434951

Номер патента: 1044304

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Бей, Бондарь, Малов, Скоморохов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, расплавов

...коллектор2 для подвода хладоносителя внутрь вальца, ванну 3, снабженную рубашкой 4 для термостатирования расплава или раствора, ножи 5 - для скалывания твердого продукта с цилиндрической поверхности вальца, переливное устройство 6 для стабилизации уров ня расплава в ванне 3, дозатор 7 для дозирования твердого продукта и обеспечения герметизации внутренней полости кристаллизатора и кожух 8 для герметизации внутренней полости кристаллизатора.Коллектор 2 снабжен форсунками 9 для 45 разбрызгивания хладоносителя на внутреннюю поверхность вальца и отсасывающей трубой 10 для удаления отработанного хладоносителя из внутренней полости вальца.Рубашка 4 снабжена штуцерами для подвода теплоносителя 11 и отвода отработанного теплоносителя...

Номер патента: 116935

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Витовский, Земцов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...устанавливаемая вне высокотемпературной зоны печи, ниже кольца, мало зависит от колебаний температуры верхней горячей зоны печи, что позволяет вести процесс без нарушения его скорости, при устойчивом положении изотер. мической поверхности кристаллизации.3) Изотермическая поверхность кристаллиза обращенная в случае отсутствия кольца выпуклостью книзу, ст тся обращенной кверху, в результате чего нарастание нового слоя алла начинается в середине сосуда и идет к периферии.Это обстоятельство позволяет получа стые (без включений) кристаллы, даже не пользуясь безук стыми исходными материалами. ции,ановикрист ть более чи оризненно чи1116935 Устройство позволяет, кроме того, вести кристаллизацию при зна;ительном перегреве расплава, что...

Номер патента: 600090

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гареев, Горечий, Збарский, Кречмер, Полищук, Старенченко

МПК: C01G 49/12

Метки: железа, кристаллизации, расплава, сернистого

...в охлаждающую воду путем самотеч 20 ного слива с разрывом п дроблением струица высоте 0,3 - 2,0 м от поверхности воды перед контактцрОВаццем с ней. Продукт контакт:1 рует с водой. температуру которой поддерживают 25 - 60 С, в течсгц 1 е 5 - 60 с. Затем стемпературой поверхности 60 - 90 С извлекают на воздух ц сушат в условиях окружающей среды. Готовый продукт не ржавеет, сохраняет гладкую поверхность с металлцческцмблеском в течение нескольких месяцев,П р и м е р 1. Расплав сернистого железа, полученный из смеси чугун-колчедан (при весовом соотношении, равном 0,8: 1), при 1280 С выгружают со скоростью 6,2 кг/ч через насадку с внутренним диаметром 14 мм непосредственно в проточную воду, при 48 С, расходуя 120 л на 1 кг...

Номер патента: 1061533

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Радкевич, Рябовол, Смирнов, Стадник

МПК: C30B 35/00

Метки: ампуле, выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода качественных кристаллов за счет обеспечения центровки ампулы относительно диафрагмы в течение всего процесса выращивания, оно дополнительно содержит дифференциальные термопары, установленные диаметрально противоположно на внутренней поверхности охлаждаемой кольцевой диафрагмы перпендикулярно направлению перемещения...

Номер патента: 1085612

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Бей, Пономаренко, Потебня, Рашевский

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, расплавов

...охлаждаемую поверхность-валец 2, привод 3 для непрерывного перемещения указанной поверхности, устройство 4 для нанесения на охлаждаемую поверхность расплава, устройство 5 для съема корки закристаллизовавшегося продукта, газодувки 6, смесителя 7 для получения пылегазовой смеси, дозатора 8 затравки кристаллизуемого вещества, щелевых форсунок 9 для подачи пылегазовой смеси на неза кристаллизовавшуюся поверхность расплава, циклона 1 О для очистки отработанного газа от кристаллического вещества и теплообменника 11 для охлаждения газа, вывод которого соединен с газодувкой 6 штуцеров ввода исходного расплава 2 в кристаллизатор, вывода из аппарата закристаллизовавшегося продукта 13 и пылегазового потока 14, подачи охлаждаемой кристаллической...