Полупроводниковый поджигатель для игнитронов

Номер патента: 896581

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Соболев, Шмидт

МПК: G01R 27/08

Метки: параметров, полупроводникового, сопротивления, статистических, удельного

...предлагаемого способа 5 обеспечивает по сравнению с известными способами определение достоверности значения удельного сопротивления в окрестности выбранной точки; при заданной надежности повышение точности определения;о выделение дисперсии неоднородностиобусловливающую в известных способах дополнительную погрешность и увеличивающую с ростом измеряемого удельного сопротивления, характеристику степени неоднородности полупроводникового материала по направлениям, проходяпцца через выбранную точку.формула изобретенияСпособ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала, заключающийся в том, что на плоскую шлифовальную поверхность неоднородного полупроводника устанавливают систему...

Номер патента: 151400

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калинин, Соболев

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактных, измерений, кристаллов, малогабаритных, низкоомных, полупроводниковых, сопротивления, удельного

...изобретенияУстройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.Редактор Н. С, КутаФина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева Глода. к пеи. 1 О.Х.62 т. Формат бум 70 Х 108,и Объем 0,18 изд. л. Заи. 10496 Тираж 1150 Цена...

Номер патента: 623240

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Бондарев, Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Россошинский

МПК: H01L 21/04

Метки: арматуре, кристаллов, металлической, пайки, полупроводниковых, приборов, стабилитронов

...стабилизации выше 50 В.Поставленная цель достигается тем, что р- - и переход предварительно нагревают ло температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р - и - перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирают меньше напряжения стабилизации полу роволни кового кристалла стабилитрон а.Предварительный нагрев может бьть осуществлен током, протекаюпгим в прямом направлении относительно р- - и перехода.В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле. Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилцтроца укладывают между залужеццыми...

Номер патента: 661435

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Хазен

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, приведенного, силовых, сопротивления, теплового

...полупроводникового прибора 40. С датчиком тока связана также катушка 5 управления, помещенная в защитный электромагнитный экран, внутри которой размещены, например, магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон: нормально замкнутые 7 и 8 в цепях мостового измерителя 1 падения напряжения на р - п-переходе и нормально разомкнутый 6 в гальванической цепи 26 холлов ского преобразователя 3 мощности, Катушка 5 управления также может быть совмещена с датчиком 4 тока силовой цепи 42, если магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон поместить в виток, образованный кабелем силовой цепи 42, Выходы блоков 1 и 3 через сглаживающие, например, Т или П-образные К - С фильтры 9и 10, с индуктивностями 32 и 37, емкостями 33, 34, 35 и 36,...

Номер патента: 791260

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Вольфганг, Ханс

МПК: C30B 13/22

Метки: бестигельной, зонной, плавки, полупроводникового, стержней

...конденсаторами 2, также соединенными с выходом высокочастотного генератора полыми трубами 3. Конденсаторы 2 расположены на медных пластинах 4 и 5, в которых имеются каналы 6 и 7 для протекания воды и помещены в герметичную камеру 8, заполненную трансформаторным маслом.Герметичная камера 8 жестко подсоединена к генератору полой трубой 9, Конденсаторы установлены на Ц -образные изогнутые радиаторы 10 из меди.Медные пластины 4 и 5, между которыми находятся конденсаторыскреплены посредством изолированных стержней 11 на плите 12 герметичной камеры 8. Высокочастотные каналы 6 и 7, выполненные в виде змеевиков охлаждения,подводят холодную воду к коаксиальному проходному каналу 13. При этом внутренний проход канала 1 3 соединен винтами с медной...