Способ изготовления диэлектрического слоя для мозаичных фотоэлектродов
Номер патента: 65141
Опубликовано: 01.01.1945
МПК: H01J 9/233
Метки: диэлектрического, мозаичных, слоя, фотоэлектродов
...видепорошка являются: порошкообразная слюда, силикат алюминия, пороппкообразный кварц, оксид титана и ЧО,Слой 3 можно нанести на пластину 2 различными методами: разбрызгиванием порошка по методу изготовления флюоресцирующих экранов, путем испарения жидкости, в которой замещан порошок, или путем катафореза.Последний метод является наиболее предпочтительным и его осуществление показано на фиг, 2. Здесь порошок взвешен,в жидкости, налитой в изолирующий или в металличсссий сосуд 5. Сигнальная пластина 2 опускается в жидкость, а против пластины опускается электрод 6. Если приложить достаточное постоянное напряжение между пластиной 2 и электродом 6, то взвешенный порошок начинает двигаться к пластияе 2 и покрывает ее ровным слоем. Это...
Способ приготовления газовой смеси для получения диэлектрических слоев
Номер патента: 443679
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Зорин, Крузе, Павлов, Туловчиков, Шитова
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, диэлектрических, приготовления, слоев, смеси
...ПРЦГОТОВЛСППЮ ЦСООХОДП- мой смссп От Оыта 1; Опьту ц поддср 11;аня НУГКНЫХ Р 2 СХОДОБ ЕОМПОНСНТОВ Б КОДР ОДНОГО Опыт 2. В 2 риант, еОГд 2 смссь 011 эсделснногоусосгаз 2 Готов 5 т .Рц 32 П 1 аз,с Оалл 012, цмсст Весьма Огр 211 чсхнос пр.нспспцс, тае 121 с позволяет зсстп сц 1 РЗ лишь прц да;шом соотношении смеси. (роме ТОГО, БВ:ду разно 1 летучести ео.,:1 юпспты газозо 1 с 1 сс 1 Вь 1 тск 210 т цз ба;лое 2 с разлц" Н 01 сеоостью, 1 то у.ее через несколько часов паслс сго 32 разец прц- ВОДИТ Е ЗСР УСЛ:БаОП С 51 ЦЗ РСН:51:. П,СПСТВТКО У 1232 ННОГО С 110 С 002 ПРИГО ГОВЛРНЦЯ и подачи рабочей сз;ссц, В силу отмеченных не443679 Составитель В. Пополитов Редактор Т. Шагова Техред О. Гуменюк Корректор Л. Котова Заказ 7947 Изд. ЪЪ 414 Тираж...
Способ определения изолирующих свойств диэлектрических слоев на полупроводниках
Номер патента: 465584
Опубликовано: 30.03.1975
Авторы: Бузанева, Денисюк, Стриха
МПК: G01N 27/24
Метки: диэлектрических, изолирующих, полупроводниках, свойств, слоев
...определения средней плотности сквозных дефектов.С целью разработки способа количественной оценки параметров то, Йо, 5 для сквозных дефектов диэлектрика, заполненных металлом, которые позволяют провести полную оценку изолирующих слоев на полупроводниках, измеряют минимальное сопротивление контактов Ь, по величине которого определяются значения й 0, Ь, 5.Сопротивление контакта Я, измеряют при приложении к контакту в прямом направлении импульсов напряжения большой амплитуды и малой длительности. Одновременно можно измерять ток утечки контакта металл - полупроводник.По величине Р, значения Р 0, 5 оп яют сопротивление и толщин котором создают диэлект ния значений Кь то, 5 медефектов удаляют, наприролитического вытравлива465584 .;4...
Способ получения диэлектрических слоев
Номер патента: 498665
Опубликовано: 05.01.1976
Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко
МПК: H01L 49/02
Метки: диэлектрических, слоев
...образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки...
Предыдущий патент: Способ контроля качества биспиральных газонаполненных ламп накаливания
Следующий патент: Электрический разъем
Случайный патент: Азотируемая сталь