Шатурска

Номер патента: 425979

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Васько, Неорганической, Семенченко, Шатурска

МПК: C25D 3/54

Метки: вольфрама, осаждения, электрохимического

...вольфрамовокислый натрий и борную кислоту.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с целью улучшения качества покрытия в электролит вводят перекись водорода и сульфат аммония при следующем соотношении компонентов, г/л:Вольфрамовокислыйнатрий 5 - 30Перекись водорода (30%) 3 - 10 (м Сернокислый аммоний 100 - 150 Борная кислота 20 - 50 и процесс ведут при рН 0,5 - 10, температуре 20 - 70 С, катодной плотности тока 0,1 - 1000 а/дмПрим ер. На предварительно обезжиренный и промытый стальной, медный, латунный или никелевый образец наносится осадок из электролита следующего состава, г/л:Вольфрамовокислый натрий 10 Перекись водорода (30%) 5 (мл/л) т аммониякислотаура 70 С, карН 1,5. Анодплотный, хоокисел толщатмосферечас....