Способ электрохимического осаждения вольфрама

Номер патента: 425979

Авторы: Васько, Неорганической, Семенченко, Шатурска

ZIP архив

Текст

ИСАНИЕ ц 425979 О ЙИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистицеских Рюспубйик(51) М, Кл. С 23 Ь 5/30 асударствениыи коиит Саавта Ьаиистров ССС по делам иаооротекийи открытий,27(088.8) 04.74, Бюллетень16 ата опубликова писан 72) Авторы изобретенияЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГНИЯ ВОЛЬФРАМА СульфБор наяТемперат800 а/дм 2Полученподложкойотожжен вв течение 2 150 50 одная плотность тока платиновый,рошо сцепленный с иной 1,5 мк. Образец водорода при 950 С Изобретение относится к области гальва ческих покрытий, в частности к электрохи ческому осаждению вольфрама.Известен способ электрохимического осаждения вольфрама из электролита, содержащего вольфрамовокислый натрий и борную кислоту.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с целью улучшения качества покрытия в электролит вводят перекись водорода и сульфат аммония при следующем соотношении компонентов, г/л:Вольфрамовокислыйнатрий 5 - 30Перекись водорода (30%) 3 - 10 (м Сернокислый аммоний 100 - 150 Борная кислота 20 - 50 и процесс ведут при рН 0,5 - 10, температуре 20 - 70 С, катодной плотности тока 0,1 - 1000 а/дмПрим ер. На предварительно обезжиренный и промытый стальной, медный, латунный или никелевый образец наносится осадок из электролита следующего состава, г/л:Вольфрамовокислый натрий 10 Перекись водорода (30%) 5 (мл/л) т аммониякислотаура 70 С, карН 1,5. Анодплотный, хоокисел толщатмосферечас. едмет из тен Способ электр вольфрама из э вольфрамовокисль отличающийся щения качества п дят сернокислый а да при следующе тов, г/л; охимическоголектролита,й натрий и бтем, что,окрытия, в эммоний и пм соотноше оса содерорную к с целью лектроли ерекись в нии ком ждения жа щего ислоту,улучт вво- одоро- поненл/л) ислый ВольфрамовокнатрийПерекись водСернокислыйБарная кисли процесс ведут птодной плотности 5 - 30 3 - 10 100 - 15 20 - 50 , 20 - 7 00 а/дм мл рода (30%)аммонийтаи рН 0,5 - 10тока 0,1 - 10) К Т. Васько, В. П. Шатурская, В. В, Тоболич и И. Е. Семенченк ститут общей и неорганической химии АН Украинской ССР

Смотреть

Заявка

1438644, 25.05.1970

А. Т. Васько, В. П. ШатурскаВ. В. Тоболич, И. Е. Семенченко Институт общей, неорганической химии Украинской ССР

МПК / Метки

МПК: C25D 3/54

Метки: вольфрама, осаждения, электрохимического

Опубликовано: 30.04.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-425979-sposob-ehlektrokhimicheskogo-osazhdeniya-volframa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электрохимического осаждения вольфрама</a>

Похожие патенты