Пьезокерамический материал

Номер патента: 1061658

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, растворов, твердых

...чтодля прямоэонных полупроводников вслучае примеси, создающей водородоподобные центры,- 10 / М, а оо , для концентрации легирующейпримеси получаем соотношение М10 /ь,Концентрация легирующей примеси естественным образом ограничена сверхузначением М соответствующим предельной растворимости вводимой примеси. Создание ч Е в условиях фотонного переноса приводит к возникновению фотонного дрейфа ННЗ, направНаиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ получения полупроводниковых твердых растворов для силовых диодов и солнечных элементов, на основе по крайней мере двух полупроводниковых соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов, включающий управление градиентом ширины...

Номер патента: 1754806

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: sb(sb, гидротермальный, монокристаллов, растворов, твердых

...скорость образования которых превышает 35 скорость их роста. Результатом этого конкурирующего процесса является незначительный размер монокристаллов.Отношение жидкой и твердой фазы является существенным для поддержания 40 длительного пересыщения в реакционнойзоне образования кристаллов. Если, например, взять количество твердой фазы по объему равной жидкой, то практически получается вязкий раствор, который затруд няет массоперенос и снижает подвижностьрастворенных компонентов шихты. Это об- .стоятельство лимитирует образование и выход монокристаллов твердых растворовЯЬ(ЯЬхй Ь 1.х)0450 . Таким образом, все отличительные признаки способа причинно связаны с целью изобретения и достаточно для его осуществления, Нарушение того или...

Номер патента: 1814451

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Неустроев, Родионова

МПК: H01L 21/467

Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления

...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...

Номер патента: 1818869

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Игнатов, Коноплев

МПК: C22C 19/03

Метки: карбида, никеле, основе, раствора, сплав, твердого, циркония

...по содержанию карбида циркония в сплаве и твердом растворе карбида циркония в никеле,При содержании карбида циркония в сплаве и твердом растворе карбида циркония в никеле ниже заявляемого предела (состав 4) его твердость и коррозионная приготовленное из порошка карбида циркония дисперсностью 0,1-50 мкм на основе5 о -ного раствора канифоли в этиловомспирте.Имплантирование производили техно логической лазерной установкой Квант при мощности излучения 4-12 Дж, положении фокусного пятна относительно поверхности технологической лазернойустановкой Квантпри мощности излучения 4-12 Дж, положении фокусного пятнаотносительно поверхности образца 4 - 12мм, перекрытии полос при имплантации поплощади 100-200 мкм. Фазовый состав полученного сплава...

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 7/36

Метки: газовой, например, полупроводников, растворов, слоев, твердых, фазы, эпитаксиальных

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...